20nm能讓我們超越什么？對于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會帶給我們什么樣的科技進(jìn)步？20nm FPGA背后到底蘊(yùn)藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:34
1820 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271563 美國耶魯大學(xué)（Yale University）化學(xué)與環(huán)境工程副教授Andre Taylor實(shí)驗(yàn)室的研究人員們開發(fā)出一種可望為鋰離子電池制造透明電極的技術(shù)。
2015-09-17 08:11:35500 美國萊斯大學(xué)（Rice University）的研究人員開發(fā)出一款名為Flatcam的新式相機(jī)系統(tǒng)，可利用編碼光罩與運(yùn)算途徑，取代傳統(tǒng)相機(jī)所用的鏡頭。
2015-11-19 08:26:121119 
近幾個月來，一些主要的半導(dǎo)體業(yè)者與IC代工廠陸續(xù)宣布微縮IC的電晶體尺寸至14奈米（nm），從而為物聯(lián)網(wǎng)（IoT）系統(tǒng)單晶片（SoC）降低尺寸與成本的下一步鋪路。
2015-12-09 08:31:521394 美國柏克萊實(shí)驗(yàn)室（Berkeley Lab）的研究人員日前發(fā)表最新的「傾斜離子注入」（tilted ion implantation，TII）制程，據(jù)稱能夠降低制造先進(jìn)芯片的成本、縮短研發(fā)時間，同時實(shí)現(xiàn)比當(dāng)今最先進(jìn)制程更小達(dá)的9奈米（nm）特征尺寸。
2017-02-07 11:10:171987 
根據(jù)致力于規(guī)劃新版半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖的工程師所提供的白皮書，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制程微縮預(yù)計(jì)將在2024年以前告終。值得慶幸的是，各種新型的組件、芯片堆棧和系統(tǒng)創(chuàng)新，可望持續(xù)使運(yùn)算性能、功耗和成本受益。
2017-03-27 08:59:351664 
電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：根據(jù)致力于規(guī)劃新版半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖的工程師所提供的白皮書，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝微縮預(yù)計(jì)將在2024年以前告終。值得慶幸的是，各種新型的組件、芯片堆棧和系統(tǒng)創(chuàng)新，可望持續(xù)使運(yùn)算性能、功耗和成本受益。
2017-03-28 08:17:031462 
Hercules核心的計(jì)算性能相比2016年的16nm A73可提升多達(dá)2.5倍，超越摩爾定律，更遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越Intel。
2018-08-17 10:38:338698 應(yīng)用材料公司今日宣布推出一項(xiàng)新技術(shù)，突破了晶圓代工-隨邏輯節(jié)點(diǎn)2D尺寸繼續(xù)微縮的關(guān)鍵瓶頸。
2020-07-21 14:50:541219 應(yīng)用材料公司推出了一種全新的先進(jìn)邏輯芯片布線工藝技術(shù)，可微縮到3納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
2021-06-18 10:21:421418 
翁壽松(無錫市羅特電子有限公司，江蘇無錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
隨著工藝技術(shù)向65nm以及更小尺寸的邁進(jìn)，出現(xiàn)了兩類關(guān)鍵的開發(fā)問題：待機(jī)功耗和開發(fā)成本。這兩個問題在每一新的工藝節(jié)點(diǎn)上都非常突出，現(xiàn)在已經(jīng)成為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)面臨的主要問題，我們該怎么解決呢？
2019-08-07 07:17:02
。Altera高端FPGA的性能優(yōu)勢結(jié)合其前沿工藝技術(shù)和功能優(yōu)勢，使得Stratix V FPGA能夠在各類市場上替代ASIC和ASSP，超越競爭FPGA。Stratix V FPGA系列已經(jīng)有8個型號開始量產(chǎn)
2012-05-14 12:38:53
第41屆年度GOMAC技術(shù)大會正在全面展開。每年都有數(shù)百名***和行業(yè)專業(yè)人士參加此次會議，討論***電子產(chǎn)品的內(nèi)容，內(nèi)容和內(nèi)容。有什么更好的方式逃離冬天，而不是聚集在佛羅里達(dá)州奧蘭多的奧蘭多溫德姆
2018-10-18 09:16:57
