POS終端采用多種類型的存儲(chǔ)器：用于非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的閃存，用于高速緩存的DRAM，以及用于微控制器存儲(chǔ)擴(kuò)展和電池備份配置數(shù)據(jù)日志的SRAM。有時(shí)甚至?xí)褂靡粋€(gè)外置的MMC。圖1顯示了一個(gè)典型POS
2018-12-14 14:47:08
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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:185523 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:022740 
這幾種存儲(chǔ)器的共同特點(diǎn)其實(shí)是掉電后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失，所以可以歸類為非易失性存儲(chǔ)器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
存儲(chǔ)器，儲(chǔ)存能夠保存更大的數(shù)據(jù)量，每位元組的成本也更低。一般來說，儲(chǔ)存的成本大約比存儲(chǔ)器更低20倍?！ 〔煌?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的是，儲(chǔ)存裝置還可以進(jìn)一步分類為線上或離線。圖1顯示存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存的主要特性
2017-07-20 15:18:57
存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長期保存?！ ?、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長期保存?！ ?、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)上述帶寬信息為存儲(chǔ)器的類型時(shí)，若上述存儲(chǔ)器的類型為高速存儲(chǔ)器，例如SSD，則存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器處理數(shù)據(jù)的速率較快；若為低速存儲(chǔ)器，例如HHD，存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器其處理速率
2019-11-15 15:44:06
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2018-10-22 10:20:57
數(shù)據(jù)采集中所用的ADC最高采樣率已達(dá)到幾百M(fèi)SPS甚至幾十GSPS的水平,這就要求采樣數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的速度也要與之匹配,也就是采用高速緩存:二是大容量,其原因是高速數(shù)據(jù)采集會(huì)產(chǎn)生巨大的數(shù)據(jù)流。所以,通常需要
2016-04-16 08:42:22
在測量技術(shù)中，高速數(shù)字?jǐn)z像機(jī)所拍攝到的大量數(shù)字圖像需要高速、大容量的圖像存儲(chǔ)設(shè)備來實(shí)時(shí)快速地存儲(chǔ)。用傳統(tǒng)的磁帶方式來記錄數(shù)據(jù)，其效率和安全性不高；靜態(tài)存儲(chǔ)器讀寫方便，但是存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)因斷電而丟失
2019-08-07 08:20:48
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
（最初宣布推出的器件為 512KB 或 1MB）。此外，該存儲(chǔ)器也可配置為全高速緩存、全存儲(chǔ)器映射 SRAM（默認(rèn)），或是 32、64、128、256 或 512KB 四路集關(guān)聯(lián)高速緩存選項(xiàng)的組合。 至
2011-08-13 15:45:42
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
設(shè)備。一些帶 DDR 存儲(chǔ)器的設(shè)備實(shí)例包括：服務(wù)器、PC、平板電腦、智能手機(jī)、GPS、汽車導(dǎo)航、電視、AV 接收器、電子閱讀器、IP 電話以及數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等。由于 DDR 用處如此廣泛，因此應(yīng)用和要求也會(huì)
2022-11-23 07:15:34
比較短的情況下，都會(huì)考慮使用SRAM，這已經(jīng)成為一個(gè)常識。歷史上SRAM存儲(chǔ)器芯片市場曾經(jīng)幾度起伏，大多數(shù)時(shí)候整個(gè)存儲(chǔ)器芯片市場需求量會(huì)因?yàn)橐粋€(gè)新的SRAM應(yīng)用而暴漲。
2020-12-10 16:44:18
采取包緩沖器來提高處理能力，除了上面提及到的以外，隨著系統(tǒng)中存儲(chǔ)器資源的增加，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)分配也是必需的，路由器或者交換機(jī)的這些附加功能正在重新定義這網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 具有更多新功能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng) 并隨著
