什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:01
3657 目前3D晶體管成為代工產(chǎn)業(yè)重點關(guān)注的技術(shù)，但很多人關(guān)于這個技術(shù)的細(xì)節(jié)不是很了解，我們在這里介紹一下。
2015-12-28 14:34:1212814 
據(jù)TechCrunch網(wǎng)站報道，碳納米管屬于一種超級材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物，它有包括從超級計算機到效能比更高的智能手機在內(nèi)的許多夢幻般應(yīng)用。問題是，它們不容易制造，推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:072131 據(jù)外媒報道，硅在芯片領(lǐng)域的主導(dǎo)地位可能終結(jié)。多年來，研究人員和企業(yè)家希望碳納米管能給芯片設(shè)計帶來一場革命。從理論上說，這種分子水平的結(jié)構(gòu)，能用來制造速度是現(xiàn)有產(chǎn)品6-10倍、能耗大幅降低的芯片。除
2016-11-15 13:41:50858 得益于研究人員的持續(xù)推進，碳納米管器件現(xiàn)在正在越來越接近硅的能力，最新的進展也在最近舉辦的IEEE電子器件會議IEDM上揭曉。會上，來自臺積電，加州大學(xué)圣地亞哥分校和斯坦福大學(xué)的工程師介紹了一種新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中晶體管完全關(guān)閉至關(guān)重要。
2020-12-16 10:11:293777 碳納米管是20世紀(jì)90年代日本科學(xué)家Iijima先生（Iijima?Sumio. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature,1991,354
2023-07-19 13:35:502229 
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
1、引言自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點?；?b class="flag-6" style="color: red">碳納米管獨特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想
2019-05-28 07:58:57
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
與銷售集團總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
片晶體管通?；?b class="flag-6" style="color: red">納米片堆疊技術(shù)，納米片作為晶體管的溝道部分，其厚度和寬度可以精確控制，以實現(xiàn)更好的靜電控制和更高的驅(qū)動電流。叉片晶體管可以實現(xiàn)垂直堆疊，即多個晶體管層疊在一起。這種堆疊方式進一步提高了
2025-06-20 10:40:07
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對一個研究項目進行合作，共同開發(fā)基于酶涂層碳納米管
2018-11-19 15:20:44
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑，用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜，測試其場發(fā)射特性，并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑，采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場發(fā)射陰極，反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:1820 采用硫酸和硝酸混合酸對催化裂解法（CVD法）制備的多壁碳納米管（MWNTs）進行純化，然后運用硬脂酸對碳納米管表面進行修飾，并研究了硬脂酸修飾后的碳納米管的表面狀況以及
2009-05-16 01:52:2617 隨著對碳納米管研究的不斷深入，對碳納米管的應(yīng)用研究越來越受到人們的重視。通過分析碳納米管的物理特性，對碳納米管的應(yīng)用前景進行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:1813 碳納米管研究的不斷發(fā)展為其與微機電系統(tǒng)(MEMS) 的結(jié)合提供了可能,這種結(jié)合“Top - down”與“Bottom2up”的方法是微米/ 納米技術(shù)的一個發(fā)展趨勢。碳納米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:0726 目前看來，碳納米管的潛在用途是無窮無盡的，僅在半導(dǎo)體行業(yè)就存在著大量的潛在應(yīng)用。研究人員已經(jīng)成功將碳納米管用于FET開關(guān)、消費電子存儲器，以及下一代電視機的場發(fā)
2010-04-16 10:34:2412 通過原位溶液聚合制備了聚苯胺/碳納米管(PAN I/ CN T) 復(fù)合材料。采用透射電子顯微鏡(TEM )、紫外2可見光光譜(UV 2V IS)、傅立葉變換紅外光譜(FT IR)、熱失重分析(TGA ) 及差示掃描量熱法(
2010-11-21 12:27:2132 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 采用原位聚合的方法,制備了多壁碳納米管/ 聚甲基丙烯酸甲酯復(fù)合材料。多壁碳納米管經(jīng)過強酸氧化處理,表面具有有機活性。碳納米管的加入并未使聚合誘導(dǎo)期延長,但令體系粘度增