的充電?！ ∪涨埃螂娏?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)公司Intelligent Energy推出一款新式電源設(shè)備--Upp,此設(shè)備可用于多種便攜電子設(shè)備充電和供電的個人電源設(shè)備，對于要求最高、最耗電的智能手機(jī)，Upp依然能夠
2018-11-29 11:14:34
LXI超越GPIB PXI和VXI
2019-09-30 07:20:25
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
應(yīng)用處理器代工市場已是毫無敵手，可望直取英特爾SoFIA、蘋果A9大單。 臺積電今年全力沖刺20納米系統(tǒng)單芯片制程（20SoC）產(chǎn)能，由于已搶下蘋果A8處理器及高通、英特爾、NVIDIA等大單，不僅第
2014-05-07 15:30:16
以些許性能優(yōu)勢擊敗三星，并使其16nm工藝于隔年獨(dú)拿了Apple的A10處理器(iPhone 7)訂單。2017年，三星卷土重來，自主設(shè)計(jì)了10nm技術(shù)工藝的Exynos8895(名稱源于希臘單詞
2018-06-14 14:25:19
1月22日，Altera 在北京展示了號稱業(yè)界最全面的28nm 最新技術(shù)及強(qiáng)大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進(jìn)行了講解。
2019-08-21 07:37:32
介紹28 nm創(chuàng)新技術(shù)，超越摩爾定律
2012-08-13 22:26:08
伺服電機(jī)選型的標(biāo)準(zhǔn)是看電流還是轉(zhuǎn)矩？
現(xiàn)有一臺伺服電機(jī)：I0=10A，M0=9NM,Nn=3000rpm.
如果將其改為西門子1FK7伺服電機(jī)，選擇型號是：1fk7063-5af71-1ta0
是否可行，請指教！謝謝！
2023-12-25 06:06:52
%，Lam Research為10億美元，占臺積電采購額的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球僅有ASML一家公司掌握著EUV光刻機(jī)的核心技術(shù)，這也是5nm制程必需的設(shè)備，但EUV
2020-03-09 10:13:54
讓我們一起來開發(fā)一款前所未有的筆記本電腦吧。
超越蘋果
大家快來報(bào)名了！?。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。?！1
如果能成功，我就將它變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，一人送一臺。還可以創(chuàng)業(yè)哦！
各個系統(tǒng)的工程師們速度來搞起了。。。。。。。。。
2012-07-16 10:15:01
今天看見一個技術(shù)名稱叫技術(shù)節(jié)點(diǎn)40NM，小弟請教各位大神，在晶圓廠中關(guān)于光電軌道與光電工程之間的聯(lián)系，以及40NM的節(jié)點(diǎn)技術(shù)具體是指什么？？
2012-05-24 21:43:46
隨著可穿戴設(shè)備持續(xù)推動封裝與互連技術(shù)超越極限，業(yè)界專家指出，未來還將出現(xiàn)許多更有趣的可穿戴設(shè)備創(chuàng)新。 可穿戴設(shè)備是一個多元化的領(lǐng)域，“至少有十幾種不同的細(xì)分市場，”高通(Qualcomm)負(fù)責(zé)
2016-08-09 17:19:41
傳輸?shù)陌踩?。藍(lán)牙技術(shù)正以其特有的優(yōu)勢引起許多專家學(xué)者的廣泛關(guān)注?！ 鞲衅鹘Y(jié)構(gòu)模型 基于IEEE1451.2的有線網(wǎng)絡(luò)化傳感器結(jié)構(gòu)模型包含STIM、TII和NCAP三部分。而本
2012-04-16 15:03:23
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 23:22 編輯
實(shí)用新式電子設(shè)計(jì)400例
2012-08-18 11:13:51
`模電資料三節(jié)課福利大放送，詳情可添加管理員微信免費(fèi)領(lǐng)?。?**。另有6部模電+2部EMC教程正在眾籌，詳情戳：http://z.elecfans.com/273.html?elecfans_trackid=zx_lt。實(shí)用新式電子設(shè)計(jì)400例全新的電子設(shè)計(jì)電路`
2011-08-29 13:48:49
尋找480nm、520nm、2105nm、2155nm四個單波長接收傳感器，請求大蝦幫助。
2013-01-14 08:51:03
南亞科第二季營收將成長于5%，獲利有機(jī)會季增3~5成。南亞科及華邦電下半年旺值得注意的是，南亞科20奈米制程微縮順利，下半年8GB DDR4將進(jìn)入量產(chǎn)，年底前可望完成LPDDR4試產(chǎn)并進(jìn)入量產(chǎn)，屆時
2017-06-13 15:03:01
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設(shè)計(jì)中，采用硅襯底
2014-01-04 09:52:44
跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊
2023-06-15 08:57:31
本帖最后由 i2c 于 2014-9-1 17:35 編輯
