以上,這也是目前氮化鎵在手機(jī)充電器上廣泛被應(yīng)用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導(dǎo)體此前被廣泛應(yīng)用的氮化鎵功率芯片系列,納微半導(dǎo)體銷(xiāo)售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘釗介紹到,目前全球超過(guò)140款量產(chǎn)中的充電器都采用了納微的方案,大約150款
2021-11-26 09:42:13
6891 加州,埃爾塞貢多: 2022年4月22日:納微半導(dǎo)體今天正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold所
2022-04-24 10:45:24
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納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布,將在11月3號(hào)到6號(hào)在上海舉辦的中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 11:54:48
14245 前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:50
2397 
增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過(guò)實(shí)時(shí)智能傳感和保護(hù),為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場(chǎng)帶來(lái)最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:26
2519 
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:09
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2022年1月18日,納微半導(dǎo)體正式宣布,其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:02
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納微半導(dǎo)體今天正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片,已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車(chē)隊(duì)共同發(fā)布的K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)所標(biāo)配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:02
1867 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過(guò)四千萬(wàn)顆,終端市場(chǎng)故障率為零。
2022-03-28 09:27:48
1186 
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快充,電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號(hào)訊 - 納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS),氮化鎵
2022-08-12 16:36:50
10212 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片,帶來(lái)前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時(shí)還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:32
1257 
— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日發(fā)布 全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim? ,其憑借 最高級(jí)別的集成度和散熱性能 ,可為 手機(jī)
2024-10-17 16:31:09
1305 
也有更好的表現(xiàn)。模擬IC應(yīng)用廣泛,使用環(huán)節(jié)也各不相同,因此制造工藝也會(huì)相應(yīng)變化。砷化鎵(GaAs):無(wú)線通信核心材料,受益5G大趨勢(shì)相較于第一代硅半導(dǎo)體,砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性,因此
2019-05-06 10:04:10
5000強(qiáng)勁組合,運(yùn)行內(nèi)存8GB、機(jī)身存儲(chǔ)256GB。國(guó)產(chǎn)另一款5G手機(jī),中興天機(jī)Axon 10 Pro 5G搭配12GB+256GB 驍龍855 支持NSA制式,而在存儲(chǔ)方面提供
2019-08-17 10:10:01
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-08-16 07:57:10
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
元,并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日,聯(lián)想官方在電商平臺(tái)發(fā)起氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn),YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價(jià)僅需 59.9元。這是一款正兒八經(jīng)的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。?b class="flag-6" style="color: red">GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開(kāi)發(fā)的特點(diǎn);納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過(guò)高頻實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對(duì)于氮化鎵快充普及浪潮的來(lái)臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
板上看出,得益于使用合封氮化鎵器件,芯片無(wú)需輔助散熱措施即可滿足27W的連續(xù)輸出,并且合封將控制器和開(kāi)關(guān)管集成在一顆芯片內(nèi),初級(jí)的元件也十分精簡(jiǎn),可滿足高性價(jià)比的氮化鎵快充設(shè)計(jì)。鈺泰半導(dǎo)體
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
電子、汽車(chē)和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó),2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
多個(gè)方面都無(wú)法滿足要求。在基站端,由于對(duì)高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
的設(shè)計(jì)和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì),如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件,即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào),轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
流,但隨著5G的到來(lái),砷化鎵器件將無(wú)法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動(dòng)電源超級(jí)快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
通QC5認(rèn)證100W氮化鎵快充、麥多多100W氮化鎵、OPPO 65W超級(jí)閃充氮化鎵充電器、聯(lián)想90W氮化鎵快充、努比亞65W氮化鎵充電器、倍思120W氮化鎵+碳化硅PD快充充電器等數(shù)十款大功率充電器
2023-06-16 14:05:50
流,但隨著5G的到來(lái),砷化鎵器件將無(wú)法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。于是,GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體,可承受更高的工作電壓,意味著其功率密度及可工作溫度更高,因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1:氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體,于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體,如果不妥,請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體器件,憑借其優(yōu)異的性能,在PD快充領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ACDC快充品牌,茂睿芯一直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21
小米9 Pro 5G首發(fā)30W超級(jí)無(wú)線閃充。問(wèn)題來(lái)了,30W超級(jí)無(wú)線閃充速度到底有多快?