2010-11-21 12:37:0549 IBM公司日前發(fā)布了據(jù)稱是全球首款電致發(fā)光(EL)納米管晶體管，并聲稱該器件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(LED)強1000倍，光子通量多達(dá)1萬倍。 &n
2006-03-13 13:03:07670 斯坦福大學(xué)成功研制出具備較復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的碳納米管IC
最近斯坦福大學(xué)研制出了首個三維碳納米管結(jié)構(gòu)電路，這項成果可能標(biāo)志著科學(xué)家在研制納米管計算機方面又
2009-12-24 09:11:161169 科學(xué)家新發(fā)現(xiàn):碳納米管產(chǎn)生大電流(新型發(fā)電方式)
麻省理工學(xué)院科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種新發(fā)電方式，利用碳納米管產(chǎn)生出大電流，可為超小型設(shè)備提供電能，而且納米管產(chǎn)生
2010-03-15 08:44:171404 4月8日消息，據(jù)國外媒體報道，本周四IBM向媒體展示了其最快的石墨烯晶體管，該產(chǎn)品每秒能執(zhí)行1550億個循環(huán)操作，比之前的試驗用晶體管快50%。
2011-04-08 09:32:42981 對碳納米管陰極的制備以及場發(fā)射顯示器的真空封裝技術(shù)進行了研究.利用一種新的碳納米管生長工藝制備出了具有優(yōu)良場發(fā)射性能的碳納米管陰極.并將這種直接生長的碳納米管薄膜作
2011-04-19 12:24:2542 針對現(xiàn)有的碳納米管場發(fā)射顯示器(CNT FED)制造技術(shù)中存在的工藝復(fù)雜、 成本過高的問題,提出了用于制造碳納米管場發(fā)射顯示器的全印刷制造技術(shù),即采用絲網(wǎng)印刷工藝制備 CN T FED 器件內(nèi)
2011-04-19 14:59:5734 碳納米管具有一些獨特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:0662 在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進一步說明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計概念。
2011-09-16 09:23:431145 Intel在微處理器晶體管設(shè)計上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401712 來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 北京大學(xué)在碳納米管集成電路領(lǐng)域取得重要進展,該文章報道了彭練矛教授研究團隊在碳納米管集成電路領(lǐng)域取得的重要進展?；瘜W(xué)與分子工程學(xué)院李彥教授和美國杜克大學(xué)劉杰教授為該
2012-02-22 09:34:072330 
以碳納米管為材料制備而成的納米光學(xué)天線,可以將接收光波的范圍縮小到亞波長尺度上,這樣就擴大了太陽能面板接收光能量的波長范圍,能夠收集到紅外線的能量,從而為納米光子學(xué)提供
2012-02-22 10:58:534 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)最近報道，美國斯坦福和南加州大學(xué)工程師開發(fā)出一種設(shè)計碳納米管線路的新方法，首次能生產(chǎn)出一種以碳納米管為基礎(chǔ)的全晶片數(shù)字電路，即使在許多納米管發(fā)
2012-06-19 10:18:091649 Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點。
2012-08-08 11:49:462303 本文核心議題： 通過本文介紹，我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:278565 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241528 藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們再次展示了他們雄厚的科研實力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過了可行性測
2012-10-29 11:44:488434 根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個芯片上集成了上萬個9nm制程工藝的晶體管，相信大家對于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 近日消息，英特爾計劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國際電子產(chǎn)品大會的專家們
2012-12-11 09:05:451434 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:541290 IBM 的研究人員已經(jīng)找到了如何使用碳納米管制造微型芯片的方法，這一成果可以讓我們制造更強的芯片，使得曲面電腦、可注射芯片成為可能。
2016-11-17 13:51:401393 多壁碳納米管_Nafion_納米金構(gòu)建阻抗傳感器研究_胡曉琴
2017-03-19 19:03:463 基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海
2017-03-19 19:12:420 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點。用其分散出來的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點，能夠更好的滿足動力電池對安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:525110 
