IBM今日宣布，IBM與其研究聯(lián)盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司為新型的芯片制造了5納米大小的晶體管。研究團(tuán)隊(duì)將硅納米層進(jìn)行水平堆疊，而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架，這使得5納米晶體管的工藝有了實(shí)現(xiàn)可能。這項(xiàng)技術(shù)有可能應(yīng)用于自動(dòng)駕駛、人工智能和5G網(wǎng)絡(luò)。
2017-06-07 14:28:09
1689 芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022048 
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測(cè)定實(shí)際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
。 Si晶體管的分類(lèi) Si晶體管的分類(lèi)根據(jù)不同分類(lèi)角度，有幾種不同的分類(lèi)方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類(lèi)如下。其中，本篇的主題“功率類(lèi)”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類(lèi)角度，有幾種不同的分類(lèi)方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類(lèi)如下。其中，本篇的主題“功率類(lèi)”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開(kāi)關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
、發(fā)射極和集電極。為了識(shí)別NPN和PNP晶體管，我們有一些標(biāo)準(zhǔn)的電阻值。每對(duì)端子必須在兩個(gè)方向上測(cè)試電阻值，總共進(jìn)行六次測(cè)試。這種方法對(duì)于快速識(shí)別PNP晶體管非常有益。我們現(xiàn)在可以觀察每對(duì)終端的運(yùn)行方式
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
“魚(yú)和熊掌”兼得的HI-FI新方法音響“HI—FI”是發(fā)燒友永恒的主題?！昂寐曇簟庇质且粋€(gè)系統(tǒng)工程，從對(duì)碟片音源、CD、前級(jí)、電源、功放、線材、音箱喇叭一整套性能的優(yōu)化組合、乃至220伏電能的純凈
2014-03-27 15:02:19
片晶體管通常基于納米片堆疊技術(shù)，納米片作為晶體管的溝道部分，其厚度和寬度可以精確控制，以實(shí)現(xiàn)更好的靜電控制和更高的驅(qū)動(dòng)電流。叉片晶體管可以實(shí)現(xiàn)垂直堆疊，即多個(gè)晶體管層疊在一起。這種堆疊方式進(jìn)一步提高了
2025-06-20 10:40:07
的大多數(shù)載流子傳輸。與雙極晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、限頻高、功耗低、制造工藝簡(jiǎn)單、溫度特性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種放大器、數(shù)字電路和微波電路等?；诠璧慕饘費(fèi)OSFET和基于GaAs
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽(yáng)能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)。 在許多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成?！ 〔贿^(guò)，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
，出于實(shí)際原因，保持區(qū)域大致相同至關(guān)重要?！ ∪缜八?，實(shí)現(xiàn)更多計(jì)算能力的一種
方法是縮小
晶體管的尺寸。但隨著
晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道區(qū)域電流的能力。正因?yàn)槿绱?，平?/div>
2023-02-24 15:25:29
使用PIM分析儀測(cè)試連接器互調(diào)的新方法是什么？
2021-05-10 06:59:33
較長(zhǎng)的連線。長(zhǎng)而窄的連線電阻更大，延時(shí)更長(zhǎng)。字線和位線的電阻對(duì)SRAM運(yùn)行速度的提高和工作電壓的降低構(gòu)成了限制。 按照傳統(tǒng)方法來(lái)實(shí)現(xiàn)集成電路需要先在在硅襯底上構(gòu)建晶體管，然后再在硅襯底上添加互連層，將
2020-05-11 15:40:48
功率型LED熱阻測(cè)量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀(jì)最引人注目的新技術(shù)領(lǐng)域之一，而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域的需要。提出了一種電學(xué)法測(cè)量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
【作者】：張惠珍;馬良;【來(lái)源】：《系統(tǒng)工程理論與實(shí)踐》2010年03期【摘要】：文章在對(duì)已有二次分配問(wèn)題(QAP)線性化模型深入研究的基礎(chǔ)上,提出一種二次分配問(wèn)題線性化新方法,進(jìn)而給出了對(duì)稱(chēng)二次
2010-04-24 09:49:00
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何使用MangaGAN新方法生成久保帶人Style的漫畫(huà)形象？
2021-09-27 06:00:53
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
