DDR硬件設(shè)計要點

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：

a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。

有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進(jìn)行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計時，如果有一個完整的電源平面鋪到管腳上，是最理想的狀態(tài)，并且在電源入口加大電容儲能，每個管腳上加一個100nF~10nF的小電容濾波。

b參考電源Vref，參考電源Vref要求跟隨VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用電源芯片提供，也可以采用電阻分壓的方式得到。由于Vref一般電流較小，在幾個mA~幾十mA的數(shù)量級，所以用電阻分壓的方式，即節(jié)約成本，又能在布局上比較靈活，放置的離Vref管腳比較近，緊密的跟隨VDDQ電壓，所以建議使用此種方式。需要注意分壓用的電阻在100~10K均可，需要使用1%精度的電阻。 Vref參考電壓的每個管腳上需要加10nF的點容濾波，并且每個分壓電阻上也并聯(lián)一個電容較好。

C、用于匹配的電壓VTT（Tracking Termination Voltage）

VTT為匹配電阻上拉到的電源，VTT=VDDQ/2。DDR的設(shè)計中，根據(jù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的不同，有的設(shè)計使用不到VTT，如控制器帶的DDR器件比較少的情況下。如果使用VTT，則VTT的電流要求是比較大的，所以需要走線使用銅皮鋪過去。并且VTT要求電源即可以吸電流，又可以灌電流才可以。一般情況下可以使用專門為DDR設(shè)計的產(chǎn)生VTT的電源芯片來滿足要求。

而且，每個拉到VTT的電阻旁一般放一個10Nf~100nF的電容，整個VTT電路上需要有uF級大電容進(jìn)行儲能。

在華為的設(shè)計中，在使用DDR顆粒的情況下，已經(jīng)基本全部不使用VTT電源，全部采用電阻上下拉的戴維南匹配，只有在使用內(nèi)存條的情況下才使用VTT電源。

一般情況下，DDR的數(shù)據(jù)線都是一驅(qū)一的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，且DDR2和DDR3內(nèi)部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到較好的信號質(zhì)量。DDR2的地址和控制信號線如果是多負(fù)載的情況下，會有一驅(qū)多，并且內(nèi)部沒有ODT，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為走T型的結(jié)構(gòu)，所以常常需要使用VTT進(jìn)行信號質(zhì)量的匹配控制。DDR3可以采用Fly-by方式走線：

一個DDR3設(shè)計案例，來分析對比采用高阻抗負(fù)載走線和采用主線和負(fù)載走線同阻抗兩種情況的差異。

如上圖，Case1采用的是從內(nèi)層控制器到各個SDRAM均為50ohm的阻抗設(shè)計。Case2則采用了主線40ohm，負(fù)載線60ohm的設(shè)計。對此通過仿真工具進(jìn)行對比分析。

從以上仿真波形可以看出，使用較高阻抗負(fù)載走線的Case2在信號質(zhì)量上明顯優(yōu)于分支主線都采用同一種阻抗的Case1設(shè)計。而且對靠近驅(qū)動端的負(fù)載影響最大，遠(yuǎn)離驅(qū)動端的最末端的負(fù)載影響較小。這個正是前面所分析到的，負(fù)載的分布電容導(dǎo)致了負(fù)載線部分的阻抗降低，如果采用主線和負(fù)載線同阻抗設(shè)計，反而導(dǎo)致了阻抗不連續(xù)的發(fā)生。把負(fù)載走線設(shè)計為較高的阻抗，用于平衡負(fù)載引入的分布電容，從而可以達(dá)到整條走線阻抗平衡的目的。

通過提高負(fù)載走線阻抗來平衡負(fù)載電容的做法，其實在以往的菊花鏈設(shè)計中是經(jīng)常用到的方法。DDR3稱這種拓?fù)錇閒ly-by，其實是有一定的含義的，意在強調(diào)負(fù)載stub走線足夠的短。

2. 時鐘

DDR的時鐘為差分走線，一般使用終端并聯(lián)100歐姆的匹配方式，差分走線差分對控制阻抗為100ohm，單端線50ohm。需要注意的是，差分線也可以使用串聯(lián)匹配，使用串聯(lián)匹配的好處是可以控制差分信號的上升沿緩度，對EMI可能會有一定的作用。

3. 數(shù)據(jù)和DQS

DQS信號相當(dāng)于數(shù)據(jù)信號的參考時鐘，它在走線時需要保持和CLK信號保持等長。DQS在DDR2以下為單端信號，DDR2可作為差分信號，也可做單端，做單端時需要將DQS-接地，而DDR3為差分信號，需要走線100ohm差分線。由于內(nèi)部有ODT，所以DQS不需要終端并聯(lián)100ohm電阻。每8bit數(shù)據(jù)信號對應(yīng)一組DQS信號。

