隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動(dòng)，并且能夠在使用合適的器件時(shí)提供安全柵。示例應(yīng)用程序如圖 1 所示。VDD1和 V
2022-12-19 11:46:18
3410 
引言：對(duì)于中壓或高壓的電源系統(tǒng)，對(duì)MOS組的要求特別高，DrMOS已經(jīng)不能滿(mǎn)足設(shè)計(jì)參數(shù)要求，此時(shí)將DrMOS再次分拆開(kāi)來(lái)，將驅(qū)動(dòng)部分獨(dú)立成為柵極驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度和抗擾度極佳，非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、家用電器、SMPS、電池供電應(yīng)用和大功率照明。
2023-11-10 16:00:484294 
本文通過(guò)分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來(lái)計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開(kāi)關(guān)性能，還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
2024-02-26 18:14:343325 
本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設(shè)計(jì)提供實(shí)用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)，包含三相變頻段、柵極驅(qū)動(dòng)器等。
2024-03-17 17:03:072562 
：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)
2024-05-23 11:23:221233 
可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。這些柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)MOSFET而設(shè)計(jì)，通過(guò)增加其余兩個(gè)邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動(dòng)器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，
2024-09-19 11:55:061107 
：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出IXD0579M高速柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。IXD0579M簡(jiǎn)化了電路板設(shè)計(jì)，節(jié)省了空間，并為驅(qū)動(dòng)半
2025-06-03 17:30:421209 
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng):電流互感器高壓側(cè)電源研發(fā)研究方向：使用市電作為低壓側(cè)交流源，在100kV高壓側(cè)產(chǎn)生多個(gè)非共地直流電源實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:使用ATG3080作為高頻交流源，為互感器提供一次側(cè)高頻電流，并使二次側(cè)產(chǎn)生
2021-01-27 11:22:02
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極
2021-01-27 07:59:24
如果控制側(cè)涉及到人的活動(dòng)，那么高功率側(cè)和低電壓控制電路之間需要電流隔離。它能防范高壓側(cè)的任何故障，因?yàn)楸M管有元件損壞或失效，隔離柵仍會(huì)阻止電力到達(dá)用戶(hù)。圖6.采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的半橋
2021-07-09 07:00:00
L6390，用于工業(yè)應(yīng)用的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。三相功率級(jí)三L6390半橋柵極驅(qū)動(dòng)器之一的應(yīng)用電路
2019-07-08 12:28:25
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁（電動(dòng)汽車(chē)充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng):電流互感器高壓側(cè)電源研發(fā)研究方向：使用市電作為低壓側(cè)交流源，在100kV高壓側(cè)產(chǎn)生多個(gè)非共地直流電源實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:使用ATG3080作為高頻交流源，為互感器提供一次側(cè)高頻電流，并使二次側(cè)產(chǎn)生
2020-05-26 13:59:50
獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動(dòng)器有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí)，適用于最小的驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)，同時(shí)浮動(dòng)通道可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
特征用于同步整流的雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器快速外部MOSFET的高驅(qū)動(dòng)電流切換集成自舉二極管高頻操作啟用引腳自適應(yīng)死區(qū)管理柔性門(mén)驅(qū)動(dòng)器：5 V至12 V兼容輸出的高阻抗（HiZ）管理階段停堆初步
2020-09-22 16:32:27
用于反激式轉(zhuǎn)換器中LED照明的NCL30086模擬/數(shù)字可調(diào)光功率因數(shù)校正準(zhǔn)諧振初級(jí)側(cè)電流模式控制器的典型應(yīng)用。 NCL30086是一款功率因數(shù)校正反激式控制器，適用于隔離式和非隔離式“智能可調(diào)光”恒流LED驅(qū)動(dòng)器
2019-09-06 08:36:33
驅(qū)動(dòng)器發(fā)生了什么，手冊(cè)也沒(méi)有說(shuō)明這一點(diǎn)。根據(jù)手冊(cè)，必須首先通過(guò)將 F0 或 F1（或兩者）置為高電平來(lái)啟用柵極驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)連接到引腳 A8、A9、A10，而低側(cè)連接到 B13、B14、B15。但是一旦我
2022-12-23 09:20:42
你好，在制動(dòng)模式下，當(dāng)高壓側(cè)場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通、低壓側(cè)場(chǎng)效應(yīng)管斷開(kāi)時(shí)，如何獲得反向電動(dòng)勢(shì)電流？
2024-05-20 06:03:48
高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器源電流為 345mA，但我不知道如何使用它。 shx電壓應(yīng)設(shè)置為多少？
2024-05-28 07:12:10
STMicroelectronics的VN7000AY單通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器旨在驅(qū)動(dòng)12V汽車(chē)接地負(fù)載?！ TMicroelectronicsVN7000AY是使用ST專(zhuān)有VIPower?M0-7
2020-06-30 16:58:08
(PTC) 加熱器來(lái)加熱冷卻劑。PTC加熱器依靠高壓電池來(lái)運(yùn)行，需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)的典型PTC加熱器方框圖。圖1：汽車(chē)內(nèi)部加熱器模塊的方框圖過(guò)去
2022-11-04 06:40:48
雙繞組變壓器的額定容量是多少？交流高壓真空接觸器適用于哪些場(chǎng)合？
2021-09-24 12:34:40
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開(kāi)關(guān)損耗地驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個(gè)通道完全獨(dú)立，其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