。3. 向?qū)嶋H電路（評(píng)估電路）上貼裝晶體管請(qǐng)確認(rèn)選定的晶體管是否在實(shí)際電路上安全工作？在工作的情況下，是否長(zhǎng)期（可靠）穩(wěn)定地工作？等等，還需要考慮電氣裕量。晶體管可否使用的判定方法可否使用的判定按照以下
2019-05-05 09:27:01
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)數(shù)字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測(cè)定方法測(cè)定。IO（低電流區(qū)域
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
了所謂的頂部朝下的方法，類(lèi)似于把原件精確地蝕刻并固定在晶體管上的工業(yè)流程類(lèi)似，由于兼容傳統(tǒng)工藝，有望被業(yè)界采納。新一代硅芯片將在明天問(wèn)世，屆時(shí)將采用垂直結(jié)構(gòu)，而非平板設(shè)計(jì)，但由于硅的電子流動(dòng)性有限，人們
2011-12-08 00:01:44
新方法。在三相采樣等效電路上分別并聯(lián)一組三極管控制的電阻分壓開(kāi)關(guān)電路,參考電機(jī)轉(zhuǎn)速線性調(diào)節(jié)控制信號(hào)占空比,以此控制三極管通斷,從而調(diào)節(jié)電阻分樂(lè)開(kāi)關(guān)電路阻值,可以避免高速時(shí)反電勢(shì)幅值高于檢測(cè)電路供電電壓
2025-06-26 13:50:59
突破現(xiàn)有的邏輯門(mén)電路設(shè)計(jì)，讓電子能持續(xù)在各個(gè)邏輯門(mén)之間穿梭。此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來(lái)制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管
2016-10-08 09:25:15
等效的提高開(kāi)關(guān)速度的方法，較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
求大佬分享按鍵掃描的新方法
2022-01-17 06:50:00
測(cè)電阻，新方法，不加激勵(lì)的辦法有沒(méi)有。
2015-03-26 10:44:14
用IBM43RF0100EV評(píng)估板評(píng)估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問(wèn)各大大有無(wú) Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
本帖最后由 鼓山 于 2013-7-4 14:31 編輯
俺在網(wǎng)上找到的基于Proteus 8.0開(kāi)發(fā)LM3S ARM Cortex的新方法給碼農(nóng)們分享！
2013-07-04 14:00:47
運(yùn)用于matlab中的矩陣求逆的新方法有哪些啊或者考慮矩陣的特殊性質(zhì)，比如稀疏、對(duì)稱(chēng)性，有哪些求逆的新方法可以運(yùn)用?。壳笾?！
2013-01-21 17:10:33
晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測(cè)量晶體管輸入輸出特性的測(cè)量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 英飛凌科技公司（Infineon），設(shè)在慕尼黑的實(shí)驗(yàn)室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開(kāi)發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長(zhǎng)度僅為18納米，幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:391263 IBM公司日前發(fā)布了據(jù)稱(chēng)是全球首款電致發(fā)光(EL)納米管晶體管，并聲稱(chēng)該器件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(LED)強(qiáng)1000倍，光子通量多達(dá)1萬(wàn)倍。 &n
2006-03-13 13:03:07670 精確控制DDS輸出信號(hào)幅度的新方法
DDS技術(shù)作為一種先進(jìn)的直接數(shù)字頻率合成技術(shù)，用數(shù)字控制的方法從一個(gè)頻率基準(zhǔn)源產(chǎn)生多種頻率，具有高可靠性、高集成度、高頻率分
2008-10-15 08:57:562764 
硅晶體管與鍺晶體管的識(shí)別及區(qū)分方法
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔。對(duì)于PNP型管，黑表筆接發(fā)射極E，
2008-10-19 09:47:349616 
測(cè)量晶體三極管的新方法
晶體三極管是電子電路中最常見(jiàn)的器件之一。在各種電子電路中的應(yīng)用十分廣泛。但是，判定三極管的好壞及極
2008-11-09 15:32:123363 IBM研發(fā)出最快的石墨烯晶體管，超越硅材料的極限
IBM研究中心聲稱(chēng)研究出世界上速度最快的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，運(yùn)行頻率達(dá)到26GHz。
IBM Thomas J. Watson研究中心（
2008-12-27 12:55:48792 CMOS和模擬器件電路的晶體管設(shè)計(jì)新方法
日本廣島大學(xué)(University of Hiroshima)和日本半導(dǎo)體技術(shù)理論研究中心(STARC)共同披露了一種適用于CMOS和模擬器件電路的晶體管設(shè)計(jì)
2009-03-28 16:20:54720 一種熱電阻阻值測(cè)量的新方法
摘 要：在利用熱電阻測(cè)量溫度中，熱電阻阻值的精確測(cè)量是精確測(cè)量溫度的關(guān)鍵，針對(duì)傳統(tǒng)熱電阻
2009-05-26 16:34:113135 
判別晶體管電極的方法
2009-07-31 17:38:01829 
晶體管（transistor）
4
5納米工藝的四核處理器已能容納8億個(gè)晶體管
