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電子發(fā)燒友網(wǎng)>便攜設(shè)備>納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

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氮化功率器件再升級(jí):GaNsense?技術(shù)能帶來(lái)怎樣的改變?

以上,這也是目前氮化在手機(jī)充電器上廣泛被應(yīng)用的重要原因。 ? 氮化GaNFast TM 是半導(dǎo)體此前被廣泛應(yīng)用的氮化功率芯片系列,半導(dǎo)體銷(xiāo)售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘釗介紹到,目前全球超過(guò)140款量產(chǎn)中的充電器都采用了的方案,大約150款
2021-11-26 09:42:136891

半導(dǎo)體助力vivo首款折疊屏手機(jī)發(fā)布,vivo X Fold攜雙C口80W氮化充電器全新上市

加州,埃爾塞貢多: 2022年4月22日:半導(dǎo)體今天正式宣布,旗下新代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold所
2022-04-24 10:45:244446

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2017-10-30 11:54:4814245

半導(dǎo)體雙向氮化開(kāi)關(guān)深度解析

前不久,半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
2025-06-03 09:57:502397

半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化功率芯片,GaNSense新技術(shù)登場(chǎng)

增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化功率芯片通過(guò)實(shí)時(shí)智能傳感和保護(hù),為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場(chǎng)帶來(lái)最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262519

氮化功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快

氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用 GaNFast 氮化功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快。
2021-12-30 15:06:091791

半導(dǎo)體氮化功率芯片全力支持vivo旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)120W氮化充電器成功上市

2022年1月18日,半導(dǎo)體正式宣布,其新代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)所標(biāo)配的120W超快迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763

半導(dǎo)體助力Redmi K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)發(fā)布,搭配120W氮化神仙秒,梅賽德斯F1手機(jī)震撼上市

半導(dǎo)體今天正式宣布,旗下新代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片,已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車(chē)隊(duì)共同發(fā)布的K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)所標(biāo)配120W氮化充電器中。
2022-03-14 13:40:021867

半導(dǎo)體宣布成功發(fā)貨超過(guò)四千萬(wàn)顆,氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者加速發(fā)展

氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過(guò)四千萬(wàn)顆,終端市場(chǎng)故障率為零。
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半導(dǎo)體助力ACE手機(jī)首款標(biāo)配氮化充電器發(fā)布

GaNFast?功率芯片ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快,電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號(hào)訊 - 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS),氮化
2022-08-12 16:36:5010212

半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化芯片,引領(lǐng)氮化邁入集成新高度

芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化功率芯片,帶來(lái)前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下半導(dǎo)體技術(shù),同時(shí)還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257

集成之巔,易用至極!發(fā)布全新GaNSlim?氮化功率芯片

— 唯全面專注的下功率半導(dǎo)體公司及GaNFast?氮化功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日發(fā)布 全新代高度集成的氮化功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim? ,其憑借 最高級(jí)別的集成度和散熱性能 ,可為 手機(jī)
2024-10-17 16:31:091305

5G和電動(dòng)車(chē)的興起讓化合物半導(dǎo)體成為新貴

也有更好的表現(xiàn)。模擬IC應(yīng)用廣泛,使用環(huán)節(jié)也各不相同,因此制造工藝也會(huì)相應(yīng)變化。砷化(GaAs):無(wú)線通信核心材料,受益5G大趨勢(shì)相較于第代硅半導(dǎo)體,砷化具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性,因此
2019-05-06 10:04:10

5G手機(jī)配置曝光,宏旺半導(dǎo)體LPDDR4X 助力5G時(shí)代

5000強(qiáng)勁組合,運(yùn)行內(nèi)存8GB、機(jī)身存儲(chǔ)256GB。國(guó)產(chǎn)另5G手機(jī),中興天機(jī)Axon 10 Pro 5G搭配12GB+256GB 驍龍855 支持NSA制式,而在存儲(chǔ)方面提供
2019-08-17 10:10:01

5G無(wú)線與對(duì)集成度更高、速度更快的多功能設(shè)備有哪些新要求呢?

氮化、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23

5G無(wú)線對(duì)多功能設(shè)備有什么要求?

