請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線(xiàn)管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱(chēng)為加速電容，數(shù)值一般在1
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
的開(kāi)關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語(yǔ)選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
1、使用加速電容在基
極限流電阻并聯(lián)小容量的電容（一般pF級(jí)別），當(dāng)輸入信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在
晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速?gòu)幕鶚O抽取電子（因?yàn)殡娮?/div>
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類(lèi)型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對(duì)于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠(chǎng)家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?b class="flag-6" style="color: red">1.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測(cè)量晶體管輸入輸出特性的測(cè)量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 IBM研發(fā)出最快的石墨烯晶體管，超越硅材料的極限
IBM研究中心聲稱(chēng)研究出世界上速度最快的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，運(yùn)行頻率達(dá)到26GHz。
IBM Thomas J. Watson研究中心（
2008-12-27 12:55:48
792 晶體管分類(lèi)
按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 晶體管的極限參數(shù)
以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過(guò)的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過(guò)額定值時(shí)，
2010-01-26 08:54:038005 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類(lèi)型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱(chēng)集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 《晶體管精華集錦》技術(shù)專(zhuān)題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊(cè)、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測(cè)試儀）以及常見(jiàn)的晶體管（如：場(chǎng)效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專(zhuān)題內(nèi)容豐富、包羅萬(wàn)象，希望對(duì)各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個(gè)芯片上集成了上萬(wàn)個(gè)9nm制程工藝的晶體管，相信大家對(duì)于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來(lái)越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 最近，美國(guó)勞倫斯?伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)—已經(jīng)成功研制出柵極(晶體管內(nèi)的電流由柵極控制)僅長(zhǎng)1納米的晶體管，號(hào)稱(chēng)是有史以來(lái)最小的晶體管。
2016-10-10 10:29:304174 為什么說(shuō)7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長(zhǎng)度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗，并削減CPU的硅片成本。不過(guò)這種做法也會(huì)使電子移動(dòng)的距離縮短，容易導(dǎo)致晶體管內(nèi)部電子自發(fā)通過(guò)
2016-10-10 16:49:396418 摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。然而事情的發(fā)展總歸會(huì)有一個(gè)權(quán)限，5nm則是硅芯片工藝的極限所在，事實(shí)上，隨著10nm、7nm芯片研發(fā)消息不斷報(bào)出
2016-12-22 10:23:1143944 今天有多家媒體報(bào)道了中國(guó)科研人員實(shí)現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展，香港《南華早報(bào)》稱(chēng)中科院微電子所團(tuán)隊(duì)的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當(dāng)于人類(lèi)DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
2019-05-29 16:48:095127 CPU使用數(shù)十億個(gè)微型晶體管，電子門(mén)打開(kāi)和關(guān)閉以執(zhí)行計(jì)算。晶體管越小，所需的功率就會(huì)越小。7nm和10nm是這些晶體管尺寸的測(cè)量尺寸。nm是納米和微小長(zhǎng)度的縮寫(xiě)，以此來(lái)判斷特定CPU有多強(qiáng)大的有用指標(biāo)。
2019-08-18 10:02:177884 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入 7nm，下一步還要進(jìn)入 5nm、3nm 節(jié)點(diǎn)，制造難度越來(lái)越大，其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要，未來(lái)的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 15:40:497723 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。
2020-01-15 09:40:329726 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，F(xiàn)inFET的效用已經(jīng)趨于極限。 晶體管縮放的難題 在每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，設(shè)備制造商可以通過(guò)縮小晶體管的方法來(lái)降低器件面積、成本和功耗并實(shí)現(xiàn)性能提升，這種方式也稱(chēng)為PPAC（功率、性能、面積、成本）
2021-01-25 15:25:403874 
如今5nm才剛剛起步，臺(tái)積電的技術(shù)儲(chǔ)備就已經(jīng)緊張到了2nm，并朝著1nm邁進(jìn)。根據(jù)最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023
2020-11-26 10:48:093409 
，3nm工藝是今年下半年試產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。 與三星在3nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同，臺(tái)積電的第一代3nm工藝比較保守，依然使用FinFET晶體管。 與5nm工藝相比，臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。 不論是5nm還是3nm工
