LM5027提供一個限流重新起動時段去禁止輸出。并強制其延遲重新起動，如果重復檢測到了限流條件，將有數(shù)個逐個周期式限限流動作，此時去觸發(fā)重新起動，其采用在RES端放一個電容來實現(xiàn)，在每個PWM周期內(nèi)，LM5027從RES端或者源出或者漏入電流，如果沒有限流條件檢出。漏入5μA電流將RES端電平拉到GND。如果檢出限流條件，則禁止此5μA漏入電流，而是源出22μA電流使RES端電壓大幅增加。如果RES端電壓達到1V閾值，就出現(xiàn)下面的重新起動過程：

　　◇SS和SSSR電容全部放電。

　　◇RES 20μA電流源關斷，5μA電流源開啟。

　　◇RES端電壓允許充到4V。

　　◇當RES端電壓達到4V時，5μA電流源關斷，5μA電流漏開啟。RES端電容電壓下降到2V。

　　◇RES電容電壓在2V和4V之間往返八次。

　　◇當次數(shù)到八次時，RES端電壓拉下，軟起動電容被釋放，開始軟起動程序。SS電容電壓慢慢增加，當SS端電壓達到1V時，PWM比較器將產(chǎn)生第一個窄脈沖在OUTA處。

　　◇當SS端電壓達到4.0V時，SSSR端被釋放，以25μA電流源充電。同步整流器軟起動進入運轉(zhuǎn)期。

　　◇如果過載條件在重新起動后仍存在。逐個周期式限流又將開始，并增加RES端的電容電壓，重新進入打嗝模式。

　　◇如果過載條件在重新起動后，沒有延長，則RES端將幫助以5μA電流漏放電到GND，恢復正常工作。

　　2.5 軟起動

　　軟起動電路允許穩(wěn)壓器逐漸增加輸出電壓一直到穩(wěn)態(tài)工作點。因此減少了起動應力和浪涌電流，當偏置源給LM5027供電時，SS端電容由內(nèi)部MOSFET放電。當UVLO、OTP、VCC和RES端達到工作閾值后，軟起動電容被釋放。開始以22μA電流源充電。當SS端電壓達到1V時，輸出脈沖命令以慢慢增加占空比的方式給出，SS端電壓最后達到5V。PWM比較器上的電壓由所需的電壓限制。其由COMP端的反饋環(huán)電壓決定。當軟起動電壓達到4.0V時。SSSR端的電容釋放并以25μA電流源充電。當SSSR端電壓達到大約2.5V時，內(nèi)部同步整流器的PWM電路逐漸增加同步整流器的占空比(OUTSR)。此占空比正比于SSSR端的電壓。延遲的SSSR柵驅(qū)動脈沖直到主電路軟起動完成之后才允許輸出電壓達到調(diào)整值。這個延遲可以防止同步整流器從輸出端漏進電流。

　　2.6 軟關斷

　　如果UVLO端電壓降到待機閾值2.0V以下，但還可以高于0.4V的關短閾值，同步整流的軟起動電容以20μA電流源放電，這樣禁止了同步整流器。在SSSR電容放電到2.0V后，軟起動和同步整流迅速放電到GND電平。終止PWM脈沖于OUTA、OUTB和OUTSR處，PWM脈沖在SSSR電壓減小時停止。如果VCC或REF電壓降到給定電壓以下。即開始軟關斷程序。

　　2.7 外部過熱保護

　　在REF、OTP和AGND之間用電阻分壓器設置一個點，如圖2所示。這即是一種過熱保護的方法。熱敏電阻NTC放在分壓器的低處。分壓器必須設計成過熱時在OTP端為1.25V以下。OTP的窗口由內(nèi)部20μA電流源完成。其開或關都會進入外部的分壓器。當OTP端電壓超過1.25V時。電流源激活，迅速令OTP端電壓上升。當OTP端電壓低于1.25V時。電流源關斷。會使OTP端電壓迅速下降。當降到1.25V以下時。LM5027將通過軟關斷方式停止工作。

