本文探討了各種不含鹵素（halogen-free）的DDR4插座的開發(fā)工作，并且根據(jù)嚴格的JEDEC DDR4規(guī)范和IEC 61249-2無鹵素依從性，討論了不同的外殼材料選項。##針腳保持力將端子
2014-08-04 17:21:24
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本篇主要針對Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計的角度進行詳細介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計。 目前比較常用的DDR
2020-12-21 14:04:3611144 
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:446127 
DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:244649 
日本著名存儲設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。
2019-07-07 10:37:453924 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，TrendForce報告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場上的價格已基本持平，有些DDR4芯片的價格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004541 DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的尋址方式有哪些？
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個適合你的列表創(chuàng)建一個
2021-07-29 06:58:22
（UG583）“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計用戶指南”的V1.10表示（通常）DDR4接口信號reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號的偏移約束。但是，在專門引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-11 07:13:53
；?增加ACT_n控制指令為增強數(shù)據(jù)讀寫可靠性增加的變更點主要有：?DBI；?Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-12 08:07:07
DBI示例5 Error Detection功能隨著DDR4數(shù)據(jù)速率的提升，誤碼率也隨之提升，故DDR4中增加Error Detection技術(shù)對DQ和CMD、ADD信號。對于DQ信號使用內(nèi)置的CRC
2019-11-12 12:40:17
還未接觸過DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計中，布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR內(nèi)存格式發(fā)展歷程（DDR~DDR4） 一、DDR DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹?b class="flag-6" style="color: red">DDR
2011-02-27 16:47:17
DDR4 SDRAM（Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱為 DDR4
2024-09-13 20:18:47
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時時發(fā)集團亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
一款適合你的DDR。但是對于時序方面的控制，理論上只有一個辦法——繞等長，速率越高的DDR，等長控制越嚴格，從±100mil，到±50mil，甚至±10mil。本來我們的layout工程師也是在這
2019-06-20 09:06:44
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2021-05-08 17:42:19
密不可分，它們也是DDR4區(qū)別于DDR3的主要技術(shù)突破。POD電平的全稱是Pseudo Open-Drain 偽漏極開路，其與DDR3對比簡單的示例電路如下圖二所示。圖二 POD示意電路從中可以看到
2022-12-16 17:01:46
（Self-Refresh Temperature）等兩種功能，讓存儲器在休眠時也能夠隨著溫度變化去控制對存儲器顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)資料的完整性。DDR4 SDRAM （Double Data Rate Fourth
2019-08-01 10:17:46
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2021-12-27 19:25:08
。但是對于時序方面的控制，理論上只有一個辦法——繞等長，速率越高的DDR4，等長控制越嚴格，從±100mil，到±50mil，甚至±5mil……一個平平無奇的日子，網(wǎng)紅芬?guī)е潞献鞯目蛻繇椖拷?jīng)理李工
2022-09-19 14:51:37
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2021-09-08 14:59:58
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2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393959 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標準領(lǐng)導(dǎo)制定機構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標準的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標準與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:462350 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標準的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:562016 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天宣布，在硅片中演示了DDR4存儲器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2，666 Mbps。
2014-12-19 15:13:014257 作者：Steve Leibson, 賽靈思戰(zhàn)略營銷與業(yè)務(wù)規(guī)劃總監(jiān) Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細展示，該演示
2017-02-08 14:03:011172 DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標準。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點，這些新的特點，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計中，引入一些新的設(shè)計需求
2017-10-13 20:13:18
10 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計，各個Bank
2017-11-07 10:48:5155968 
雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4928010 本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:0057 關(guān)鍵詞：
JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標準
微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快
2018-09-30 00:15:013010 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2827840 Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達2400 Mb.UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)，可
2018-11-30 05:33:004449 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進的數(shù)據(jù)完整性，增加了對寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗檢測。
2019-07-26 14:34:0151736 12月8日消息，近日，七彩虹推出了兩款DDR4 普條，都是DDR4 2666頻率，8GB單條售價188元，16GB單條售價299元。
2019-12-09 15:49:497054 DDR5相比DDR4有什么新特性？
2020-01-10 14:21:0411626 2 月 28 日訊，國產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國際通行標準規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281708 Xilinx 提供了UltraScaleFPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)，可支持大量I/O和超大存儲帶寬，并能夠
2020-05-28 15:00:575104 才能將當前的PC和服務(wù)器設(shè)計為與DDR5兼容。 同時，為了幫助減緩需求曲線以提高數(shù)據(jù)速率，DDR4進行了升級，具有更高的密度，更快的速度和更快的響應(yīng)速度。以下是DDR4的一些最新進展，以保持其3A游戲中的份額。 美光為游戲做好準備 美光的全球計算機內(nèi)存和存儲消費品牌
2020-09-23 16:37:533796 對于時序方面的控制，理論上只有一個辦法——繞等長，速率越高的DDR，等長控制越嚴格，從±100mil，到±50mil，甚至±10mil。 本來我們的layout工程師也是在這樣一條路上穩(wěn)步前進。但是最近有個DDR4的項目，繞好了等長，如下圖所示，一切都安排