2021-02-19 15:13:402778 半導(dǎo)體制程已經(jīng)進(jìn)展到了3nm，今年開(kāi)始試產(chǎn)，明年就將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，之后就將向2nm和1nm進(jìn)發(fā)。相對(duì)于2nm，目前的1nm工藝技術(shù)完全處于研發(fā)探索階段，還沒(méi)有落地的技術(shù)和產(chǎn)能規(guī)劃，也正是因?yàn)槿绱?，使?b class="flag-6" style="color: red">1nm技術(shù)具有更多的想象和拓展空間，全球的產(chǎn)學(xué)研各界都在進(jìn)行著相關(guān)工藝和材料的研究。
2021-12-17 15:18:0612951 1nm芯片是什么意思？目前芯片的代工工藝制程工藝已經(jīng)進(jìn)入3nm節(jié)點(diǎn)，在1nm芯片制造技術(shù)節(jié)點(diǎn)迎來(lái)技術(shù)突破。芯片的發(fā)展一直都很快，有消息稱(chēng)IBM與三星聯(lián)手將實(shí)現(xiàn)1nm及以下芯片制程工藝。
2021-12-17 14:34:4334377 今年五月份，IBM成功推出了2nm的測(cè)試芯片，可容納500億顆晶體管，IBM成功將500億個(gè)晶圓體容納在了指甲大小的芯片上，這標(biāo)志著 IBM 在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和工藝方面實(shí)現(xiàn)了重大突破，對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都將有不小的幫助。
2022-06-22 09:52:382679 目前手機(jī)處理器的工藝制程是7nm，臺(tái)積電也即將量產(chǎn)5nm芯片，未來(lái)還有2nm甚至1nm芯片的出現(xiàn)。臺(tái)積電的研發(fā)負(fù)責(zé)人曾在談?wù)摪雽?dǎo)體工藝極限的問(wèn)題時(shí)，認(rèn)為到2050年，晶體管可達(dá)0.1nm的氫原子尺度。
2022-06-24 16:10:0326799 現(xiàn)在的芯片技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)，人們常常能夠聽(tīng)到某某公司又研發(fā)出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研發(fā)出的最先進(jìn)的芯片是IBM公司的2nm芯片，我們都知道芯片內(nèi)部有很多晶體管，那么2nm芯片的晶體管
2022-07-04 09:15:365743 現(xiàn)在科技越來(lái)越發(fā)達(dá)，芯片設(shè)計(jì)也在不斷創(chuàng)新與突破，前段時(shí)間IBM就研制出了全球首顆2nm芯片，這顆芯片能夠容納500億個(gè)晶體管，它的最小單元比DNA的單鏈還要小。
2022-07-06 09:41:4041572 三星3nm采用的晶體管架構(gòu)是GAAFET，也被稱(chēng)為Nanosheet，而1nm制程對(duì)晶體管架構(gòu)提出了更高的要求。
2022-09-05 15:03:575987 高性能單層二硫化鉬晶體管的實(shí)現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力，二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學(xué)家們也沒(méi)有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長(zhǎng)度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:043984 IBM 剛剛官宣研發(fā)2nm芯片不久，臺(tái)積電再次發(fā)起了挑戰(zhàn)！ 臺(tái)積電取得1nm以下制程重大突破，不斷地挑戰(zhàn)著物理極限。
2022-10-20 10:39:111795 及三星這三大芯片廠(chǎng)商也在沖刺，其中三星首個(gè)宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺(tái)積電沒(méi)說(shuō)時(shí)間點(diǎn)，預(yù)計(jì)也是在2027年左右。 1.4nm之后就是1nm工藝了，這個(gè)節(jié)點(diǎn)曾經(jīng)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限，是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，但是現(xiàn)在芯片廠(chǎng)商也已經(jīng)在攻關(guān)中。 臺(tái)積電已經(jīng)啟動(dòng)了先導(dǎo)計(jì)劃，傳聞中的1nm晶圓
2022-10-31 11:06:302457 
在 VLSI 2021 上，imec 推出了 forksheet 器件架構(gòu)，以將納米片晶體管系列的可擴(kuò)展性擴(kuò)展到 1nm 甚至更領(lǐng)先的邏輯節(jié)點(diǎn)。
2022-11-01 10:50:424281 
（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。 晶體管是現(xiàn)代電器的最關(guān)鍵的元件之一。晶體管之所以能夠大規(guī)模使用是因?yàn)樗芤詷O低的單位成本被大規(guī)模生產(chǎn)。 1947年12月，美國(guó)貝
2023-05-16 11:06:203183 （William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。 晶體管是現(xiàn)代電器的最關(guān)鍵的元件之一。晶體管之所以能夠大規(guī)模使用是因?yàn)樗芤詷O低的單位成本被大規(guī)模生產(chǎn)。 同電子管相比
2023-05-16 11:12:592083 然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來(lái)制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-30 14:24:482131 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來(lái)制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-31 15:45:292196 
上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實(shí)際線(xiàn)寬無(wú)法大幅縮小的前提下，通過(guò)改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來(lái)達(dá)到等效線(xiàn)寬的效果那么新的問(wèn)題來(lái)了：從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:011396 
晶體管計(jì)算機(jī)是一種由晶體管組成的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于控制和放大電流。它是電子技術(shù)領(lǐng)域中最重要的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù)的基石之一。本文將詳細(xì)介紹晶體管計(jì)算機(jī)的主要物理元件
2024-02-02 10:28:301847 ，
晶體管結(jié)構(gòu)創(chuàng)新成為了技術(shù)發(fā)展的主要路徑，從平面
晶體管演進(jìn)到鰭式場(chǎng)效應(yīng)
晶體管，再到最新3
nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的堆疊納米溝道全環(huán)繞柵極FET（GAAFET），通過(guò)
晶體管內(nèi)部溝道的全三維化以獲得更好的短溝道柵控能力與同尺寸導(dǎo)電性能。在
1nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)附近，因?yàn)?/div>
2024-05-31 17:39:551068 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類(lèi)型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 已全部加載完成
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