在一類產(chǎn)品發(fā)售之前，還沒有一種半導(dǎo)體工藝像20 nm節(jié)點(diǎn)這樣引起這么大的爭議。爭論在于，節(jié)點(diǎn)是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法。它
2014-09-01 17:26:49
如何把故障保護(hù)偏置應(yīng)用于閑置總線？老式收發(fā)器與新式收發(fā)器的區(qū)別在哪里？
2021-05-24 07:03:57
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
S9S12G128的wafer有多少nm？
2023-05-24 07:38:27
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
mm9z1J638的wafer有多少nm？
2023-05-31 07:34:37
華為鴻蒙有可能超越安卓嗎？
2022-06-01 11:27:11
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 新式降壓轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)PWM升壓轉(zhuǎn)換器
Christian Schimpfl
2006-04-21 00:09:532727 中國32nm技術(shù)腳步漸近
32nm離我們還有多遠(yuǎn)？技術(shù)難點(diǎn)該如何突破？材料與設(shè)備要扮演何種角色？10月28日于北京舉辦的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)研討會即圍繞“32nm技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)
2009-11-02 15:59:47741 28nm器件三大創(chuàng)新，Altera期待超越摩爾定律
隨著TSMC 28nm全節(jié)點(diǎn)工藝即將量產(chǎn)，其合作伙伴Altera日前宣布了其產(chǎn)品線將轉(zhuǎn)向28nm節(jié)點(diǎn)的策略部署。據(jù)了解，TSMC 28nm全節(jié)點(diǎn)有
2010-02-05 08:53:361048 
在SEMICON West上另一個熱點(diǎn)是光刻技術(shù)能否達(dá)到15nm的經(jīng)濟(jì)制造?半導(dǎo)體業(yè)是有希望未來采用EUV技術(shù)。
2011-03-08 10:09:573110 麻省理工學(xué)院 (MIT)的研究人員表示，已經(jīng)開發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在芯片上寫入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達(dá)9nm，遠(yuǎn)小于原先所預(yù)期的尺寸
2011-07-12 09:01:371956 臺積電(TSMC)表示在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)以下，半導(dǎo)體制程微縮的最大挑戰(zhàn)來自于經(jīng)濟(jì)，并非技術(shù)。
2011-11-01 09:34:331679 IBM目前官方宣布已經(jīng)發(fā)展低于10nm以下的9nm制程電晶體技術(shù)，并以碳元素為主要材質(zhì)。
2012-02-09 09:50:301950 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項(xiàng)挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特徵尺寸的週期已然結(jié)束，我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困
2012-03-23 08:45:58994 
據(jù)臺灣媒體報(bào)道，臺積電（TSMC）預(yù)計(jì)會在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開與三星電子（
2012-07-18 09:44:331159 本白皮書介紹 Stratix V FPGA 是怎樣幫助用戶提高帶寬同時保持其成本和功耗預(yù)算不變。在工藝方法基礎(chǔ)上，Altera 利用 FPGA 創(chuàng)新技術(shù)超越了摩爾定律，滿足更大的帶寬要求，以及成本和功耗
2012-08-10 16:30:2033 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 ：賽靈思28nm，實(shí)現(xiàn)了超越一代的領(lǐng)先地位。其產(chǎn)品組合 All Programmable FPGA、SoC 和 3D IC 現(xiàn)已開始供貨；在性能、功耗和集成度上該產(chǎn)品組合有著重大突破；此外，
2012-09-28 17:23:17898 
根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個芯片上集成了上萬個9nm制程工藝的晶體管，相信大家對于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:361193 為確保全軍統(tǒng)一性與整齊劃一，軍委與四總部通知，自2013年5月1日起，全軍將統(tǒng)一啟動新式軍車牌號。新牌號號碼采用RFID電子標(biāo)簽技術(shù)，綜合采用信息防偽等6種防偽技術(shù)。