氮化、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-08-16 07:57:10

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化)
2023-06-19 07:07:27

氮化瓦已經(jīng)不足元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化價(jià)格戰(zhàn)伊始。

元,并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日,聯(lián)想官方在電商平臺(tái)發(fā)起氮化價(jià)格戰(zhàn),YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化充電器到手價(jià)僅需 59.9元。這是款正兒八經(jīng)的大功率氮化充電器
2022-06-14 11:11:16

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片的優(yōu)勢(shì)

更?。?b class="flag-6" style="color: red">GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快

的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開(kāi)發(fā)的特點(diǎn);半導(dǎo)體GaNFast方案則可以通過(guò)高頻實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對(duì)于氮化普及浪潮的來(lái)臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23

集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理分析

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理
2023-06-19 10:05:37

ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V輸入,支持27W功率輸出

板上看出,得益于使用合封氮化器件,芯片無(wú)需輔助散熱措施即可滿足27W的連續(xù)輸出,并且合封將控制器和開(kāi)關(guān)管集成在芯片內(nèi),初級(jí)的元件也十分精簡(jiǎn),可滿足高性價(jià)比的氮化設(shè)計(jì)。鈺泰半導(dǎo)體
2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

電子、汽車(chē)和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó),2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38

MACOM:適用于5G半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

多個(gè)方面都無(wú)法滿足要求。在基站端,由于對(duì)高功率的需求,氮化(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20

為什么氮化(GaN)很重要?

的設(shè)計(jì)和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì),如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級(jí)為使用氮化功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44

什么是氮化功率芯片?

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑 氮化芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件,即個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào),轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。 半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

流,但隨著5G的到來(lái),砷化器件將無(wú)法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成為下個(gè)熱點(diǎn)。氮化作為種寬禁帶半導(dǎo)體,可承受更高
2019-07-08 04:20:32

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級(jí)協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航

氮化完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動(dòng)電源超級(jí)二合方案。總有款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21

拆解報(bào)告:橙果65W 2C1A氮化充電器

通QC5認(rèn)證100氮化、麥多多100W氮化、OPPO 65W超級(jí)氮化充電器、聯(lián)想90W氮化、努比亞65W氮化充電器、倍思120W氮化+碳化硅PD快充充電器等數(shù)十款大功率充電器
2023-06-16 14:05:50

摩爾定律對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩

流,但隨著5G的到來(lái),砷化器件將無(wú)法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。于是,GaN成為下個(gè)熱點(diǎn)。氮化作為種寬禁帶半導(dǎo)體,可承受更高的工作電壓,意味著其功率密度及可工作溫度更高,因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。 誤解1:氮化技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證 氮化器件是種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體,于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47

第三代半導(dǎo)體材料氮化/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體,如果不妥,請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48

誰(shuí)發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

轉(zhuǎn)載 | 推高功率密度,茂睿芯發(fā)布氮化合封快芯片MK2787/MK2788

本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯 氮化作為第三代半導(dǎo)體器件,憑借其優(yōu)異的性能,在PD快領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ACDC快品牌,茂睿芯直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21

小米30W超級(jí)無(wú)線速度到底有多快

小米9 Pro 5G首發(fā)30W超級(jí)無(wú)線。問(wèn)題來(lái)了,30W超級(jí)無(wú)線速度到底有多快?
2019-09-18 16:20:038902

氮化器件助力OPPO新代快

OPPO作為快行業(yè)的先行者,直引領(lǐng)著智能手機(jī)的快市場(chǎng),最早期的VOOC“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”深入人心,演進(jìn)自SuperVOOC架構(gòu)的125W 超級(jí)更是把手機(jī)快功率提到了史無(wú)前例的高度。
2020-07-31 09:42:281517

全球領(lǐng)先!半導(dǎo)體氮化芯片出貨量超1300萬(wàn)顆

半導(dǎo)體今日正式宣布,其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄,已向市場(chǎng)成功交付超過(guò)1300萬(wàn)顆氮化(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142251

亞成全國(guó)產(chǎn)65W氮化參考設(shè)計(jì)詳細(xì)評(píng)測(cè)

直活躍在氮化產(chǎn)業(yè)鏈,致力為客戶提供高可靠性的高功率密度USB PD快解決方案。 近期,亞成推出了款基于自研主控芯片RM6601SN + 同步整流芯片RM3410T的 65W功率密度氮化方案,方案采用專有驅(qū)動(dòng)技術(shù),直驅(qū)E-MODE
2021-03-05 18:02:365418

氮化功率芯片的開(kāi)創(chuàng)者打造充電新方式

? 半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)是全球氮化功率芯片的開(kāi)創(chuàng)者,成立于2014年,總部位于愛(ài)爾蘭,在深圳、杭州、上海都擁有銷(xiāo)售和研發(fā)中心。半導(dǎo)體擁有支強(qiáng)大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013980

