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電子發(fā)燒友網(wǎng)>EDA/IC設(shè)計(jì)>關(guān)于DDR3信號(hào)扇出和走線(xiàn)問(wèn)題解析

關(guān)于DDR3信號(hào)扇出和走線(xiàn)問(wèn)題解析

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扇出信號(hào)線(xiàn) (HFN) 是具有大量負(fù)載的信號(hào)線(xiàn)。作為用戶(hù),您可能遇到過(guò)高扇出信號(hào)線(xiàn)相關(guān)問(wèn)題,因?yàn)閷⑺胸?fù)載都連接到 HFN 的驅(qū)動(dòng)程序需要使用大量布線(xiàn)資源,并有可能導(dǎo)致布線(xiàn)擁塞。鑒于負(fù)載分散,導(dǎo)致進(jìn)一步增大信號(hào)線(xiàn)延遲,因此在高扇出信號(hào)線(xiàn)上也可能難以滿(mǎn)足時(shí)序。
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2014-07-24 11:11:216350

基于FPGA的DDR3多端口讀寫(xiě)存儲(chǔ)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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2015-04-07 15:52:1013985

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講解xilinx FPGA 使用mig IP對(duì)DDR3的讀寫(xiě)控制,旨在讓大家更快的學(xué)習(xí)和應(yīng)用DDR3。 本實(shí)驗(yàn)和工程基于Digilent的Arty Artix-35T FPGA開(kāi)發(fā)板完成。 軟件
2021-01-01 10:09:005268

一文探討DDR3內(nèi)存的具體特性和功能

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2021-02-09 10:08:0014491

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2022-12-01 10:24:032805

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以MT41J128M型號(hào)為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3,每個(gè)bank的大小為16Mbit,一共有8個(gè)bank。
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665x的DDR3配置

時(shí)鐘接口有兩個(gè)時(shí)鐘給DDR3控制器,一個(gè)時(shí)鐘是DDR3控制器的工作時(shí)鐘,一個(gè)是給DDR3的I/O接口。DDR3控制器的時(shí)鐘不可超過(guò)DSP的1/2,I/O接口的時(shí)鐘是DDR3的內(nèi)存時(shí)鐘。2.2. 信號(hào)
2018-01-18 22:04:33

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附件為DDR3線(xiàn)主要的規(guī)則介紹,有興趣的朋友可以下載看看,老手就不用了~
2019-03-08 20:37:44

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對(duì)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)化包括降低信號(hào)反射、過(guò)沖,確定匹配電阻的大小、線(xiàn)阻抗等,通過(guò)對(duì)無(wú)源器件的各種配置分析選取出最適合的參數(shù)配置。    圖1時(shí)鐘線(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(點(diǎn)擊查看大圖) ?。?)DDR3總線(xiàn)的差分時(shí)鐘分析
2014-12-15 14:17:46

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HI,我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb,由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps,因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06

DDR3布線(xiàn)的那些事兒

這篇帖子跟大家一起來(lái)討論下DDR3布線(xiàn)的那些事:DDR3的設(shè)計(jì)有著嚴(yán)格等長(zhǎng)要求,歸結(jié)起來(lái)分為兩類(lèi)(以64位的DDR3為例): 數(shù)據(jù) (DQ,DQS,DQM):組內(nèi)等長(zhǎng),誤差控制在20MIL以?xún)?nèi),組間
2016-10-28 10:25:21

DDR3的CS信號(hào)接地問(wèn)題

CPU的DDR3總線(xiàn)只連了一片DDR3,也沒(méi)有復(fù)用總線(xiàn)將DDR3的CS直接拉到地的話(huà),DDR3初始化不成功所以說(shuō)DDR3的CS信號(hào)是通過(guò)沿采樣的嗎,電平采樣不行?無(wú)法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36

DDR3的PCB設(shè)計(jì)指南

)GROUP F 中 CLK、CLKn 差分對(duì)的線(xiàn)長(zhǎng)誤差控制在 5mil 以?xún)?nèi);CLK/CLKn 不能短于任意一組 DATA/DM/DQS。3.線(xiàn)規(guī)則1)DDR3信號(hào)線(xiàn)必須有完整參考面,以保證
2019-09-20 09:05:04