2017-06-02 10:45:40
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
隨著語音、數(shù)據(jù)、視頻流的逐漸融合，下一代網(wǎng)絡(luò)(NGN)設(shè)計(jì)和新的寬帶平臺(tái)必須能在嚴(yán)格的帶寬和時(shí)延條件下提供更強(qiáng)的系統(tǒng)性能。而RLDRAM II存儲(chǔ)器采用專門針對高速運(yùn)算進(jìn)行優(yōu)化的8個(gè)內(nèi)存組(Bank
2009-10-08 15:45:38
時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器?！ 。?）只讀存儲(chǔ)器（ROM）特點(diǎn)：只讀存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM
2020-12-25 14:50:34
上的電荷來存儲(chǔ)信息，一旦掉電信息會(huì)全部的丟失，由于柵極會(huì)漏電，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新，所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-05-19 15:59:37
總線換向時(shí)間最小化并進(jìn)一步
提高存儲(chǔ)器帶寬。 更高帶寬的數(shù)據(jù)緩沖分配 來自視頻源1的數(shù)據(jù)可通過FIFO讀取并
存儲(chǔ)到DDR3
存儲(chǔ)器中的Bank 1。這將是一個(gè)只寫操作，可以使用突發(fā)模式來
保持傳輸?shù)母咝?/div>
2019-05-27 05:00:02
。SOPC Builder中的片上存儲(chǔ)器是唯一能夠與Nios II內(nèi)核上的緊耦合主端口相連接的存儲(chǔ)器，而且，該片上存儲(chǔ)器必須配置為RAM，同時(shí)處理器上的緊耦合主端口也必須只與一個(gè)片上存儲(chǔ)器從端口相連接。每個(gè)緊
2018-12-07 10:27:46
本人新手，需要構(gòu)建一個(gè)使用大量SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用，求指點(diǎn)，具體需求如下：需要大量的高速存儲(chǔ)，只能使用SRAM才能滿足要求，計(jì)劃使用10塊8M的片外SRAM。目前我已學(xué)會(huì)基本的知識（看完芯航線
2019-08-07 15:25:58
如何用低成本FPGA解決高速存儲(chǔ)器接口挑戰(zhàn)？
2021-04-29 06:59:22
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口？怎么縮短高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)？
2021-04-29 07:00:08
高速緩存作為中央處理器 (CPU) 與主存之間的小規(guī)?？焖?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器，解決了兩者數(shù)據(jù)處理速度的平衡和匹配問題，有助于提高系統(tǒng)整體性能。多處理器 (SMP) 支持共享和私有數(shù)據(jù)的緩存，Cache 一致性
2021-02-23 07:12:38
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽俊踩牟僮?，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
諸如密度，性能，封裝及接口在系統(tǒng)級性能方面均發(fā)揮重要作用。因?yàn)橄到y(tǒng)設(shè)計(jì)者現(xiàn)有的不同類型存儲(chǔ)器，根據(jù)高水平的系統(tǒng)和應(yīng)用元件的不同需求而分割存儲(chǔ)器子系統(tǒng)是可行的。在某些情況下，超高速緩存可以合理的實(shí)現(xiàn)性能
2018-05-17 09:45:35
隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對它進(jìn)行讀寫操作，但當(dāng)電源斷開時(shí)，存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同，主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2022-11-17 16:58:07
請幫忙用用Matlab編程計(jì)算K-L信息量法，K-L信息量法的計(jì)算公式如圖所示，需要計(jì)算X從-12階到+12階的最小K-L信息量，以及對應(yīng)的滯后階數(shù)，非常感謝，畢業(yè)論文急求，有償感謝，因?yàn)槭切率?，沒有積分
2019-03-14 22:46:55
（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用
2020-05-07 15:56:37
。RAM類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
。RAM類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
同等程度以上的高速隨機(jī)存取性。因?yàn)閷懭瞬僮?b class="flag-6" style="color: red">也采用了隧道方式，所以較小的寫入電流就可完成寫人操作。又因數(shù)據(jù)置換所需要的高電壓升壓電路可以設(shè)計(jì)于芯片內(nèi)部，因此可以進(jìn)行低電壓的單一電源操作。AND閃速存儲(chǔ)器