2013-04-28 10:45:562063 比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041526 新式、老式、電魚機(jī)、逆變器-電路大全，新式、老式、電魚機(jī)、逆變器-電路大全
2016-07-25 10:00:00156 976nm9W波長穩(wěn)定光纖耦合半導(dǎo)體激光器
2017-01-14 00:50:410 新式斜井提升防跑車裝置控制電路的研究
2017-01-18 20:39:134 基于CCopt引擎的SMIC40nm低功耗工藝CortexA9的時鐘樹實(shí)現(xiàn),該文基于 SMIC 40nm 低功耗工藝的 ARM Cortex A9 物理設(shè)計(jì)的實(shí)際情況，詳細(xì)闡述了如何使用 cadence 最新的時鐘同步優(yōu)化技術(shù)，又稱為 CCopt 技術(shù)來實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一的時鐘樹綜合和物理優(yōu)化。
2017-09-28 09:08:517 沃達(dá)豐宣布其正在試驗(yàn)一種新式無人機(jī)追蹤和控制技術(shù)，以便對無人機(jī)進(jìn)行空中交通管制，這在世界范圍內(nèi)尚屬首例。沃達(dá)豐這一創(chuàng)舉可保護(hù)飛機(jī)免遭災(zāi)難性事故，并防止機(jī)場、監(jiān)獄和醫(yī)院等敏感地區(qū)遭遇無意或有犯罪動機(jī)的無人機(jī)侵入。
2018-03-16 14:49:226112 本文透過對于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的 存取技術(shù) ，可望提升動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻與內(nèi)存的關(guān)聯(lián)性 提升供應(yīng)電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲器的頻率頻率。
2018-03-28 12:03:005022 
超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會
2018-06-05 13:45:004654 看看這些微縮模型，能買到銅或者鉛的話，也可以自己做一些。就是那個小燒杯一般人弄不出來，得會吹玻璃才行。
2018-08-06 16:41:034887 美國消費(fèi)性電子展盛大展開，法人指出，AMD執(zhí)行長蘇姿豐對 7nm 制程產(chǎn)品樂觀，臺系代工廠包含廣達(dá)與英偉達(dá)等，可望有機(jī)會受惠。
2019-01-10 16:35:512671 4月10日記者從武漢光電國家研究中心獲悉，該中心甘棕松團(tuán)隊(duì)采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠(yuǎn)場光學(xué)的辦法，光刻出最小9納米線寬的線段，實(shí)現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新。
2019-04-16 17:33:359740 諾貝爾化學(xué)獎得主德國科學(xué)家斯特凡·W·赫爾的超分辨熒光成像的基本原理，在沒有任何可借鑒的技術(shù)情況下，開拓了一條光制造新的路徑。
9nm線寬雙光束超衍射極限
2019-04-19 15:22:4026904 今年AMD確實(shí)大打翻身仗，7nm銳龍3000系列處理器讓AMD在CPU處理器的工藝上首次超越了Intel。而當(dāng)時Intel還在深耕14nm，好在最近Intel開始量產(chǎn)10nm工藝，而且7nm工藝也已經(jīng)走上正軌。
2019-09-08 09:45:531222 隨著時代的不斷變化發(fā)展，眾多以科技為背景的產(chǎn)業(yè)由此崛起，在改變了人們傳統(tǒng)生活方式的同時，也對國家和社會的發(fā)展起到了積極的促進(jìn)作用。
2019-11-20 16:49:4045480 如今的社會一直在不斷的發(fā)展之中，有許多互聯(lián)網(wǎng)作為背景的企業(yè)逐漸崛起，尤其是在通信領(lǐng)域這一方面，作為我國通信領(lǐng)域的巨頭企業(yè)的華為，在第五代通信技術(shù)領(lǐng)域上完美實(shí)現(xiàn)了彎道超車，目前已經(jīng)成功躋身進(jìn)入世界一流的前沿。
2019-11-28 15:26:5341657 據(jù)知名調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys公布的2019第三季度全球智能手機(jī)出貨量數(shù)據(jù)顯示，華為手機(jī)成功趕超蘋果，以19%的市場份額位居全球第二。
2019-12-03 16:29:0322787 2020年除了7nm顯卡之外，AMD的桌面銳龍、HEDT發(fā)燒處理器、服務(wù)器霄龍及筆記本銳龍APU四大產(chǎn)品線也會繼續(xù)升級，3款會上7nm+EUV工藝及Zen3架構(gòu)。AMD不斷加碼7nm工藝將使得他們在臺積電的7nm產(chǎn)能占比中首次超越蘋果、海思、高通而成為第一。