DDR3設(shè)計(jì)與調(diào)試小結(jié)

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯 各位好!關(guān)于DDR3,之前有小結(jié)過(guò)如果進(jìn)行DDR3的SW leveling和進(jìn)行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時(shí),如果進(jìn)行DDR3的問(wèn)題定位,現(xiàn)小結(jié)一下,附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問(wèn)題,可在樓下跟帖討論。謝謝!
2018-06-21 04:01:01

ddr2和nand線(xiàn)

[size=14.3999996185303px]我有個(gè)ARM的板子,DDR2和NAND的數(shù)據(jù)線(xiàn)是復(fù)用的,這樣PCB線(xiàn)的時(shí)候,除了原來(lái)DDR2高速信號(hào)線(xiàn)阻抗和等長(zhǎng)以外,還需要特別注意什么嗎。NAND的線(xiàn)長(zhǎng)是不是不算入DDR2總的線(xiàn)長(zhǎng)中。
2016-10-10 17:09:28

關(guān)于ddr3等長(zhǎng)控制的8個(gè)問(wèn)題

多大?6:如果空間不足的情況下,地址跟地址的間距最小可以做多少,數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)間距可以做多少?地址可以跟數(shù)據(jù)同一層嗎?7:以上的等長(zhǎng)情況在頻率,控制芯片,ddr顆粒不同的情況下,同樣適用嗎?8:關(guān)于ddr3
2015-01-06 15:34:50

關(guān)于c6657 DDR3的問(wèn)題

自己畫(huà)的6657的板,發(fā)現(xiàn)DDR3初始化有問(wèn)題,初始化參數(shù)是按照芯片手冊(cè)來(lái)設(shè)置的,寫(xiě)數(shù)據(jù)進(jìn)去會(huì)出錯(cuò)。初步懷疑是DDR3布線(xiàn)問(wèn)題,請(qǐng)問(wèn)TI的大神們,6657對(duì)DDR3的布線(xiàn)有什么具體的要求嗎?或者是
2018-06-21 05:42:03

FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

(flight-time skew)來(lái)降低共同切換噪聲(SSN)。線(xiàn)擺率可以達(dá)到0.8tCK,這個(gè)寬度導(dǎo)致無(wú)法確定在哪兩個(gè)時(shí)鐘周期獲取數(shù)據(jù),因此,JEDEC為DDR3定義了校準(zhǔn)功能,它可以使控制器
2019-04-22 07:00:08

Gowin DDR3參考設(shè)計(jì)

本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計(jì)。Gowin DDR3 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載,參考設(shè)計(jì)可用于仿真,實(shí)例化加插用戶(hù)設(shè)計(jì)后的總綜合,總布局布線(xiàn)。
2022-10-08 08:00:34

PADS 兩片DDR3的數(shù)據(jù)線(xiàn)及地址線(xiàn)如何線(xiàn)

大家好,請(qǐng)問(wèn):在PADS 2007中,已經(jīng)對(duì)DDR3的數(shù)據(jù)線(xiàn),地址線(xiàn),及控制線(xiàn)做了分組設(shè)置, 現(xiàn)在要走線(xiàn)了,發(fā)現(xiàn)好難控制啊,應(yīng)該如何線(xiàn)???謝謝!
2013-07-03 09:19:02

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總結(jié)了DDRDDR2,DDR3三者的區(qū)別,對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
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2017-02-08 10:04:092134

ddr3的讀寫(xiě)分離方法有哪些?

DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品,DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。最開(kāi)始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝,管腳露在芯片兩側(cè)的,測(cè)試起來(lái)相當(dāng)方便;但是,DDRII和III就不一樣了,
2017-11-06 13:44:109412

ddr3ddr4的差異對(duì)比

DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì),各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5155968

ddr4和ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:2332470

SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對(duì)比及其特點(diǎn)分析

DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4928010

基于FPGA的DDR3多端口讀寫(xiě)存儲(chǔ)管理的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個(gè)端口訪(fǎng)問(wèn)DDR3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)沖突,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲(chǔ)管理系統(tǒng)。DDR3存儲(chǔ)器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器,只需通過(guò)用戶(hù)接口信號(hào)就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:257989

基于FPGA的DDR3協(xié)議解析邏輯設(shè)計(jì)

針對(duì)采用DDR3接口來(lái)設(shè)計(jì)的新一代閃存固態(tài)盤(pán)(SSD)需要完成與內(nèi)存控制器進(jìn)行通信與交互的特點(diǎn),提出了基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列( FPGA)的DDR3協(xié)議解析邏輯方案。首先,介紹了DDR3內(nèi)存工作原理
2017-12-05 09:34:4410

AM335x的DDR3軟硬件設(shè)計(jì)相關(guān)資源及這些注意事項(xiàng)的詳細(xì)中文概述

性能和成本達(dá)到最佳收益的選擇,就是在布線(xiàn)方面,DDR3需要注意的問(wèn)題比DDR2就略多。這里對(duì)AM335x關(guān)于DDR3的軟硬件設(shè)計(jì)資源以及這些注意事項(xiàng)做一個(gè)簡(jiǎn)單匯總
2018-04-24 16:08:2018

Stratix III FPGA的特點(diǎn)及如何實(shí)現(xiàn)和高速DDR3存儲(chǔ)器的接口

和Stratix III FPGA的接口。 Stratix III FPGA: 具有強(qiáng)大的DDR3寫(xiě)調(diào)平功能,實(shí)現(xiàn)和高速DDR3存儲(chǔ)器的接口。 提供I/O電路,能夠更靈活地支持現(xiàn)有以及新興的高速外部存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)。 保持高速數(shù)據(jù)速率時(shí)的最佳信號(hào)完整性
2018-06-22 02:04:004421

簡(jiǎn)述 Cyclone 10 GX DDR3 設(shè)計(jì)的步驟

Cyclone 10 GX DDR3 示例設(shè)計(jì)的步驟
2018-06-20 00:12:006906

DDR2與DDR的區(qū)別,DDR3DDR2的區(qū)別

突發(fā)長(zhǎng)度,由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定位8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個(gè)
2018-06-21 09:20:5416120

DRAM開(kāi)始松動(dòng),連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先

繼儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格跌之后,原本報(bào)價(jià)尖挺的DRAM也開(kāi)始松動(dòng),其中,連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先跌,臺(tái)灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品,將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:144337

基于Digilent介紹DDR3和mig

我們通過(guò)Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量,封裝,速度等級(jí)等信息。
2019-03-03 11:04:152626

基于DDR3內(nèi)存的PCB仿真設(shè)計(jì)

DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分,都采用源同步時(shí)序,即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率,最高可達(dá)1866Mbps;DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù),明顯提高了存儲(chǔ)帶寬;其工作電壓為1.5V,保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:232336

關(guān)于簡(jiǎn)單高效解決DDR3電源供電問(wèn)題的分析和介紹

NB685簡(jiǎn)約而不簡(jiǎn)單,只需要簡(jiǎn)單而又不占太大空間的外部電路,即可有效地控制供電電壓,使其能夠?yàn)橹T如DDR3, DDR3L, LPDDR3, DDR4等內(nèi)存供電。并且輸出電壓可調(diào)節(jié),只要微調(diào)外部電路即可。
2019-10-11 15:30:3719137

DDR3DDR4的設(shè)計(jì)與仿真學(xué)習(xí)教程免費(fèi)下載

DDR3 SDRAM是DDR3的全稱(chēng),它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì),與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000

DDRDDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDRDDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了:一、DDR的布線(xiàn)分析與設(shè)計(jì),二、DDR電路的信號(hào)完整性,三、DDR Layout Guide,四、DDR設(shè)計(jì)建議,六、DDR design checklist,七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000

DDR3備受輕薄本板載內(nèi)存青睞 DDR3有何優(yōu)勢(shì)

從成本的角度來(lái)看,DDR3也許的確要比DDR4低一些,所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:235268

