首先講述的是基本原理，因?yàn)榍懊婵偨Y(jié)了很多基本原理，所以這個(gè)位置比較粗略的帶過。

1、基本原理

從圖上可以看出，Vt為開啟電壓，對于N溝道的cmos，當(dāng)門極加的電壓逐漸變大的時(shí)候，多數(shù)載流子被門極所吸引，向上移動(dòng)，形成N型溝道，N型半導(dǎo)體即被導(dǎo)通，有導(dǎo)通電流。開始有導(dǎo)通電流的門極所加的電壓我們稱為開啟電壓，隨著開啟電壓的增大，電流逐漸增大。這就是cmos管的基本原理。

從cmos管過渡到nandflash：

和cmos不同的是，在門極附近加了浮柵，浮柵的兩邊是氧化層。

當(dāng)寫的時(shí)候，加入足夠大的門極電壓，就可以通過氧化層的隧穿效應(yīng)，將電子打入到浮柵中完成寫0的過程；

當(dāng)擦除的時(shí)候，就加反向電壓同樣利用隧穿效應(yīng)讓電子從氧化層出來，就可以完成擦除功能。

當(dāng)讀的時(shí)候，由于浮柵里面有電子，會有反向電場，這個(gè)時(shí)候會導(dǎo)致開啟電壓增大，讀的時(shí)候就是靠這個(gè)特性，給門極加大于開啟的電壓的電壓值，則溝道導(dǎo)通，會有導(dǎo)通電流，通過導(dǎo)通電流即可分析是否是0。

從這個(gè)圖可以看出，以mlc為例，怎么讀出mlc的數(shù)據(jù)呢，同樣是按照之前的探測電壓的方式，通過步進(jìn)的探測電壓，探測三個(gè)閾值，如果探測電壓下有電流檢測到，則表示是什么樣的數(shù)據(jù)值，這就是cell多bit的讀操作原理。

三種方式的讀寫擦以及PE的比較：

從這個(gè)圖可以看出，tlc主要是寫很慢，但是存儲密度大；slc讀寫速度慢，但是密度小。

字線和位線的原理，之前已經(jīng)有講述，這里不再多講了。

從和這個(gè)圖上看到，nandflash最壞的一點(diǎn)就是異地更新（out-of-placeupdate）

什么叫做異地更新呢？？

就是當(dāng)我們要對某個(gè)page的數(shù)據(jù)進(jìn)行更新的時(shí)候，我們不能直接像這個(gè)page寫，因?yàn)檫@個(gè)page不是空白頁，已經(jīng)被寫了，這個(gè)時(shí)候我們只能將這個(gè)page復(fù)制到其他空白頁，然后在測試這個(gè)block，然后在寫入，十分的不方便，就是因?yàn)橛袛?shù)據(jù)更新寫的時(shí)候要進(jìn)行異地復(fù)制，擦除，再寫。
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