半導(dǎo)體閃亮登場(chǎng)慕尼黑上海電子展,氮化最新工業(yè)級(jí)應(yīng)用產(chǎn)品首次公開(kāi)亮相

DUBLIN, IRELAND —(PRWeb) 半導(dǎo)體宣布,在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上,成功完成系列GaNFast? 大功率氮化工業(yè)應(yīng)用首秀。
2021-04-27 14:11:531302

福布斯專訪半導(dǎo)體:談氮化在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用

半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了 GaNFast 氮化功率芯片的相關(guān)信息,并且介紹了氮化功率芯片在電動(dòng)汽車(chē)以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:212061

福克斯電視臺(tái)專訪半導(dǎo)體CEO:氮化技術(shù)走向世界

截至 2021 年 5 月,超過(guò) 2000 萬(wàn)片 GaNFast?? 氮化功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301765

小米三度攜手,小米 65W 1A1C氮化充電器發(fā)布!

小米 65W 1A1C 氮化充電器,采用了半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝,并且采用高頻軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">氮化開(kāi)關(guān)管、獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102574

奧運(yùn)冠軍代言全新小米手機(jī) Civi,半導(dǎo)體與小米四度合作!

半導(dǎo)體今日宣布,小米正式發(fā)布新款智能手機(jī)小米 Civi,配備采用 GaNFast 氮化功率芯片的 55W 氮化充電器。
2021-10-08 11:45:092413

半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克,以股票代碼NVTS上市交易

氮化功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(“”)的股票,正式開(kāi)始在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易,股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630

半導(dǎo)體出席小米技術(shù)demoday,共同展望氮化應(yīng)用未來(lái)

全球氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體,在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上,展示了下功率電源和手機(jī)快產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311293

半導(dǎo)體助力 realme 發(fā)布全球最快智能手機(jī)充電技術(shù)

全球首款160W氮化充電器亮相MWC 2022,半導(dǎo)體GaNFast??技術(shù)進(jìn)入realme GT Neo 3智能手機(jī)供應(yīng)鏈。
2022-03-01 16:34:371332

半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化功率芯片20年質(zhì)保承諾

氮化作為下半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化功率集成芯片技術(shù),集成了氮化功率場(chǎng)效應(yīng)管(GaN Power[FET])、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201

半導(dǎo)體再次進(jìn)入vivo手機(jī)供應(yīng)鏈

半導(dǎo)體近期正式宣布,旗下新代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold所標(biāo)配的80W有線充充電器內(nèi)。
2022-04-27 10:56:422501

半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片加速進(jìn)入快市場(chǎng)

氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度,將加速進(jìn)入更多類(lèi)型的快市場(chǎng)。
2022-05-05 10:32:562303

NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼
2022-05-05 11:13:573058

半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化平臺(tái)NV6169功率芯片

美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169,這是款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片,可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312749

半導(dǎo)體通過(guò)全球首家CarbonNeutral?公司認(rèn)證

氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體宣布,正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Natural Capital Partners頒發(fā)的CarbonNeutral?公司認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2022-06-06 14:48:112763

半導(dǎo)體助力小米旗下Redmi系列首款筆記本電腦標(biāo)配100W氮化充電器發(fā)布

,近期小米旗下最新發(fā)布的 RedmiBook Pro筆記本電腦系列標(biāo)配 100W 氮化已采用搭載代 GaNSense? 技術(shù)的新代智能 GaNFast? 氮化功率芯片。 ? ? 全球
2022-07-01 14:39:402312

半導(dǎo)體CEO強(qiáng)勢(shì)助陣Anker GaNPrime?全球發(fā)布會(huì),GaNSense?技術(shù)助力Anker重新定義氮化

Anker,重新定義氮化! ? “半導(dǎo)體氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,自 2017 年以來(lái)直與安克緊密合作。作為半導(dǎo)體的首批投資者,安克見(jiàn)證了從成立初期到 2021 年在納斯達(dá)克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化家族的產(chǎn)品中,采用了代增加GaNSense??技術(shù)的
2022-07-29 16:17:441027

半導(dǎo)體發(fā)布采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片

半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新代產(chǎn)品,其集成了兩個(gè)GaN FETs 和驅(qū)動(dòng)器,以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能 ,其適用于手機(jī)移動(dòng)、消費(fèi)和工業(yè)市場(chǎng)中100-300W應(yīng)用。
2022-09-09 14:44:532505