分流電阻器連接到電路中用于低壓側(cè)和高壓側(cè)電流測(cè)量的方法分享
2020-12-30 07:17:45
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2018-10-25 10:22:56
機(jī)構(gòu)的強(qiáng)制要求。它還能保護(hù)低壓電子器件免受高功率側(cè)故障引起的任何損害的影響。有多種方法可以描述安全隔離，但在基本層面上，它們都與隔離柵的擊穿電壓有關(guān)。此電壓額定值一般針對(duì)驅(qū)動(dòng)器的使用壽命以及特定
2018-11-01 11:35:35
，低側(cè)FET導(dǎo)通并開(kāi)始通過(guò)其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(應(yīng)用手冊(cè)):高壓側(cè)器件的柵極驅(qū)動(dòng)要求,典型MOS柵極驅(qū)動(dòng)器(MGD)的框圖,自舉工作原理，如何選擇自舉元件等內(nèi)容。
2010-01-04 17:17:57
89 DGD05473FNQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá) 50V
2023-10-24 10:17:47
DGD0597FUQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá)
2023-10-24 10:45:14
IR推出75V低側(cè)智能功率開(kāi)關(guān)，適用于嚴(yán)苛的24V汽車(chē)環(huán)境
國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低側(cè)智能功率開(kāi)關(guān)(IPS) ，適用于嚴(yán)苛的24V汽
2009-11-04 08:50:54990 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)近日推出適用于汽車(chē)應(yīng)用的AUIRS4426S雙通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC，應(yīng)用領(lǐng)域包括混合
2010-11-08 09:20:081132 
高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005529 
德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:083262 
近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。
2016-02-22 11:22:431517 
UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，此器件能夠高效地驅(qū)動(dòng)MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開(kāi)關(guān)。
2016-07-22 15:38:230 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 基礎(chǔ)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可以驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) FET。此參考設(shè)計(jì)包含一個(gè)緊湊的內(nèi)置 1.5W 隔離式 Fly Buck 輔助電源，用于為柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入和輸出供電。方法是將隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和隔離式柵極驅(qū)
2017-12-25 11:13:000 LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵，因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無(wú)限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個(gè)低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:004622 
安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類(lèi)最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開(kāi)關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動(dòng)器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003983 
DRV832x 系列器件是適用于三相 應(yīng)用的集成式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件具有三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。 DRV832x 使用集成電荷泵為高側(cè)
2020-03-05 08:00:000 BS2103F是一種單片高低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片，可驅(qū)動(dòng)高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，并具有自舉功能。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)600V的N通道功率MOSFET或IGBT。邏輯輸入可用于3.3V和5.0V。當(dāng)VCC和VBS低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，欠壓鎖定（UVLO）電路可防止故障。
2020-04-10 08:00:005 ：解決一個(gè)低壓側(cè)交流源可以在100kV高壓側(cè)需要產(chǎn)生多個(gè)非共地直流電源的難題。 測(cè)試設(shè)備：萬(wàn)用表，示波器、功率信號(hào)源ATG-3080。 實(shí)驗(yàn)過(guò)程：市電輸入高壓隔離變，再進(jìn)入ATG3080將其轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">高頻電流，電流通過(guò)高壓電纜穿入25級(jí)互感器，每一級(jí)互感器+整流裝置
2020-06-20 11:31:301078 
IR2101（S）/IR2102（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有獨(dú)立的高、低壓側(cè)參考輸出通道。專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)使加固單片結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)
2020-07-21 08:00:0067 ADA4930-1/ADA4930-2：超低噪聲驅(qū)動(dòng)器，適用于低壓ADC
2021-03-20 09:42:369 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用回顧和比較評(píng)估
2022-11-14 21:08:330 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類(lèi)型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類(lèi)型來(lái)分類(lèi)。相應(yīng)地，無(wú)論是
2023-02-23 15:35:241 在電氣控制的不斷發(fā)展中，可靠的解決方案至關(guān)重要。MD18211A是一款高性能的高壓高頻高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，具備多項(xiàng)引人注目的特性和優(yōu)勢(shì)，為各種應(yīng)用提供可靠的電氣控制解決方案。
2023-06-09 14:57:303208 
SCT52A40是一種寬電源，高頻柵極驅(qū)動(dòng)器，包括高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，用于半橋、全橋和降壓電路和驅(qū)動(dòng)離散N型MOSFET的轉(zhuǎn)換器。4A峰值電流和匯電流能力可提高功率轉(zhuǎn)換器的功率效率
2023-07-03 17:31:241386 