2019-09-18 16:20:03
8902 OPPO作為快充行業(yè)的先行者,一直引領(lǐng)著智能手機(jī)的快充市場(chǎng),最早期的VOOC閃充“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”深入人心,演進(jìn)自SuperVOOC架構(gòu)的125W 超級(jí)閃充更是把手機(jī)快充功率提到了史無(wú)前例的高度。
2020-07-31 09:42:28
1517 納微半導(dǎo)體今日正式宣布,其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄,已向市場(chǎng)成功交付超過(guò)1300萬(wàn)顆氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:14
2251 微一直活躍在氮化鎵快充產(chǎn)業(yè)鏈,致力為客戶提供高可靠性的高功率密度USB PD快充解決方案。 近期,亞成微推出了一款基于自研主控芯片RM6601SN + 同步整流芯片RM3410T的 65W高功率密度氮化鎵快充方案,方案采用專有驅(qū)動(dòng)技術(shù),直驅(qū)E-MODE
2021-03-05 18:02:36
5418 ? 納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)是全球氮化鎵功率芯片的開(kāi)創(chuàng)者,成立于2014年,總部位于愛(ài)爾蘭,在深圳、杭州、上海都擁有銷(xiāo)售和研發(fā)中心。納微半導(dǎo)體擁有一支強(qiáng)大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:01
3980 DUBLIN, IRELAND —(PRWeb) 納微半導(dǎo)體宣布,在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上,成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業(yè)應(yīng)用首秀。
2021-04-27 14:11:53
1302 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息,并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動(dòng)汽車(chē)以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:21
2061 
截至 2021 年 5 月,超過(guò) 2000 萬(wàn)片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:30
1765 
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器,采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝,并且采用高頻軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵開(kāi)關(guān)管、獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:10
2574 
納微半導(dǎo)體今日宣布,小米正式發(fā)布新款智能手機(jī)小米 Civi,配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:09
2413 
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(“納微”)的股票,正式開(kāi)始在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易,股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:31
2630 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體,在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上,展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:31
1293 
全球首款160W氮化鎵充電器亮相MWC 2022,納微半導(dǎo)體GaNFast??技術(shù)進(jìn)入realme GT Neo 3智能手機(jī)供應(yīng)鏈。
2022-03-01 16:34:37
1332 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管(GaN Power[FET])、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:13
2201 納微半導(dǎo)體近期正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold所標(biāo)配的80W有線閃充充電器內(nèi)。
2022-04-27 10:56:42
2501 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度,將加速進(jìn)入更多類(lèi)型的快充市場(chǎng)。
2022-05-05 10:32:56
2303 圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼
2022-05-05 11:13:57
3058 
美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169,這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片,可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:31
2749 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體宣布,正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Natural Capital Partners頒發(fā)的CarbonNeutral?公司認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2022-06-06 14:48:11
2763 ,近期小米旗下最新發(fā)布的 RedmiBook Pro筆記本電腦系列標(biāo)配 100W 氮化鎵快充已采用搭載納微下一代 GaNSense? 技術(shù)的新一代智能 GaNFast? 氮化鎵功率芯片。 ? ? 全球
2022-07-01 14:39:40
2312 
Anker,重新定義氮化鎵! ? “納微半導(dǎo)體是氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,自 2017 年以來(lái)一直與安克緊密合作。作為納微半導(dǎo)體的首批投資者,安克見(jiàn)證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達(dá)克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產(chǎn)品中,采用了納微新一代增加GaNSense??技術(shù)的
2022-07-29 16:17:44
1027 
納微半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新一代產(chǎn)品,其集成了兩個(gè)GaN FETs 和驅(qū)動(dòng)器,以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能 ,其適用于手機(jī)移動(dòng)、消費(fèi)和工業(yè)市場(chǎng)中100-300W應(yīng)用。
2022-09-09 14:44:53
2505 納微半導(dǎo)體如何在氮化鎵上造芯片? 作者丨 周雅 剛剛過(guò)去的10月底,納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成功在納斯達(dá)克上市,上市當(dāng)天企業(yè)價(jià)值10億美元。1個(gè)月后,納微半導(dǎo)體再進(jìn)一
2023-02-21 14:57:11
0 據(jù)了解,HYPERJUICE這款100W氮化鎵快充還獲得超過(guò)了220萬(wàn)美元的眾籌金額(約合人民幣1500萬(wàn)元),也是目前獲得用戶支
持度最高的氮化鎵充電器產(chǎn)品之一,對(duì)氮化鎵以及100W PD快充
2023-02-21 14:38:35
2 氮化鎵充電器的誕生讓大功率的充電器濃縮成一個(gè)小小的產(chǎn)品,不起眼的充電器也能變成發(fā)燒友的玩物,65W功率上已有多款氮化鎵面世,但對(duì)于大功率的氮化鎵
充電器,市面上推出的產(chǎn)品并不多。日前眾籌網(wǎng)站indiegogo上出現(xiàn)了一款100W氮化鎵充電器,他就是SlimQ F100。
2023-02-22 15:24:09
6 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路,
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性,同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:05
3 氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料,因其卓越的性能而越來(lái)越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同,GaN 具有更寬的帶隙,這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:39
1395 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),加強(qiáng)器件可靠性,降低系統(tǒng)成本,納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù),推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片,進(jìn)一步加速氮化鎵市場(chǎng)普及
2023-03-28 13:58:02