2018-04-09 09:29:07
4.2 主存儲(chǔ)器4.3 高速緩沖存儲(chǔ)器4.4 輔助存儲(chǔ)器
主存的基本組成
2009-04-11 09:34:52
0 根據(jù)現(xiàn)有的有關(guān)Fisher信息量的結(jié)論，通過逆危險(xiǎn)率函數(shù)，推出了Fisher信息量的一種表達(dá)式，給出了一個(gè)被截尾的隨機(jī)變量所保留的Fisher信息量和丟失的Fisher信息量的表達(dá)式，通過這
2009-05-25 21:56:4018 近年來隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展，人們對存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量和傳輸速率等性能的要求越來越高?；趯Υ?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)容量的要求，出現(xiàn)了海量存儲(chǔ)技術(shù)，因而包括光盤存儲(chǔ)在內(nèi)的光信息存
2010-07-26 12:49:3725 存儲(chǔ)器的分類
內(nèi)部存儲(chǔ)器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
動(dòng)、靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器RAM的基本存儲(chǔ)單元與芯片
2010-11-11 15:35:2267 滿足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它
2010-02-04 09:35:34838 
高速緩沖存儲(chǔ)器部件結(jié)構(gòu)及原理解析
高速緩存 CACHE用途 設(shè)置在 CPU 和 主存儲(chǔ)器之間，完成高速與 CPU交換信息，盡量避免 CPU不必要地多次直
2010-04-15 11:18:505035 近年來，隨著節(jié)能化的發(fā)展趨勢，不僅車載、工業(yè)設(shè)備，幾乎在所有應(yīng)用中均要求實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的低電壓化。同時(shí)，隨著高性能化發(fā)展，數(shù)據(jù)量日益增加，還要求更高速地將信息讀取/寫入到存儲(chǔ)器。
2016-02-23 15:12:461567 基于FPGA的高速固態(tài)存儲(chǔ)器優(yōu)化設(shè)計(jì)_楊玉華
2017-01-13 21:40:361 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3022518 15.3 高速緩沖存儲(chǔ)器Cache 當(dāng)?shù)谝淮鶵ISC微處理器剛出現(xiàn)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器元件的速度比當(dāng)時(shí)微處理器的速度快。很快，半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)展被用來提高微處理器的速度。標(biāo)準(zhǔn)DRAM部件雖然也快了一些
2017-10-17 16:36:211 存儲(chǔ)器（Memory）是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器；在集成電路中，一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器，如RAM、FIFO等
2017-12-06 15:00:4219096 
許多 FPGA 設(shè)計(jì)都采用高速存儲(chǔ)器接口，可能調(diào)試比較困難，不過只要采用正確的方法就能成功進(jìn)行調(diào)試。 現(xiàn)代 FPGA 通常連接高速 SRAM 和 SDRAM 存儲(chǔ)器 。要確保這種器件無差錯(cuò)運(yùn)行，調(diào)試
2018-01-12 11:48:441662 
汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2018-04-25 05:16:002015 
綜合考慮信息量度量的速度、性能要求，提出了相適應(yīng)的顯著圖、多特征融合模型；基于區(qū)域劃分融入空間關(guān)系，提出了分塊信息熵的圖像信息量度量方法（SEII）;構(gòu)建了信息量度量的標(biāo)注數(shù)據(jù)集，并設(shè)計(jì)了性能驗(yàn)證
2018-02-24 15:30:411 存儲(chǔ)器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003740 和Stratix III FPGA的接口。
Stratix III FPGA：
具有強(qiáng)大的DDR3寫調(diào)平功能，實(shí)現(xiàn)和高速DDR3存儲(chǔ)器的接口。
提供I/O電路，能夠更靈活地支持現(xiàn)有以及新興的高速外部存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)。
保持高速數(shù)據(jù)速率時(shí)的最佳信號完整性
2018-06-22 02:04:004421 目前存儲(chǔ)器接口經(jīng)常要求時(shí)鐘速度超過200MHz以滿足線卡和交換卡的吞吐量要求，這是FPGA架構(gòu)的主要挑戰(zhàn)。PLL是基本的允許控制時(shí)鐘數(shù)據(jù)關(guān)系的部件。