北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、納米器件物理與化學(xué)教育部重點實驗室彭練矛教授-張志勇教授團隊在碳納米管電子學(xué)領(lǐng)域潛心研究十幾年，發(fā)展了一整套碳管CMOS技術(shù)，前期已實現(xiàn)亞10nm CMOS器件以及中等規(guī)模
2018-01-02 13:42:426110 
芯片是信息時代的基礎(chǔ)與推動力，碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時代的重要選項。今日報道由北大申報的”5納米碳納米管CMOS器件“入選了高校十大科技進展。
2018-01-02 15:11:341382 
金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點。用其分散出來的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點，能夠更好的滿足動力電池對安全性和導(dǎo)電性需求。
2018-01-05 09:35:395865 
目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實驗樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0012878 
在Nano Letters雜志描述的研究中，Barron和他的團隊在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后，對多壁碳納米管和單壁碳納米管進行了艱苦的阻力測量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多，阻力測量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:345001 經(jīng)多年研發(fā)，趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù)，進一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點于一身：1、是陳列式的碳納米管，蓬松易分散；2
2018-08-21 17:15:3210351 
文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能，綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況，在此基礎(chǔ)上，分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過程中的純化、分散、損傷和界面等問題，并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢。
2018-12-13 08:00:008 他們的解決方案依賴于碳納米管場效應(yīng)晶體管（CNTFET）和電阻式RAM存儲器（RRAM）的3D集成。這種技術(shù)是Shulaker在斯坦福大學(xué)期間，協(xié)助 H.-S. Philip Wong
2019-03-05 11:10:385950 現(xiàn)如今，市場上最先進的計算機芯片使用7納米晶體管。中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說，他的團隊已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度，在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275958 SkyWater科技的晶圓廠生產(chǎn)出第一批可以匹敵先進硅芯片性能的3D納米管晶圓。
2019-07-26 14:03:463706 日前，麻省理工學(xué)院助理教授Max Shulaker在DARPA電子復(fù)興倡議（ERI）峰會上展示了一塊碳納米管+RRAM通過ILV技術(shù)堆疊的3DIC晶圓。
2019-08-05 15:08:163728 英國《自然》雜志28日發(fā)表了一項計算科學(xué)最新進展：美國麻省理工學(xué)院團隊利用14000多個碳納米管晶體管，制造出16位微處理器，并生成這樣一條信息。其設(shè)計和制造方法克服了之前與碳納米管相關(guān)的挑戰(zhàn)，將為先進微電子裝置中的硅帶來一種高效能替代品。
2019-08-29 16:12:133895 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成，擁有14000多個晶體管，基于RISC-V架構(gòu)，可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:291575 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進微電子器件中硅晶體管的替代品，顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級缺陷和可變性，以及處理它們面臨的挑戰(zhàn)，阻礙了它們在微電子領(lǐng)域的實際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:008089 他于近日在底特律對數(shù)百名工程師表示：“這片晶片是上周五制造的……這是鑄造廠制造的第一塊單片3D集成電路。”晶圓上有多個芯片，由一層CMOS碳納米管晶體管和一層RRAM存儲單元構(gòu)成，這些存儲單元相互疊放
2019-10-13 16:50:003322 據(jù)外媒報道，美國科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種碳納米管來制造帶有硅陽極的鋰離子電池。
2020-04-23 15:07:254495 通過使用與制造硅基晶體管相同的設(shè)備，可以實現(xiàn)這種快速生產(chǎn)。碳納米管場效應(yīng)晶體管（CNFET）比當(dāng)前的硅芯片具有更高的能源效率，可用于制造新型的三維處理器，但是由于制造方面的限制，迄今為止它們大多