變壓器為什么從高壓側(cè)充電？變壓器從低壓側(cè)充電的危害? 變壓器是電力傳輸系統(tǒng)中最常用的電力設(shè)備之一，它將高壓電流轉(zhuǎn)化為低壓電流，并且在輸電時(shí)起到重要的作用。在實(shí)際應(yīng)用中，我們通常會(huì)將變壓器從高壓側(cè)充電
2023-09-27 15:50:354402 圣邦微電子推出 SGM42403，一款四路低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器。器件可應(yīng)用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān)、單極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器和電磁閥驅(qū)動(dòng)器。
2023-09-28 10:06:153158 
當(dāng)安裝差壓變送器時(shí)，正確的安裝方法對(duì)于確保設(shè)備正常運(yùn)行至關(guān)重要。下面我們將詳細(xì)介紹如何安裝差壓變送器的高壓側(cè)和低壓側(cè)。 首先，我們先來(lái)了解差壓變送器的工作原理。差壓變送器是一種用于測(cè)量流體或氣體壓力
2024-01-18 16:42:457086 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有-10V輸入能力、適用于汽車(chē)應(yīng)用的30V、5A、雙通道、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器UCC27624-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-25 09:58:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有–5V輸入能力、適用于汽車(chē)應(yīng)用的20V、9A單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器UCC27332-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 11:16:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有-5V輸入能力、適用于汽車(chē)應(yīng)用的20V、4A、雙通道、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器UCC27444-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 13:35:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器UCC2751x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-01 11:16:220 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 變壓器作為電力系統(tǒng)中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其作用是改變交流電壓的大小，以適應(yīng)不同電壓等級(jí)的設(shè)備或系統(tǒng)的需要。在變壓器的運(yùn)行過(guò)程中，我們經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到“高壓側(cè)”和“低壓側(cè)”這兩個(gè)概念。那么，什么是變壓器的高壓側(cè)和低壓側(cè)呢？它們又有哪些特點(diǎn)和作用呢？本文將從多個(gè)角度對(duì)變壓器的高壓側(cè)和低壓側(cè)進(jìn)行深入探討。
2024-06-04 15:16:5213719 在電力系統(tǒng)中，變壓器作為電能轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵脑O(shè)備，其高壓側(cè)和低壓側(cè)的區(qū)分對(duì)于設(shè)備的安裝、運(yùn)行和維護(hù)都至關(guān)重要。然而，對(duì)于非專(zhuān)業(yè)人士來(lái)說(shuō)，如何準(zhǔn)確地區(qū)分變壓器的高壓側(cè)和低壓側(cè)可能是一個(gè)挑戰(zhàn)。本文將從多個(gè)角度，結(jié)合相關(guān)知識(shí)和實(shí)際案例，詳細(xì)闡述如何區(qū)分變壓器的高壓側(cè)和低壓側(cè)。
2024-06-04 15:29:5715126 并聯(lián)電容器可以安裝在低壓側(cè)或高壓側(cè)，具體選擇取決于實(shí)際需求和應(yīng)用環(huán)境。以下是一些考慮因素： 一、安裝在低壓側(cè) 1、優(yōu)點(diǎn)： 1、成本較低 ：低壓電容器通常比高壓電容器便宜，安裝和維護(hù)成本也較低。 2
2024-08-08 14:16:221774 
變壓器的抽頭位置可以根據(jù)具體的設(shè)計(jì)和應(yīng)用需求而定，既可以位于高壓側(cè)，也可以位于低壓側(cè)，甚至在某些設(shè)計(jì)中可能同時(shí)在兩側(cè)都有抽頭。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，抽頭更常見(jiàn)于高壓側(cè)，原因主要有以下幾點(diǎn)： 操作便捷性
2024-08-15 17:29:004238 變壓器的高壓側(cè)和低壓側(cè)是變壓器的兩個(gè)主要端口，它們?cè)谧儔?b class="flag-6" style="color: red">器上的位置以及所承擔(dān)的功能各不相同。 一、高壓側(cè) 位置 ：高壓側(cè)的接線(xiàn)通常設(shè)置在變壓器的頂部或側(cè)面的上部。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">高壓側(cè)需要與高壓電網(wǎng)進(jìn)行連接
2024-08-15 18:16:1114495 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-03 11:50:111 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《緊湊、強(qiáng)大且穩(wěn)健的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)應(yīng)用說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-11 10:18:320 分接頭（Tap Changer）是指變壓器中用于調(diào)整電壓的裝置，它允許用戶(hù)在變壓器的一次側(cè)和二次側(cè)之間改變電壓比。分接頭通常位于變壓器的高壓側(cè)或低壓側(cè)，具體取決于變壓器的設(shè)計(jì)和應(yīng)用需求。 1. 分
2024-09-27 15:11:503228 高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專(zhuān)為半橋開(kāi)關(guān)
2024-11-11 17:21:201606 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于汽車(chē)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的多輸出初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)反激式參考設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-12-03 15:13:491 MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件，能夠有效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 開(kāi)關(guān) 。提供FAE支持，歡迎咨詢(xún)了解。單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-12-20 17:44:511385 
用于 GaN 功率開(kāi)關(guān)的高壓和高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品說(shuō)明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強(qiáng)型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160 新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-03-18 17:04:16877 
TPS1211-Q1 系列是具有保護(hù)和診斷功能的 45V 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V–40V 的寬工作電壓范圍，適用于 12V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