2019-06-11 08:04:007554 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4916885 內(nèi)存儲(chǔ)器包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）和主存儲(chǔ)器。寄存器在CPU芯片的內(nèi)部，高速緩沖存儲(chǔ)器也制作在CPU芯片內(nèi)，而主存儲(chǔ)器由插在主板內(nèi)存插槽中的若干內(nèi)存條組成。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。
2019-01-07 16:54:3235724 全球半導(dǎo)體業(yè)正處于由之前的計(jì)算時(shí)代向大數(shù)據(jù)、人工智能（AI）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）驅(qū)動(dòng)的過渡階段。但是要實(shí)現(xiàn)新的人工智能和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用等所需的計(jì)算性能提高和能耗的降低，是業(yè)界面臨的最大的挑戰(zhàn)，其中最關(guān)鍵的需求可能是提供新型的存儲(chǔ)器制造技術(shù)。
2019-06-26 15:09:023491 存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中，一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器。
2019-09-18 11:02:236102 基于eMMC陣列的高速固態(tài)存儲(chǔ)器的研究與設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)測試技術(shù)的快速發(fā)展使得高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器變得越來越重要。為了滿足高帶寬和大容量存儲(chǔ)的要求，傳統(tǒng)的方式為采用FLASH陣列的方式。然而，NANDFLASH
2020-01-07 10:23:0033 隨著信息時(shí)代的到來，各種信息的集成和交互越來越頻繁。運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中需要處理和存儲(chǔ)的信息量也與日俱增，大部分運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)的核心器件MCU自身已經(jīng)集成了較大容量的存儲(chǔ)器（與以前MCU相比），但僅僅依靠MCU自身的存儲(chǔ)器一般很難滿足系統(tǒng)對大容量存儲(chǔ)的要求，因此必須找到高效的方法實(shí)現(xiàn)對系統(tǒng)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展。
2020-05-19 09:21:412296 
信息，統(tǒng)稱訪問存儲(chǔ)器。計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器可分成內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器。內(nèi)存儲(chǔ)器在程序執(zhí)行期間被計(jì)算機(jī)頻繁地使用，并且在一個(gè)指令周期期間是可直接訪問的。外存儲(chǔ)器要求計(jì)算機(jī)從一個(gè)外貯藏裝置例如磁帶或磁盤中讀取信息。 存儲(chǔ)器
2020-06-19 15:29:072057 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的一種。說白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對性下，動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（DRAM）里邊所存儲(chǔ)
2020-08-10 16:43:2416581 存儲(chǔ)器屬于常見產(chǎn)品，在各類需要存儲(chǔ)功能的器件中均存在存儲(chǔ)器身影。本文中，小編將對單片機(jī)內(nèi)部的各大存儲(chǔ)器：程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、特殊功能寄存器予以介紹。 一、程序存儲(chǔ)器 程序是控制計(jì)算機(jī)動(dòng)作的一系列
2023-02-03 15:43:284264 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:021621 
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-10-28 09:51:2011 存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-11-26 19:36:0437 。因此，ROM常用來存儲(chǔ)系統(tǒng)程序，具有開機(jī)自檢、鍵盤輸入處理、用戶程序翻譯、信息傳輸、工作模式選擇等功能。 ?2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也稱為讀寫存儲(chǔ)器。當(dāng)信息被讀出時(shí)，內(nèi)存中的內(nèi)容保持不變；寫入時(shí)，新寫入的信息會(huì)覆蓋原始內(nèi)容。
2021-12-24 13:50:3517919 通常將采用存儲(chǔ)器技術(shù)的應(yīng)用分為可執(zhí)行代碼和數(shù)據(jù)任務(wù)?？蓤?zhí)行代碼要求使用非易失性存儲(chǔ)器，并在所有條件下都能夠保留存儲(chǔ)器中的代碼。...