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全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布 已出貨超7500萬(wàn)顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù),它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:53
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航嘉100W氮化鎵快充采用智融SW3516H/SW3526
2023-05-31 10:34:15
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早前,納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí),納微也不斷開(kāi)發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品線,拓展新興應(yīng)用市場(chǎng)。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:19
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納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:04
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進(jìn)入三星進(jìn)供應(yīng)鏈:納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),氮化鎵正持續(xù)取代傳統(tǒng)硅功率芯片在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)的市場(chǎng)份額。 Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸,分辨率為2340×
2023-11-03 14:06:31
1663 為支撐如此強(qiáng)大且齊全的功能,蔚來(lái)給這款手機(jī)配備了一顆5,200mAh的大容量電池,隨手機(jī)標(biāo)配的GaNFast氮化鎵快速充電器,可為該手機(jī)提供最大66W的充電功率,為續(xù)航“保駕護(hù)航”。這款由天寶電子打造的充電器體積僅為57×57×30mm(97.5cc)
2023-12-08 15:51:04
1233 材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材,采用不同的工藝在硅上加工制造,而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材,通過(guò)化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料,具有較寬的能隙,電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24
2957 在功率半導(dǎo)體行業(yè),納微半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來(lái)的輝煌歷程,并對(duì)未來(lái)展望了無(wú)限期待。
2024-02-21 10:50:32
1468 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:04
1476 納微半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展。屆時(shí),納微半導(dǎo)體將設(shè)立一個(gè)獨(dú)特而富有未來(lái)感的“納微芯球”展臺(tái),充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術(shù),引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來(lái)世界。
2024-03-16 09:40:58
1416 據(jù)了解,K12搭載長(zhǎng)壽版100W超級(jí)閃充和5500mAh大容量電池,實(shí)現(xiàn)了同檔位罕見(jiàn)的“百瓦閃充+超長(zhǎng)續(xù)航”黃金組合。僅需27分鐘即可充滿電,電池壽命長(zhǎng)達(dá)四年之久。
2024-04-22 16:07:13
1649 納微半導(dǎo)體宣布,其先進(jìn)的GaNFast?氮化鎵功率芯片已被Virtual Forest公司采納,該公司是印度市場(chǎng)上消費(fèi)類(lèi)電器、流體運(yùn)動(dòng)和移動(dòng)領(lǐng)域的佼佼者。此次合作旨在開(kāi)發(fā)一款零排放、功率強(qiáng)勁的太陽(yáng)能灌溉泵,擁有高達(dá)3匹馬力(2,250W)的出色性能。
2024-05-06 15:32:01
846 加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)誠(chéng)邀觀眾參加6月11日-13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺(tái),
2024-05-24 15:37:33
1347 在電力電子領(lǐng)域,納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“納微芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:08
1171 納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:44
1718 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:44
2679 在科技日新月異的今天,充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日,納微半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用,為消費(fèi)者帶來(lái)了前所未有的快充體驗(yàn)。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:49
1787 誠(chéng)芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣,涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級(jí)側(cè)兩到三顆芯片的功能,通過(guò)高集成度的合封芯片,設(shè)計(jì)出精簡(jiǎn)高效的氮化鎵充電器,能夠有效地簡(jiǎn)化充電器設(shè)計(jì)和生產(chǎn)流程,助力Iphone16系列順利發(fā)售,助力行業(yè)客戶迅速搶占市場(chǎng)。
2024-09-10 16:35:39
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近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:31
1138 氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)盡顯,在5G通信、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門(mén)領(lǐng)域,發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:15
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本期為大家?guī)?lái)的是100W氮化鎵充電器詳細(xì)介紹拆解。 這款充電器配備折疊插腳以及2C1A接口,兩個(gè)USB-C口均支持100W PD快充和PPS快充,USB-A口支持30W輸出,在100W功率段快充
2024-11-11 14:59:55
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近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:08
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GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案,預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10
868 近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:38
1787 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:39
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日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過(guò) AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車(chē)規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族, 集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:26
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全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無(wú)損耗電流檢測(cè),效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-05-09 13:58:18
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加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-11-07 16:46:05
2453 前言消費(fèi)者在選購(gòu)第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器
2025-11-13 10:27:08
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評(píng)論