2020-06-11 15:04:283216 自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點?；?b class="flag-6" style="color: red">碳納米管獨特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想。自此
2020-11-06 10:40:002 但是，這并不代表著對碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會一帆風(fēng)順。1998年首個碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來，最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 （CNT）、石墨烯等，新型導(dǎo)電劑（碳納米管、石墨烯及其復(fù)合導(dǎo)電劑）擁有更高的導(dǎo)電性和更少的添加比例（傳統(tǒng)炭黑導(dǎo)電劑添加量一般為正極材料重量的3%左右，而碳納米管、石墨烯等新型導(dǎo)電劑添加量可降至0.8%-1.5%。），其應(yīng)用范圍和比例正逐步擴
2020-09-22 11:06:373133 
GGII預(yù)計，在未來幾年，中國新型導(dǎo)電劑，特別是碳納米管導(dǎo)電劑將逐步代替?zhèn)鹘y(tǒng)導(dǎo)電劑，到2020年碳納米管導(dǎo)電漿料市場規(guī)模將突破7萬噸。
2020-10-13 16:44:134796 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:132363 研究人員尋求通過在納米管和晶體管柵極之間，使用更薄的絕緣體來更好地控制碳納米晶體管。 ? 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)會議上，碳納米管期間
2021-01-16 09:40:083366 目前，OCSiAl（奧科希艾爾）的TUBALL單壁碳納米管產(chǎn)能為80噸/年，占全球單壁碳納米管市場的95％以上，該產(chǎn)能滿足100+GWH以上的鋰離子電池的導(dǎo)電劑需求。 電動汽車沒有完全替代燃油汽車
2021-03-17 18:17:216986 
過時。IBM?在 2021?年就證明了這一點，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場。這個新的制造時代得益于減少芯片納米的競賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長度是10納米，而且隨著最新研究，頂級公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 本文提出了一種碳納米管“橋接策略”來合成這種富含用于 ORR 催化的高活性單原子 Fe 位點和用于 OER催化的高性能NiCo 納米顆粒的雙功能氧電催化劑（FePc||CNTs||NiCo/CP）。
2022-11-11 11:04:521935 國家空間科學(xué)中心空間天氣學(xué)國家重點實驗室陳睿副研究員、韓建偉研究員團隊與北京大學(xué)電子學(xué)院張志勇教授課題組、中科院微電子所李博研究員課題組合作，針對碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機存儲器單元
2022-11-16 11:19:321443 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361999 技術(shù)重點實驗室與北京大學(xué)教授張志勇、中科院國家空間科學(xué)中心副研究員陳睿合作，研制出基于局域底柵的碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機存儲器，并系統(tǒng)研究了碳納米管器件與電路的綜合抗輻射能力（圖1）。研究顯示，局域底柵碳納米
2022-12-02 16:49:283883 利用碳納米管包裹的棉和氨綸紗線，通過定制紡紗設(shè)備制造的電極如圖1a所示。首先，研究人員將兩個碳納米管陣列安裝在紡絲裝置的上料區(qū)。芯棉和氨綸紗線穿過送料筒的內(nèi)管。芯棉和芯紗插入內(nèi)管的直徑為0.5?cm，以適應(yīng)多種紗線的紡織。為了確保順利進紗，研究人員使用了彈簧張緊系統(tǒng)來控制張力。
2022-12-19 10:38:272296 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會自團聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:103471 OCSiAl通過技術(shù)革新，提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能，同時推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品，相較現(xiàn)有產(chǎn)品，固含提升在2倍以上，進一步降低單壁碳納米管的使用成本，提升性價比。
2023-04-20 09:34:462727 、碳納米管薄膜紅外探測器以及碳納米管光電集成研究方面的最新進展。 圖1 碳納米管探測器和光電集成 碳納米管材料由于具有高紅外吸收系數(shù)（3×10? cm?1）、高遷移率（10? cm2 V s?1）、基底
2023-06-12 17:02:401682 
的制備與性能研究【１、衢州職業(yè)技術(shù)學(xué)院機電工程學(xué)院２、重慶大學(xué)機械與運載工程學(xué)院】多壁碳納米管/聚丙烯納米復(fù)合材料的制備與性能研究多壁碳納米管/聚丙烯納米復(fù)合材料
2022-06-13 18:12:311408 