2021-03-26 11:57:133145 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要等等呢
2021-02-27 12:13:5420208 
流媒體視頻和星載人工智能。 我之前介紹過面向宇航應(yīng)用的 Teledyne e2v 的耐輻射 DDR4 (DDR4T04G72)，可提供 4GB 的存儲容量，高達1.2GHz 的時鐘頻率和 2.4GT/s 的數(shù)據(jù)速率（帶寬為 172.8Gb/s），本文將更深入地介紹這款宇航級 DDR4 存儲器的細節(jié)。 本文的
2021-07-26 15:30:303237 DDR4布線之a(chǎn)llegro約束規(guī)則設(shè)置綜述
2021-09-08 10:34:290 DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3715692 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-06 13:51:01165 POD模式；? 增加ACT_n控制指令為增強數(shù)據(jù)讀寫可靠性增加的變更點主要有：? DBI；? Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-06 20:36:0030 在Versal新一代ACAP器件上，除了延續(xù)之前Ultrascale/Ultrascale+系列器件上已有的DDR4 IP之外，還配置了最新的DDR4/LPDDR4 硬核控制器 (NOC IP)。它
2022-07-06 10:42:175678 DDR4燒錄王軟件V32下載
2022-08-28 11:12:3445 對于DDR4的設(shè)計，相信攻城獅們經(jīng)歷過萬千項目的歷練，肯定是很得心應(yīng)手，應(yīng)該已經(jīng)有自己的獨門技巧了。
2022-09-19 15:05:253049 
迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:488531 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標準旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 據(jù)傳輸速率/引腳（DDR4-2666）。芯片的設(shè)計符合以下關(guān)鍵DDR4 SDRAM功能，如張貼的CAS、可編程CWL、內(nèi)部（自）校準、，使用ODT引腳和異步復(fù)位的管芯端接。所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入被鎖存在差分時鐘的交叉點（CK上升和CK下降）。所有I/O都與一對雙向選通（DQS
2022-12-05 11:54:2425 DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:444033 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:473 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535589 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們在性能上會有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0562821 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:1835674 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:0013842 PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進
2023-12-07 15:15:584192 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-09 09:51:219 米）02活動內(nèi)容1、本次活動重點分析DDR4/DDR5的內(nèi)存控制原理，內(nèi)存控制技術(shù)中的讀寫原理方法、原理圖設(shè)計和關(guān)鍵的信號特征。講解DDR4/DDR5的原理圖設(shè)計
2024-07-06 08:12:51979 
DDR4，即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory），是計算機內(nèi)存技術(shù)的一個重要
2024-09-04 11:43:349814 DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器）的時鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系，這種關(guān)系對于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細探討DDR4時鐘頻率和速率之間的關(guān)系，包括它們?nèi)绾蜗嗷ビ绊?、如何衡量以及在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2024-09-04 11:44:278379 DDR4內(nèi)存模塊是計算機內(nèi)存技術(shù)的一項重要進步，它是Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率）第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:503948 DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個隨著技術(shù)進步而不斷演變的指標。目前，DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升，但具體到最高頻率，則需要結(jié)合多個方面來討論。
2024-09-04 12:37:1512516 DDR4（Double Data Rate 4th Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，即第四代雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器
2024-09-04 12:38:573356 DDR4（Double Data Rate 4）接口引腳的具體定義和功能是一個復(fù)雜且詳細的話題，涉及到電源、地、控制信號、時鐘信號、地址信號以及數(shù)據(jù)信號等多個方面。
2024-09-04 12:39:5425738 DDR4（DDR4-SDRAM，即第4代DDR-SDRAM）作為當前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的RAM存儲器，其結(jié)構(gòu)和尋址方式對于理解其高性能和存儲容量至關(guān)重要。
2024-09-04 12:42:124260 DDR4（Double Data Rate 4）作為當前主流的計算機內(nèi)存技術(shù)，相較于其前身DDR3，在性能、功耗、容量等多個方面都有了顯著提升。
2024-09-04 12:43:1013367 DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標之一，它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:256008 DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運行時所能達到的速度，它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個重要指標。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一，其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:396941 DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory）控制器作為現(xiàn)代計算系統(tǒng)中的重要組成部分，其
2024-09-04 12:55:472088 DDR4（Double Data Rate 4）時序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時所需時間的一組關(guān)鍵參數(shù)，它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對DDR4時序參數(shù)的詳細解釋，涵蓋了主要的時序參數(shù)及其功能。
2024-09-04 14:18:0711145 隨著技術(shù)的不斷進步，計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:2211366 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037932 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 DDR4內(nèi)存適合多種類型的主板，主要取決于主板的芯片組和處理器插槽類型。以下是一些常見的支持DDR4內(nèi)存的主板： 一、Intel平臺主板 Z系列主板 ： 如Z370、Z390、Z490、Z590等
2024-11-29 15:03:4715990 DDR3、DDR4、DDR5是計算機內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。以下是它們之間的性能對比： 一、速度與帶寬 DDR3 ：速度
2024-11-29 15:08:2819722 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 ? ? ? 本文講述了使用Altium designer設(shè)計SOC和DDR等高速PCB時候，如何設(shè)計信號線等長。DDR信號線分成兩大部分。一是數(shù)據(jù)線部分，二是地址線、控制信號線部分。本文著重詳細
2025-07-28 16:33:124 本文緊接著前一個文檔《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設(shè)計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）前段時間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計劃陸續(xù)退出部分DDR4市場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動，同時在供給不足的擔憂
2025-06-19 00:54:0010160 
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