2020-01-03 08:59:163943 2020年除了7nm顯卡之外，AMD的桌面銳龍、HEDT發(fā)燒處理器、服務(wù)器霄龍及筆記本銳龍APU四大產(chǎn)品線也會繼續(xù)升級，3款會上7nm+EUV工藝及Zen3架構(gòu)。AMD不斷加碼7nm工藝將使得他們在臺積電的7nm產(chǎn)能占比中首次超越蘋果、海思、高通而成為第一。
2020-01-03 10:06:543347 考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。
2020-10-21 16:50:032780 
分析機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年中國的芯片制造產(chǎn)能可望超越美國，這是中國制造在10年前超越美國之后，在高端制造業(yè)上取得的一項(xiàng)偉大成就，當(dāng)然中國的芯片制造工藝技術(shù)還是落后于美國的。 美國今天的強(qiáng)盛得益于它一百多年來
2020-11-26 15:06:202584 本月中旬，在日本東京舉辦了ITF論壇。論壇上，與ASML（阿斯麥）合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。
2020-11-30 15:52:212287 Luc Van den hove并公布了3nm及以下制程的微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。截至目前，ASML 已經(jīng)布局了 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未來發(fā)展路線規(guī)劃。
2020-12-04 17:53:481709 FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。
2020-12-24 15:54:06927 上海頒布社區(qū)新式基礎(chǔ)辦法豎立動作安置 將激動5G、人為智能等新本領(lǐng)所有融入社區(qū)生存。 上海市1月7日頒布了《社區(qū)新式基礎(chǔ)辦法豎立動作安置》（以下簡稱《動作安置》），以深刻貫徹最新出臺的《上海市促成
2021-01-08 13:20:012863 近日，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。
2021-01-13 16:43:113432 你聽說過晶體管微縮嗎?晶體管微縮是什么情況?作為硬件工程師，不可不知。半導(dǎo)體行業(yè)中，“微縮(Scaling)”是一個經(jīng)
2021-04-28 09:49:273754 日美深化尖端芯片合作，旨在超越2nm技術(shù)，臺積電是 2 nm技術(shù)的領(lǐng)先開發(fā)者，而 IBM 也在 2021 年完成了原型。
2022-06-27 16:16:06886 之前IBM爆出了成功研制出2nm芯片的消息，而我國中科院也發(fā)布了成功攻克2nm關(guān)鍵技術(shù)的消息，那么到現(xiàn)在過了這么長時間，2nm芯片技術(shù)成功了嗎？ 目前2nm芯片技術(shù)可以說成功，也可以說還沒成功
2022-07-04 10:26:213279 據(jù)消息報(bào)道，全球前三大半導(dǎo)體廠排名大洗牌，據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights估計(jì)，臺積電第二季度營收超越英特爾，躍居全球第二位，預(yù)期第三季度可望再超越三星，將首度登上半導(dǎo)體龍頭寶座。
2022-09-13 09:45:121355 華邦電子認(rèn)為，對于NOR Flash而言，45nm很可能是最后一個技術(shù)節(jié)點(diǎn)了，與之相比，SLC NAND Flash還有制程微縮空間，在24nm之后，至少還可以進(jìn)一步微縮一代制程。
2023-01-31 09:51:474345 在其擴(kuò)展路線圖中，imec 為芯片技術(shù)的未來提出了一條替代路徑，在架構(gòu)、材料、晶體管的新基本結(jié)構(gòu)以及……范式轉(zhuǎn)變方面進(jìn)行了根本性的改變。到 2036 年，imec 路線圖將使我們從 7 nm 到 0.2 nm 或 2 ?ngstr?m，保持兩到兩年半的介紹速度。
2023-02-06 16:01:521790 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種新式抽油煙機(jī)的智能變頻技術(shù)研究.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-23 10:53:440 應(yīng)對傳統(tǒng)摩爾定律微縮挑戰(zhàn)需要芯片布線和集成的新方法
2023-12-05 15:32:501093 
在近日舉辦的 2024 年北美
技術(shù)研討會上，業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁張凱文發(fā)表講話稱：“盡管我們的 5
nm 和 4
nm 工藝尚未完全成熟，但從 N5 到 N4 的光學(xué)
微縮密度已提升 4%，且晶體管性能仍將持續(xù)加強(qiáng)?！?/div>
2024-04-26 14:35:433718 已全部加載完成
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