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　　2.8 PWM比較器

　　脈寬調(diào)制器比較器比較RAMP端的電壓斜波和環(huán)路反饋的誤差信號。環(huán)路誤差信號從隔離電路反饋接收。其由光耦中的NPN晶體管加一支5K電阻接于5V基準電壓處取得。在PWM輸入處約1V電平。光耦直接接于REF和COMP之間。因為COMP端為電流鏡輸入?？邕^光耦的檢測器接近恒定。帶寬限制了相位延遲。PWM比較器的極性使之沒有電流進入COMP端。控制器此刻在OUTA處產(chǎn)生最大占空比。

　　2.9 前饋斜波

　　外部電阻REF和電容CFF接于VIN、AGND間。RAMP端需要建立一個PWM斜波信號，如圖3。信號斜率在RAMP端會產(chǎn)生變化。其正比于輸入電

　　壓。這種變化的斜率提供了線路前饋信息，可以改善電壓控制型的瞬態(tài)響應。RAMP信號與脈寬調(diào)制器比較誤差信號，使導通時間與輸入電壓成反比。穩(wěn)定變壓器的伏秒積比傳統(tǒng)電壓形控制有很大改進。結(jié)果反饋環(huán)僅僅需要很小的校正去應對大的輸入電壓變化。在每個時鐘周期結(jié)束時，IC內(nèi)一個10Ω的RSDON的小MOSFET使能，去將Gff電容復位到GND電平。

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　　2.10 伏秒積鉗制

　　外部一支電阻REF和一個電容CFF連接于VIN，RAMP和AGND之間。需要建立一個鋸齒調(diào)制斜波信號，見圖3。RAMP的斜率變化正比于輸入電壓，并改變PWM斜波的斜率。其與輸入電壓提供的線路前饋信息成反比，用此改善電壓控制型的瞬態(tài)響應。用一個恒定的誤差信號令導通時間的變化與輸入電壓成反比，以此穩(wěn)定變壓器初級的伏秒積。

　　伏秒積箝制比較斜波信號和固定的2.5V基準。合適地選擇RFF和CFF，主開關的最大導通時間可以按照所需要的區(qū)間來設置，以便在200k Hz 18V線路電壓時實現(xiàn)90%的占空比。200kHz頻率及90%占空比需要4.5μs的導通時間。在18V輸入時，伏秒積為81μs(18V×4.5μs)來實現(xiàn)這個箝制水平。

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　　選擇CFF=4.70pF，則RFF=68.9kΩ。

　　推薦電容值，應對CFF為100～1000pF。CFF斜波電容在每個周期結(jié)束時由內(nèi)部開關放電。此開關可以接到PWM比較器或CS比較器，或者伏秒箝制比較器。

　　2.11 振蕩器及外同步能力

　　LM5027的振蕩器頻率由外部電阻設置。其接于RT端和AGND之間。為了設置需要的振蕩器頻率。RT電阻用下式計算：

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　　例如要200kHz頻率，則RT=27.4kΩ，RT電阻要緊靠IC。直接接于RT與AGND端。外部電阻的偏差和頻率的偏差必須在電氣特性之內(nèi)。LM50 27可以同步到外部時鐘，加一個窄脈沖到RT端即可。外部時鐘頻率至少要高于自由運轉(zhuǎn)頻率10%。如果外時鐘頻率低于RT決定的頻率，LM50 27將不會去同步。外同步脈沖要經(jīng)過一支100pF電容接到RT端，脈寬要15～150ns。當同步脈沖傳輸從低電平到高電平時(上升沿)RT端電壓必須超過3.2V。在時鐘信號為低電平時，RT端的電壓將箝在2V，RT端穩(wěn)壓器的內(nèi)阻大約100Ω。RT端的電阻總是要接入的，無論是自由振蕩還是外同步。