雙碳時(shí)代的芯片可以在氮化上造

半導(dǎo)體如何在氮化上造芯片? 作者丨 周雅 剛剛過(guò)去的10月底,半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成功在納斯達(dá)克上市,上市當(dāng)天企業(yè)價(jià)值10億美元。1個(gè)月后,半導(dǎo)體再進(jìn)
2023-02-21 14:57:110

HYPERJUICE 100W氮化充電器拆解報(bào)告

據(jù)了解,HYPERJUICE這款100W氮化還獲得超過(guò)了220萬(wàn)美元的眾籌金額(約合人民幣1500萬(wàn)元),也是目前獲得用戶支 持度最高的氮化充電器產(chǎn)品之,對(duì)氮化以及100W PD快
2023-02-21 14:38:352

SlimQ F100:100W氮化充電器

氮化充電器的誕生讓大功率的充電器濃縮成個(gè)小小的產(chǎn)品,不起眼的充電器也能變成發(fā)燒友的玩物,65W功率上已有多款氮化面世,但對(duì)于大功率氮化 充電器,市面上推出的產(chǎn)品并不多。日前眾籌網(wǎng)站indiegogo上出現(xiàn)了100W氮化充電器,他就是SlimQ F100。
2023-02-22 15:24:096

半導(dǎo)體推出智能GaNFast氮化功率芯片

領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣 布推出新代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路, 進(jìn)步提高了半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性,同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:053

什么是氮化半導(dǎo)體?GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)?

氮化 (GaN) 是半導(dǎo)體材料,因其卓越的性能而越來(lái)越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同,GaN 具有更寬的帶隙,這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:391395

代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化功率芯片

在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),加強(qiáng)器件可靠性,降低系統(tǒng)成本,半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù),推出新代GaNSense? Control合封氮化功率芯片,進(jìn)步加速氮化市場(chǎng)普及
2023-03-28 13:58:021876

發(fā)貨量超75,000,000顆!半導(dǎo)體創(chuàng)氮化功率器件出貨“芯”高峰

全面專注的下功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布 已出貨超7500萬(wàn)顆高壓氮化功率器件。 氮化是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下半導(dǎo)體技術(shù),它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041

采用智融SW3516H/SW3526的航嘉100W氮化,性能十分亮眼!

航嘉100W氮化采用智融SW3516H/SW3526
2023-05-31 10:34:152779

半導(dǎo)體氮化和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下波熱點(diǎn)應(yīng)用

早前,半導(dǎo)體率先憑借氮化功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí),也不斷開(kāi)發(fā)氮化和碳化硅產(chǎn)品線,拓展新興應(yīng)用市場(chǎng)。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192935

GaNFast氮化功率芯片有何優(yōu)勢(shì)?

半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化 FET、氮化驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:041592

GaNFast氮化功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

進(jìn)入三星進(jìn)供應(yīng)鏈:GaNFast氮化功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下功率半導(dǎo)體技術(shù),氮化正持續(xù)取代傳統(tǒng)硅功率芯片在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)的市場(chǎng)份額。 Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備塊大小為6.1英寸,分辨率為2340×
2023-11-03 14:06:311663

半導(dǎo)體全速助力蔚來(lái)手機(jī),GaNFast?氮化提升車(chē)手互聯(lián)用戶體驗(yàn)

為支撐如此強(qiáng)大且齊全的功能,蔚來(lái)給這款手機(jī)配備了5,200mAh的大容量電池,隨手機(jī)標(biāo)配的GaNFast氮化快速充電器,可為該手機(jī)提供最大66W的充電功率,為續(xù)航“保駕護(hù)航”。這款由天寶電子打造的充電器體積僅為57×57×30mm(97.5cc)
2023-12-08 15:51:041233

氮化半導(dǎo)體芯片芯片區(qū)別

材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材,采用不同的工藝在硅上加工制造,而氮化半導(dǎo)體芯片則是以氮化為基材,通過(guò)化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化種全化合物半導(dǎo)體材料,具有較寬的能隙,電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:242957

十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

功率半導(dǎo)體行業(yè),半導(dǎo)體以其對(duì)氮化和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,半導(dǎo)體回顧了其路走來(lái)的輝煌歷程,并對(duì)未來(lái)展望了無(wú)限期待。
2024-02-21 10:50:321468