該器件具有強(qiáng)大的 3.7A 峰值拉電流
2025-05-07 16:20:30780 
LM25101 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和 采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。A 版本 提供完整的 3A 柵極驅(qū)動(dòng)，而 B 和 C 版本分別提供 2A 和 1A。這 輸出
2025-05-20 14:05:04619 
LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131046 
LM5102 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于在同步降壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。輸出是獨(dú)立控制的。每個(gè)輸出的上升沿可以
2025-05-21 16:59:12643 
LM5100/LM5101 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值
2025-05-21 17:04:58887 
新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-05-21 17:07:11602 Texas Instruments DRV3233-Q1智能柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于12V和24V汽車(chē)三相BLDC應(yīng)用。 該驅(qū)動(dòng)器包含三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)均可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET
2025-07-10 13:44:473866 
Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET和IGBT電源開(kāi)關(guān)，具有3A峰值拉電流和3A
2025-07-10 14:57:02612 
。UCC27614-Q1驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車(chē)應(yīng)用。此系列驅(qū)動(dòng)器可用于太陽(yáng)能電源、大功率緩沖器、脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器和電信開(kāi)關(guān)模式電源。
2025-09-18 10:48:38716 
Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開(kāi)關(guān)。此系列驅(qū)動(dòng)器的典型峰值驅(qū)動(dòng)
2025-09-18 14:47:59757 
的電源。 緊湊的高性能功率級(jí)依賴(lài)快速、可靠的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案。這類(lèi)解決方案既有簡(jiǎn)單的低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，也有適合高壓環(huán)境的全隔離版本。對(duì)于許多設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，浮地非隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供了一條有效的成功途徑。 柵極驅(qū)動(dòng)器用作中間器件，將通常來(lái)自微控制器或脈
2025-10-02 17:22:001717 
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器用于隔離高低壓電路，提升功率晶體管的開(kāi)關(guān)效率，保障系統(tǒng)安全與抗干擾能力。
2025-09-28 14:52:23332 
DRV8363-Q1 是一款集成式智能柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 48V 汽車(chē)三相 BLDC 應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET
2025-10-11 09:40:32657 
DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。GVDD用于為低側(cè)MOSFET生成柵極驅(qū)動(dòng)電壓。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá)750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14454 
DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45890 
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525 
DRV8706-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線(xiàn)性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
該器件采用智能柵極
2025-10-14 14:23:03492 
DRV8705-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線(xiàn)性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
該器件采用智能柵極
2025-10-14 14:27:06449 
具有可調(diào)負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏壓的低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成和DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供更安全的操作，減少元件數(shù)量并提高功率密度。 伊利諾伊州羅斯蒙特，2025 年 10月 28日
2025-10-28 18:07:40859 
在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅要實(shí)現(xiàn)緩沖和電平轉(zhuǎn)換的功能，還要在高頻操作下保持高效和穩(wěn)定。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的一款優(yōu)秀的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器——NCV51313。
2025-11-27 10:49:49232 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器IC至關(guān)重要，它直接影響著電路的性能和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解一下onsemi推出的FAD7171MX，一款專(zhuān)門(mén)為汽車(chē)應(yīng)用打造的高性能高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC。
2025-12-04 09:53:27261 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器起著至關(guān)重要的作用，它能夠有效地驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT，確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天我們要探討的是安森美（onsemi）推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，它具備諸多出色的特性和功能，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-04 09:58:48650 
MD18624高頻柵極驅(qū)動(dòng)器是設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)低側(cè)n通道具有最大控制靈活性的mosfet獨(dú)立的輸入。每個(gè)通道可以源和匯5A峰值電流以及軌對(duì)軌輸出能力。2.2nF負(fù)載下7ns/6ns上升和下降時(shí)間降低
2025-01-06 10:00:09
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