針對(duì)DDR2和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)介紹

本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在PCB設(shè)計(jì)時(shí),考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng),這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。 文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù),特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù),其中
2021-03-25 14:26:015336

一張表總結(jié)常規(guī)DDR3線(xiàn)設(shè)計(jì)資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供一張表總結(jié)常規(guī)DDR3線(xiàn)設(shè)計(jì)資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-04 08:47:0723

模擬DDR3的地址信號(hào)與時(shí)鐘信號(hào)資料下載

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2021-04-12 08:45:0523

關(guān)于Virtex7上DDR3的測(cè)試?yán)淘斀?/a>

lattice DDR3 IP核的生成及調(diào)用過(guò)程

本文以一個(gè)案例的形式來(lái)介紹lattice DDR3 IP核的生成及調(diào)用過(guò)程,同時(shí)介紹各個(gè)接口信號(hào)的功能作用
2022-03-16 14:14:192713

DDR3內(nèi)存或退出市場(chǎng)三星等大廠(chǎng)計(jì)劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠(chǎng)都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長(zhǎng)達(dá)15年,因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái),即便退出市場(chǎng)也不會(huì)
2022-04-06 12:22:566223

Virtex7上DDR3的測(cè)試?yán)?/a>

基于高云半導(dǎo)體FPGA的DDR2/DDR3硬件設(shè)計(jì)參考手冊(cè)

本手冊(cè)以 DDR3 器件為例講解硬件設(shè)計(jì)方法,包括 FPGA I/O 分配、原 理圖設(shè)計(jì)、電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、PCB 線(xiàn)、參考平面設(shè)計(jì)、仿真等,旨在協(xié)助用 戶(hù)快速完成信號(hào)完整性好、低功耗、低噪聲的高速存儲(chǔ)方案的硬件設(shè)計(jì)。
2022-09-15 10:31:3615

FPGA學(xué)習(xí)-DDR3

一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱(chēng)double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:055150

信號(hào)完整性之反射(五)

有些設(shè)計(jì)中可能是三個(gè)或者更多芯片在同一個(gè)信號(hào)鏈路上,按照f(shuō)lyby拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)布局。如下圖是一顆SOC和3DDR3的PCB布局設(shè)計(jì)。因?yàn)槿wDDR3的ADD是共用一組來(lái)自SOC的信號(hào)線(xiàn),因此只有ADD
2023-04-15 16:07:502094

關(guān)于DDR3設(shè)計(jì)思路分享

DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38936

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:473

基于AXI總線(xiàn)的DDR3讀寫(xiě)測(cè)試

本文開(kāi)源一個(gè)FPGA項(xiàng)目:基于AXI總線(xiàn)的DDR3讀寫(xiě)。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶(hù)接口的讀寫(xiě)方式:《DDR3讀寫(xiě)測(cè)試》,如果在某些項(xiàng)目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線(xiàn)上,那就要通過(guò)MIG IP核提供的AXI接口來(lái)讀寫(xiě)DDR。
2023-09-01 16:20:377275

基于FPGA的DDR3讀寫(xiě)測(cè)試

本文介紹一個(gè)FPGA開(kāi)源項(xiàng)目:DDR3讀寫(xiě)。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)操作。
2023-09-01 16:23:193353

闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法

DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。
2023-10-18 16:03:561889

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:0013842

如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3DDR4內(nèi)存區(qū)別

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3DDR4是目前市場(chǎng)上最常
2024-11-20 14:24:2211366

三大內(nèi)存原廠(chǎng)或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4

據(jù)報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468

AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧

的講解數(shù)據(jù)線(xiàn)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線(xiàn)T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線(xiàn)線(xiàn)T型線(xiàn)等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124

AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧

本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線(xiàn)等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線(xiàn)、控制信號(hào)線(xiàn)等長(zhǎng)設(shè)計(jì),因?yàn)榈刂?b class="flag-6" style="color: red">線(xiàn)、控制信號(hào)線(xiàn)有分支,SOC有可能帶有2片DDR或者更多,我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512

DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:014

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