2009-11-05 10:34:251669 晶體管的檢測(cè)和更換方法
電路中的晶體管主要有晶體二極管、晶體三極管、可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管等等，其中最常用的是三極管和二極管
2009-11-05 10:54:301014 晶體管溫度補(bǔ)償電路實(shí)例分析
晶體管的主要參數(shù)，如電流放大倍數(shù)、基極-發(fā)射極電壓、集電極電流等，都與環(huán)境溫度密切相關(guān)。因此，在晶體管電路中需
2009-11-27 08:55:005402 晶體管的種類(lèi)和使用方法
具有信號(hào)放大功能的3個(gè)端子的半導(dǎo)體器件。作為電流載體，有利用電子及空穴兩個(gè)載子的雙極晶體管，
2010-03-01 10:13:532951 多路高壓觸發(fā)源抗干擾的新方法
本文提出了一種多路高壓觸發(fā)薄抗干擾的新方法．它的特點(diǎn)是各觸發(fā)電路中的儲(chǔ)能電容器并非同時(shí)處于充好電
2010-04-20 10:58:42932 優(yōu)化太陽(yáng)能系統(tǒng)效率和可靠性的一種較新方法是使用連接至每個(gè)單獨(dú)太陽(yáng)能板的微型逆變器,電源逆變器是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中關(guān)鍵的電子組件
2011-02-12 10:41:191423 4月8日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，本周四IBM向媒體展示了其最快的石墨烯晶體管，該產(chǎn)品每秒能執(zhí)行1550億個(gè)循環(huán)操作，比之前的試驗(yàn)用晶體管快50%。
2011-04-08 09:32:42981 英國(guó)劍橋大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種名為“集合滲透震動(dòng)”(collective osmotic shock，COS)的新方法來(lái)制造多孔納米材料，可大大提高制造效率，在水資源過(guò)濾、發(fā)光設(shè)備制造和化學(xué)傳感器等方面具
2011-11-30 08:53:17923 在今天的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上，IBM的科學(xué)家們展示了一系列突破性的科研成果，IBM拿出了全球第一個(gè)通道長(zhǎng)度(柵極長(zhǎng)度)不足10nm的碳納米晶體管，代表了未來(lái)計(jì)算技術(shù)的重大突破
2011-12-08 09:23:551612 
來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術(shù)授權(quán)合約，將以3D架構(gòu)的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET），促進(jìn)次世代尖端20納米CMOS制程的開(kāi)發(fā)，以加速聯(lián)電次世代尖端技術(shù)的研發(fā)時(shí)程。
2012-06-30 11:27:11656 藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們?cè)俅握故玖怂麄冃酆竦目蒲袑?shí)力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬(wàn)多個(gè)碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過(guò)了可行性測(cè)
2012-10-29 11:44:488434 根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個(gè)芯片上集成了上萬(wàn)個(gè)9nm制程工藝的晶體管，相信大家對(duì)于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來(lái)越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:308361 晶體管種類(lèi)很多，檢測(cè)方法也不一樣，這里詳細(xì)介紹了各種晶體管的檢測(cè)方法
2016-02-23 17:43:000 三次多項(xiàng)式型段內(nèi)加減速控制新方法，下來(lái)看看
2016-05-03 09:38:5416 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:541290 基于溫度信號(hào)的風(fēng)電機(jī)組發(fā)電機(jī)實(shí)時(shí)可靠性監(jiān)測(cè)新方法_霍娟
2016-12-29 14:35:280 本文開(kāi)始介紹了晶體管的分類(lèi)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其次分析了晶體管的重要性及作用，最后介紹了晶體管工作原理與晶體管的檢測(cè)方法。
2018-02-01 09:18:3229435 本文開(kāi)始介紹了什么是晶體管圖示儀和晶體管圖示儀的一般參數(shù)，其次闡述了晶體管特性圖示儀構(gòu)成和晶體管圖示儀主要用途，最后介紹了晶體管圖示儀使用方法。
2018-03-19 11:35:3815371 本文開(kāi)始闡述了晶體管圖示儀的定義、晶體管圖示儀的組成及主要技術(shù)指標(biāo)，其次闡述了晶體管圖示儀使用方法和晶體管特性圖示儀使用方法，最后介紹了晶體管圖示儀使用注意事項(xiàng)。
2018-03-19 15:51:2924207 
AD采集的新方法
2018-03-23 09:44:2510 現(xiàn)如今，市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)家殷華湘說(shuō)，他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度，在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275958 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個(gè)22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 儲(chǔ)能成本關(guān)乎行業(yè)發(fā)展前景，但其測(cè)算方法其實(shí)非常復(fù)雜，國(guó)外一家能源公司提出了一種儲(chǔ)能成本精確測(cè)算的新方法——Levelized Cost of Using Storage（LCUS）。