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因為電信號在每個晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:431457 晶體管氫氣傳感器產(chǎn)品已經(jīng)上市， 其探測限可以達(dá)到 0.5ppm，屬于最高端的氫氣傳感器產(chǎn)品，也是世界首款碳納米管芯片產(chǎn)品。 碳基電子技術(shù)將在未來 3 年左右用于傳感器芯片領(lǐng)域 ，以及在未來 5-8 年左右用于射頻芯片領(lǐng)域，并將在未來 15 年內(nèi)用于高端數(shù)字芯片
2023-09-05 15:10:181860 
隨著科技的進步，碳納米管（Carbon Nanotubes，CNT）已經(jīng)逐漸引領(lǐng)鋰電池領(lǐng)域的革新浪潮。傳統(tǒng)導(dǎo)電劑的替代者，碳納米管以其卓越的性能特點，包括優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能、阻酸抗氧化性、低阻抗等
2023-10-27 17:41:235386 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導(dǎo)致更強大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 研究中，他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結(jié)構(gòu)中，通過將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:321824 
一維空心圓柱形碳納米管納米結(jié)構(gòu)自被發(fā)現(xiàn)以來，在納米技術(shù)的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用。
2024-01-18 09:18:123331 
11月7日，有報道稱，美國麻省理工學(xué)院的研究團隊利用超薄半導(dǎo)體材料，成功開發(fā)出一種前所未有的納米級3D晶體管。這款晶體管被譽為迄今為止最小的3D晶體管，其性能與功能不僅與現(xiàn)有的硅基晶體管相當(dāng)，甚至在某些方面還超越了后者。
2024-11-07 13:43:101592 碳納米管介紹：性能突出的導(dǎo)電劑 一、碳納米管結(jié)構(gòu)及特性碳納米管又稱巴基管，英文簡稱CNT，是由單層或多層的石墨烯層圍繞中心軸按一定的螺旋角卷曲而成一維量子材料。其最早在1991年由飯島澄男發(fā)現(xiàn)
2024-12-03 17:11:535424 
碳納米管的主要應(yīng)用領(lǐng)域 1. 能源領(lǐng)域 碳納米管因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和機械強度，在能源領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它們可以作為電池和超級電容器的電極材料，提高儲能效率和充放電速率。此外，碳納米管還可
2024-12-11 17:55:036222 碳納米管與石墨烯的比較 碳納米管和石墨烯都是碳的同素異形體，它們具有獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)，并在許多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是兩者的主要區(qū)別： 碳納米管 石墨烯 結(jié)構(gòu) 中空管狀結(jié)構(gòu)，分為單壁和多
2024-12-11 18:05:446303 碳納米管的導(dǎo)電性能介紹 1. 碳納米管的結(jié)構(gòu)特性 碳納米管的結(jié)構(gòu)可以看作是石墨烯（單層碳原子構(gòu)成的二維材料）卷曲而成的一維結(jié)構(gòu)。根據(jù)卷曲的方式不同，碳納米管可以分為扶手椅型、鋸齒型和手性碳納米管
2024-12-12 09:07:023993 碳納米管的結(jié)構(gòu)與特性解析 1. 結(jié)構(gòu)概述 碳納米管（Carbon Nanotubes，簡稱CNTs）是一種由碳原子組成的納米級管狀結(jié)構(gòu)材料，具有獨特的一維納米結(jié)構(gòu)。它們可以看作是石墨烯（單層碳原子
2024-12-12 09:09:515900 碳納米管在光電器件中的應(yīng)用 碳納米管在光電器件中具有廣泛的應(yīng)用，這主要得益于其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性能。以下是一些具體的應(yīng)用實例： 光電轉(zhuǎn)換器件 ：碳納米管可以作為理想的光電轉(zhuǎn)換器件材料。研究者曾利用
2024-12-12 09:12:531635 光電探測器廣泛應(yīng)用于遙感、夜視、偵察、醫(yī)學(xué)成像、環(huán)境保護和化學(xué)檢測等領(lǐng)域，光電探測材料的結(jié)構(gòu)和性能直接影響光電探測器的性能。近期，碳納米管(CNTS)由于其獨特的光學(xué)和電學(xué)性能，已成為光電檢測中不可
2024-12-19 11:41:37934 
石墨烯與碳納米管具有相似的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，二者之間存在強烈的界面相互作用。通過將石墨烯與碳納米管復(fù)合，可以制備出具有優(yōu)異力學(xué)性能和導(dǎo)電性能的新型復(fù)合材料。這種復(fù)合材料在柔性電子器件、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛
2025-01-23 11:06:471872 
隨著集成電路的不斷縮小，傳統(tǒng)硅基材料逐漸接近性能極限。碳納米管，作為一種低維材料，憑借其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能，在射頻領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。 碳納米管的種類和優(yōu)勢： 半導(dǎo)體性碳納米管：由于其獨特
2025-02-13 09:52:281054 
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