2022-01-25 19:48:203 存儲(chǔ)器分為內(nèi)部存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器和外部存儲(chǔ)器。內(nèi)部存儲(chǔ)器簡稱為內(nèi)存，計(jì)算機(jī)要執(zhí)行的程序、要處理的信息和數(shù)據(jù)，都必須先存入內(nèi)存，才能由CPU取出并進(jìn)行處理。
2022-07-21 16:14:523281 存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件，更通俗地說，存儲(chǔ)器就是用來存放數(shù)據(jù)的地方。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（簡稱主存或內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（簡稱輔存或外存）兩大類，本文將詳細(xì)為您科普存儲(chǔ)器的工作原理等知識。
2022-10-11 16:58:434875 達(dá)拉斯半導(dǎo)體的DS80C320處理器由于吞吐量的提高，提供了廣泛的新應(yīng)用機(jī)會(huì)。然而，速度的提高還需要注意與處理器接口的內(nèi)存的時(shí)序要求。本應(yīng)用筆記確定了與存儲(chǔ)器接口相關(guān)的關(guān)鍵時(shí)序路徑，并確定了各種CPU晶體頻率所需的存儲(chǔ)器速度。
2023-01-10 10:18:342541 
本應(yīng)用筆記介紹了與DS80C320以外的Maxim高速微控制器的外部存儲(chǔ)器接口。使用這些微控制器的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須了解不同器件系列的多路復(fù)用地址/數(shù)據(jù)鎖存要求和鎖存參數(shù)。討論了EPROM和SRAM參數(shù)，以確保微控制器和外部器件之間的正確匹配。
2023-03-01 13:56:281793 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:063141 主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:102004 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-20 14:19:251320 
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:132304 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:288172 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，寄存器（Register）通常是速度最快的存儲(chǔ)器。寄存器是位于中央處理器（CPU）內(nèi)部的小型、高速存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)指令、數(shù)據(jù)和地址等臨時(shí)信息。
2024-02-05 09:43:598094 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，可以在不移除芯片的情況下進(jìn)行
2024-08-05 16:59:071444 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache），通常簡稱為緩存，是一種具有高速存取能力的存儲(chǔ)器。其原始意義是指存取速度比一般隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）更快的一種RAM。高速緩沖存儲(chǔ)器一般采用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM
2024-09-10 14:09:284406 存儲(chǔ)器的刷新是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲(chǔ)元中的柵極電容來存儲(chǔ)電荷，而電容本身存在漏電流，導(dǎo)致電荷會(huì)逐漸流失，從而使得存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)變得不可靠。為了保持
2024-09-10 14:34:223481 非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory, NVM）是指即使在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下，仍能保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。這類存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)保存方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別是在需要長時(shí)間保持數(shù)據(jù)完整性的場合。
2024-09-10 14:44:453519 存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是否會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失，取決于存儲(chǔ)器的類型及其工作原理。在深入探討這個(gè)問題之前，我們首先需要了解存儲(chǔ)器的基本分類及其特性。
2024-09-26 15:23:387879 （DRAM）那樣周期性地刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)。然而，與只讀存儲(chǔ)器（ROM）或閃存不同，SRAM在電力供應(yīng)停止時(shí)，其儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)仍然會(huì)消失，因此也被歸類為易失性存儲(chǔ)器（volatile memory）。
2024-09-26 16:25:308028 
高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003400 ? ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲(chǔ)器中（
2025-02-13 12:42:142471 
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241340 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 
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