2020-04-06 08:40:001972 科學(xué)家們找到了新方法來(lái)通過(guò)激光、原子來(lái)測(cè)量重力。這種辦法精度極高，甚至能測(cè)量你的微小體重對(duì)重力的影響。
2020-05-19 15:08:253235 但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 使用碳納米管作為溝道材料，并使用離子凝膠作為柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可承受高強(qiáng)度的輻射，在輻射損壞后，并且可以經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單的工藝恢復(fù)。
2020-11-04 15:22:222778 并聯(lián)APF直流側(cè)電壓選擇新方法(肇慶理士電源技術(shù))-并聯(lián)APF直流側(cè)電壓選擇新方法? ? ? ? ? ? ??
2021-09-17 16:47:446 過(guò)時(shí)。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn)，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場(chǎng)。這個(gè)新的制造時(shí)代得益于減少芯片納米的競(jìng)賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度是10納米，而且隨著最新研究，頂級(jí)公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7納米工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55136833 提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的方法可以通過(guò)減少晶體管的輸入電容來(lái)提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度，這可以通過(guò)減少晶體管的輸入電容的大小來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2023-02-24 15:54:572318 
數(shù)字晶體管因集電極電流和連接至基極的電阻的不同而分為不同類(lèi)型。數(shù)字晶體管的選擇方法和確定使用普通晶體管作為開(kāi)關(guān)時(shí)連接到基極的電阻的方法相同。
2023-05-29 16:40:45893 在當(dāng)前電子技術(shù)發(fā)展的今天，如今的晶體管還是得到不錯(cuò)的有應(yīng)用，其中的國(guó)產(chǎn)晶體管晶體管，同樣是深受現(xiàn)在人們的關(guān)注，如今隨著這一晶體管得到應(yīng)用，要在國(guó)產(chǎn)晶體管廠家如何完成相應(yīng)的選型呢，主要還是需要注意考慮這樣幾種國(guó)產(chǎn)晶體管選型方法，進(jìn)而可以完成對(duì)晶體管的選擇。
2022-07-20 14:28:101977 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種改善微波模塊增益指標(biāo)溫度特性的新方法.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-25 10:05:340 電子晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的核心。這些設(shè)備精確地控制電流，但在這樣做的過(guò)程中，它們會(huì)產(chǎn)生熱量。
2023-11-17 09:45:361319 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì)的最新方法.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-20 11:10:370 晶體管的元件溫度計(jì)算方法
2023-11-23 09:09:351518 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類(lèi)別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管，通過(guò)將硅通道薄化切割為納米級(jí)別的薄片，再用柵極全方位圍繞，實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)500億個(gè)晶體管，并且經(jīng)過(guò)液氮冷卻處理，其性能飆升至原本的兩倍之多。
2023-12-26 14:55:071246 有什么方法可以提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度呢？ 電子行業(yè)一直在尋求提高晶體管速度的方法，以滿足高速和高性能計(jì)算需求。下面將詳細(xì)介紹幾種可以提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的方法： 1. 尺寸縮?。?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的尺寸越小，電子
2024-01-12 11:18:222182 本文介紹了一種利用全息技術(shù)在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。 研究人員提出了一種在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。傳統(tǒng)上，晶圓上的微結(jié)構(gòu)加工，僅限于通過(guò)光刻技術(shù)在晶圓表面加工納米結(jié)構(gòu)。 然而，除了晶
2024-11-18 11:45:481189 
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