（文章來源：極客視界）

SSD以及閃存產(chǎn)品存儲(chǔ)技術(shù)的升級(jí)是贏取市場(chǎng)先機(jī)的利器，這場(chǎng)激烈的存儲(chǔ)大廠技術(shù)角逐戰(zhàn)能為我們帶來怎樣的答案？

對(duì)于全球閃存行業(yè)來說，如果存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)侵圃焐痰闹鲬?zhàn)場(chǎng)，存儲(chǔ)介質(zhì)就是決勝未來市場(chǎng)的關(guān)鍵。在云端、人工智能、5G快速落地的如今，我們的世界正邁向一個(gè)ZB級(jí)的數(shù)據(jù)時(shí)代，在數(shù)據(jù)大爆炸的新興邊緣，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)架構(gòu)、以及存儲(chǔ)密度都面臨著巨大的挑戰(zhàn)。在如此趨勢(shì)下，存儲(chǔ)企業(yè)重心都集中在能實(shí)現(xiàn)更大容量和更強(qiáng)性能的SSD上。

每一年的CFMS盛會(huì)，我們都能夠從新產(chǎn)品的發(fā)布中感受著閃存技術(shù)更迭換代，目前市場(chǎng)上，閃存NAND顆粒共分為四種類型，從高到低分別為SLC、MLC、TLC、QLC. 閃存顆粒在SSD中扮演著重要的角色，對(duì)性能有著主心骨的作用，成為存儲(chǔ)廠家的必爭(zhēng)之地。

西部數(shù)據(jù)是一家專注于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)開發(fā)與創(chuàng)新的美國(guó)公司，在硬盤存儲(chǔ)和閃存技術(shù)具有業(yè)內(nèi)公認(rèn)的核心競(jìng)爭(zhēng)力，QLC閃存作為最新的閃存類型，實(shí)然是3D NAND層數(shù)遞增遇到瓶頸的解決方案。我們都知道現(xiàn)在的3D NAND閃存，從24層到48層到96層發(fā)展到以后的100多層，在技術(shù)之巔，從來不缺少西部數(shù)據(jù)的身影。

西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布的第四代96層3DNAND，將于2018年Q3搶先進(jìn)入量產(chǎn)，F(xiàn)ab工廠每天產(chǎn)量可達(dá)8500片晶圓。先期以96層TLC 245Gb/512Gb為主，Q4開始量產(chǎn)96層QLC 1Tb。但都只能成為一個(gè)線性的密度增加，其實(shí)他并沒有從根本上增加存儲(chǔ)密度。而QLC閃存顆粒每單元可以存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)，是SLC的4倍、MLC的2倍、TLC的1.33倍，它大幅度的提高了存儲(chǔ)密度，它有效地控制了存儲(chǔ)的成本，而且有著很高效的讀取性能。

從SLC、MLC到每單元3比特的TLC，再到目前每個(gè)存儲(chǔ)孔可達(dá)422比特每單元的QLC，西部數(shù)據(jù)在研究閃存介質(zhì)的路上創(chuàng)新不止，QLC能夠?qū)崿F(xiàn)了更深度的存儲(chǔ)密度擴(kuò)展，成本也得到了控制。所以無論是從經(jīng)濟(jì)角度還是存儲(chǔ)密度角度而言，QLC閃存都是未來發(fā)展大容量SSD的最佳選擇。

其實(shí)在上一屆CFMS的時(shí)候，全球首款QLC閃存已經(jīng)被研發(fā)出來并帶來產(chǎn)品亮相，但是因其在寫放大和擦寫次數(shù)方面有嚴(yán)重的局限性而飽受詬病。面對(duì)QLC閃存壽命的限制，固態(tài)硬盤的下一個(gè)突破口何處可尋？

西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部副總裁朱海翔在對(duì)ZB生態(tài)深度解析時(shí)表示：“令人欣慰的是，如果解決產(chǎn)品的寫入限制問題，QLC產(chǎn)品可以經(jīng)濟(jì)高效地實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度的深度擴(kuò)展。西部數(shù)據(jù)的分區(qū)存儲(chǔ)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)QLC寫入壽命損失的有效管理、同時(shí)大幅提升產(chǎn)品耐久性，進(jìn)而詮釋系統(tǒng)存儲(chǔ)效益最大化和數(shù)據(jù)中心TCO的最優(yōu)化。”

在本次CFMS上，西部數(shù)據(jù)展現(xiàn)了分區(qū)存儲(chǔ)技術(shù)在SSD產(chǎn)品上的創(chuàng)新沿用——Zoned Namespaces（ZNS）SSDs。分區(qū)命名空間是 NVMe 標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)展。借助這項(xiàng)技術(shù)，西部數(shù)據(jù)能夠提供與 HHD 分區(qū)類似的固態(tài)硬盤，從而允許將所有存儲(chǔ)（無論是 HDD，還是固態(tài)硬盤）視作一種技術(shù)。Zoned Storage Initiative 在分離環(huán)境中利用 SMR 和 ZNS 技術(shù)、開源標(biāo)準(zhǔn)和專用計(jì)算。

相較于傳統(tǒng)的NVMe SSD，ZNS NVMe SSD具備多種優(yōu)勢(shì)，首先就是總體擁有成本的降低，另外，ZNS NVMeSSD可以和計(jì)算資源更好地進(jìn)行匹配，用名為“分區(qū)命名空間”的配套技術(shù)來存儲(chǔ)和檢索信息，而之前的寫入限制通過分區(qū)存儲(chǔ)技術(shù)也變成寫入管理，實(shí)現(xiàn)了在不犧牲性能的情況下提高存儲(chǔ)容量。

在踏入QLC時(shí)代的路上，西部數(shù)據(jù)儼然已是先行者的姿態(tài)，以分區(qū)存儲(chǔ)技術(shù)為將來成功實(shí)現(xiàn)大型云數(shù)據(jù)中心規(guī)?；夭渴餛LC打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，這無疑是在存儲(chǔ)行業(yè)選擇題之上另辟新路徑，為隨之而來的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)挑戰(zhàn)準(zhǔn)備就緒。