半導(dǎo)體GaNFast?氮化技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯全面專注的下功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布其GaNFast?氮化功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476

半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展。屆時(shí),半導(dǎo)體將設(shè)立個(gè)獨(dú)特而富有未來(lái)感的“芯球”展臺(tái),充分展示其最新氮化和碳化硅技術(shù),引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來(lái)世界。
2024-03-16 09:40:581416

OPPO K12續(xù)航持久,配有長(zhǎng)壽版100W超級(jí)與5500mAh大電池

據(jù)了解,K12搭載長(zhǎng)壽版100W超級(jí)和5500mAh大容量電池,實(shí)現(xiàn)了同檔位罕見(jiàn)的“百瓦+超長(zhǎng)續(xù)航”黃金組合。僅需27分鐘即可充滿電,電池壽命長(zhǎng)達(dá)四年之久。
2024-04-22 16:07:131649

半導(dǎo)體聯(lián)手Virtual Forest實(shí)現(xiàn)農(nóng)業(yè)碳凈零

半導(dǎo)體宣布,其先進(jìn)的GaNFast?氮化功率芯片已被Virtual Forest公司采納,該公司是印度市場(chǎng)上消費(fèi)類(lèi)電器、流體運(yùn)動(dòng)和移動(dòng)領(lǐng)域的佼佼者。此次合作旨在開(kāi)發(fā)款零排放、功率強(qiáng)勁的太陽(yáng)能灌溉泵,擁有高達(dá)3匹馬力(2,250W)的出色性能。
2024-05-06 15:32:01846

半導(dǎo)體將攜下代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024

加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)誠(chéng)邀觀眾參加6月11日-13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“芯球”展臺(tái),
2024-05-24 15:37:331347

半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化與碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域,半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171

半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441718

半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化

加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯全面專注的下功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化功率芯片
2024-06-21 14:45:442679

聯(lián)想新品充電器搭載半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片,革新快體驗(yàn)

在科技日新月異的今天,充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日,半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用,為消費(fèi)者帶來(lái)了前所未有的快體驗(yàn)。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787

40W雙C口氮化方案助力Iphone16系列順利發(fā)售!

誠(chéng)芯多款合封氮化方案齊上陣,涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。顆合封氮化芯片可輕松取代初級(jí)側(cè)兩到三顆芯片的功能,通過(guò)高集成度的合封芯片,設(shè)計(jì)出精簡(jiǎn)高效的氮化充電器,能夠有效地簡(jiǎn)化充電器設(shè)計(jì)和生產(chǎn)流程,助力Iphone16系列順利發(fā)售,助力行業(yè)客戶迅速搶占市場(chǎng)。
2024-09-10 16:35:391308

半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化功率芯片

近日,半導(dǎo)體推出了全新代高度集成的氮化功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311138

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化功率器件的耐高壓測(cè)試

氮化(GaN),作為種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化功率芯片功率轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)盡顯,在5G通信、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門(mén)領(lǐng)域,發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570

本期為大家?guī)?lái)的是100W氮化充電器詳細(xì)介紹拆解。

本期為大家?guī)?lái)的是100W氮化充電器詳細(xì)介紹拆解。 這款充電器配備折疊插腳以及2C1A接口,兩個(gè)USB-C口均支持100W PD快和PPS快,USB-A口支持30W輸出,在100W功率段快
2024-11-11 14:59:553426

半導(dǎo)體氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081241

半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案,預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度,加速氮化和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10868

半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看

近日,唯全面專注的下功率半導(dǎo)體公司及下氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381787

半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

全面專注的下功率半導(dǎo)體公司及下氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化
2025-03-13 15:49:393005

半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

日訊——半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過(guò) AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車(chē)規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著氮化技術(shù)在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族, 集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:264307

專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)打造!全新GaNSense?氮化功率芯片為家電及工業(yè)應(yīng)用帶來(lái)行業(yè)領(lǐng)先的性能、效率與可靠性

全集成保護(hù)型氮化功率芯片搭配雙向無(wú)損耗電流檢測(cè),效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-05-09 13:58:181262

半導(dǎo)體公布2025年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)

加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下GaNFast氮化與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-11-07 16:46:052453

東科合封氮化芯片DK8710BD助力華碩100W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出

前言消費(fèi)者在選購(gòu)第三方充電器時(shí)都傾向于選擇功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華碩旗下a豆品牌推出了100W氮化充電器
2025-11-13 10:27:082794

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