DQS信號在走線時需要與同組的DQS信號保持等長，控制單端50ohm的阻抗。在寫數(shù)據(jù)時，DQ和DQS的中間對齊，在讀數(shù)據(jù)時，DQ和DQS的邊沿對齊。DQ信號多為一驅(qū)一，并且DDR2和DDR3有內(nèi)部的ODT匹配，所以一般在進(jìn)行串聯(lián)匹配就可以了。

4. 地址和控制

地址和控制信號速度沒有DQ的速度快，以時鐘的上升沿為依據(jù)采樣，所以需要與時鐘走線保持等長。但如果使用多片DDR時，地址和控制信號為一驅(qū)多的關(guān)系，需要注意匹配方式是否適合。

5. PCB布局注意事項

PCB布局時，需要把DDR顆粒盡量靠近DDR控制器放置。每個電源管腳需要放置一個濾波電容，整個電源上需要有10uF以上大電容放在電源入口的位置上。電源最好使用獨立的層鋪到管腳上去。串聯(lián)匹配的電阻最好放在源端，如果是雙向信號，那么要統(tǒng)一放在同一端。如果是一驅(qū)多的DDR匹配結(jié)構(gòu)，VTT上拉電阻需要放在最遠(yuǎn)端，注意芯片的排布需要平衡。下圖是幾種DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，首先，一驅(qū)二的情況下分為樹狀結(jié)構(gòu)，菊花鏈和Fly-by結(jié)構(gòu)，F(xiàn)ly-by是一種STUB很小的菊花鏈結(jié)構(gòu)。DDR2和DDR3走菊花鏈結(jié)構(gòu)都是比較適合的。走樹狀結(jié)構(gòu)可以把兩片芯片貼在PCB的正反兩面，對貼減小分叉的長度。一驅(qū)多的DDR拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，需要仔細(xì)進(jìn)行仿真。

6. PCB布線注意事項

PCB布線時，單端走線走50ohm，差分走線走100ohm阻抗。

注意控制差分線等長±10mil以內(nèi)，同組走線根據(jù)速度的要求也有不同，一般為±50mil。

控制和地址線及DQS線和時鐘等長，DQ數(shù)據(jù)線和同組的DQS線等長。

注意時鐘及DQS和其他的信號要分開3W以上距離。

組間信號也要拉開至少3W寬的距離。

同一組信號最好在同一層布線。

盡量減少過孔的數(shù)目。

7. EMI問題

DDR由于其速度快，訪問頻繁，所以在許多設(shè)計中需要考慮其對外的干擾性，在設(shè)計時需要注意一下幾點

原理有性能指標(biāo)要求的，易受干擾的電路模塊和信號，如模擬信號，射頻信號，時鐘信號等，防止DDR對其干擾，影響指標(biāo)。

DDR的電源和不要與其他易受干擾的電源模塊使用同一電源，如必須使用同一電源，要注意使用電感、磁珠或電容進(jìn)行濾波隔離處理。

在時鐘及DQS信號線上，預(yù)留一些可以增加的串聯(lián)電阻和并聯(lián)電容的位置，在EMI超出標(biāo)準(zhǔn)時，在信號完整性允許的范圍內(nèi)增大串聯(lián)電阻或?qū)Φ仉娙荩蛊湫盘柹仙幼兙?，減少對外的輻射。

進(jìn)行屏蔽處理，使用金屬外殼的屏蔽結(jié)構(gòu)，屏蔽對外輻射。

注意保持地的完整性。

8. 測試方法

注意示波器的探頭和示波器本身的帶寬能夠滿足測試要求。

測試點的選擇要注意選到盡量靠近信號的接受端。

由于DDR信令比較復(fù)雜，因此為了能快速測試、調(diào)試和解決信號上的問題，我們希望能簡單地分離讀/寫比特。此時，最常用的是通過眼圖分析來幫助檢查DDR信號是否滿足電壓、定時和抖動方面的要求。

觸發(fā)模式的設(shè)置有幾種，首先可以利用前導(dǎo)寬度觸發(fā)器分離讀/寫信號。根據(jù)JEDEC規(guī)范，讀前導(dǎo)的寬度為0.9到1.1個時鐘周期，而寫前導(dǎo)的寬度規(guī)定為大于0.35個時鐘周期，沒有上限。第二種觸發(fā)方式是利用更大的信號幅度觸發(fā)方法分離讀/寫信號。通常，讀/寫信號的信號幅度是不同的，因此我們可以通過在更大的信號幅度上觸發(fā)示波器來實現(xiàn)兩者的分離。

測試中要注意信號的幅度，時鐘的頻率，差分時鐘的交叉點，上升沿是否單調(diào)，過沖等。

時序中最重要，最需要注意的就是建立時間和保持時間。