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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>納微半導(dǎo)體CEO強(qiáng)勢(shì)助陣Anker GaNPrime?全球發(fā)布會(huì),GaNSense?技術(shù)助力Anker重新定義氮化鎵

納微半導(dǎo)體CEO強(qiáng)勢(shì)助陣Anker GaNPrime?全球發(fā)布會(huì),GaNSense?技術(shù)助力Anker重新定義氮化鎵

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氮化功率器件再升級(jí):GaNsense?技術(shù)能帶來(lái)怎樣的改變?

以上,這也是目前氮化在手機(jī)充電器上廣泛被應(yīng)用的重要原因。 ? 氮化GaNFast TM 是半導(dǎo)體此前被廣泛應(yīng)用的氮化功率芯片系列,半導(dǎo)體銷(xiāo)售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘釗介紹到,目前全球超過(guò)140款量產(chǎn)中的充電器都采用了的方案,大約150款
2021-11-26 09:42:136891

半導(dǎo)體 (Navitas) 在重要亞洲電子會(huì)議上 展示氮化(GaN) 功率IC

(Navitas) 半導(dǎo)體宣布,將在11月3號(hào)到6號(hào)在上海舉辦的中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)(CPSSC) 上展示最新的氮化(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
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半導(dǎo)體發(fā)布全球首份氮化可持續(xù)發(fā)展報(bào)告

今年2月,半導(dǎo)體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。報(bào)告指出,每顆出貨的清潔、綠色氮化功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放,GaN有望節(jié)省高達(dá) 2.6 億噸/年的二氧化碳排放量,相當(dāng)于 650
2022-06-15 18:19:511086

半導(dǎo)體雙向氮化開(kāi)關(guān)深度解析

前不久,半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
2025-06-03 09:57:502392

半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化功率芯片,GaNSense技術(shù)登場(chǎng)

增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化功率芯片通過(guò)實(shí)時(shí)智能傳感和保護(hù),為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場(chǎng)帶來(lái)最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262519

氮化功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充

氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用 GaNFast 氮化功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091790

半導(dǎo)體新一代氮化功率芯片全力支持vivo旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)120W氮化充電器成功上市

2022年1月18日,半導(dǎo)體正式宣布,其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763

半導(dǎo)體助力Redmi K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)發(fā)布,搭配120W氮化神仙秒充,梅賽德斯F1手機(jī)震撼上市

半導(dǎo)體今天正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片,已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車(chē)隊(duì)共同發(fā)布的K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)所標(biāo)配120W氮化充電器中。
2022-03-14 13:40:021867

半導(dǎo)體宣布成功發(fā)貨超過(guò)四千萬(wàn)顆,氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者加速發(fā)展

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半導(dǎo)體助力一加ACE手機(jī)首款標(biāo)配氮化充電器發(fā)布

GaNFast?功率芯片為一加ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快充,電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號(hào)訊 - 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS),氮化
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半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化芯片,引領(lǐng)氮化邁入集成新高度

芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化功率芯片,帶來(lái)前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時(shí)還減少了提供相同
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— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及GaNFast?氮化功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日發(fā)布 全新一代高度集成的氮化功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim? ,其憑借 最高級(jí)別的集成度和散熱性能 ,可為 手機(jī)
2024-10-17 16:31:091304

2019全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì)

`中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著前所未有的發(fā)展機(jī)遇,只有抓住這個(gè)時(shí)間窗口才能重新定義全球市場(chǎng)格局。本博覽會(huì)歡迎你的到來(lái),共同發(fā)展,展示領(lǐng)先技術(shù),提升品牌影響力,擴(kuò)大用戶市場(chǎng)。 時(shí)間:2019.5.8-10
2018-12-23 19:30:28

2019全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì)

`中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著前所未有的發(fā)展機(jī)遇,只有抓住這個(gè)時(shí)間窗口才能重新定義全球市場(chǎng)格局。本博覽會(huì)歡迎你的到來(lái),共同發(fā)展,展示領(lǐng)先技術(shù),提升品牌影響力,擴(kuò)大用戶市場(chǎng)。 時(shí)間:2019.5.8-10地點(diǎn):重慶國(guó)博中心網(wǎng)站:www.gsiecq.com組委會(huì)聯(lián)系方式:***(李先生)`
2018-11-12 08:30:14

2019全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì)

`中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著前所未有的發(fā)展機(jī)遇,只有抓住這個(gè)時(shí)間窗口才能重新定義全球市場(chǎng)格局。本博覽會(huì)歡迎你的到來(lái),共同發(fā)展,展示領(lǐng)先技術(shù),提升品牌影響力,擴(kuò)大用戶市場(chǎng)。`
2018-09-17 08:23:21

半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么?

)、氮化(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20

氮化GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快

;這也說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)于充電器功率的市場(chǎng)需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進(jìn)氮化快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化方案主要來(lái)自PI和半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術(shù)助力電源管理革新

的選擇?! ∩罡h(huán)保  為了打破成本和大規(guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì),使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化價(jià)格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16

氮化充電器

是什么氮化(GaN)是氮和化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化發(fā)展評(píng)估

`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用,氮化的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34

集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)

功率氮化電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯 整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

的射頻器件越來(lái)越多,即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同,我們可以將成本做到很低,在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代,需要的器件越來(lái)越多,價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化
2017-07-18 16:38:20

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20

為什么氮化(GaN)很重要?

的設(shè)計(jì)和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì),如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級(jí)為使用氮化功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44

什么是氮化功率芯片?

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑 氮化芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件,即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào),轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。 半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

%。[color=rgb(51, 51, 51) !important]目前,氮化已經(jīng)擁有了足夠廣闊的應(yīng)用空間。作為第三代半導(dǎo)體技術(shù),也是全球各國(guó)爭(zhēng)相角逐的市場(chǎng),并且市面上已經(jīng)形成了多股氮化代表勢(shì)力
2019-07-08 04:20:32

從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來(lái),珠海市未來(lái)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“未來(lái)”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的氮化(GaN)技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02

光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶問(wèn)題

客戶希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題,和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化
2023-02-01 14:52:03

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級(jí)協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航

、努比亞、魅族在內(nèi)的六款氮化快充充電器。加上華為在P40手機(jī)發(fā)布會(huì)上,也發(fā)布了一款65W 1A1C氮化快充充電器,成為第七家入局氮化快充的手機(jī)廠商。從各大知名手機(jī)品牌的布局來(lái)看,氮化快充普及趨勢(shì)
2021-04-16 09:33:21

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

氮化(GaN)是一種全新的使能技術(shù),可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么,為什么關(guān)于氮化半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解?事實(shí)又是怎樣的呢? 關(guān)于氮化技術(shù)
2023-06-25 14:17:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

科大訊飛AI.飛無(wú)界新品發(fā)布會(huì)【限時(shí)報(bào)名】

開(kāi)發(fā)者與我們共同探索新的可能。我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)您參加“科大訊飛AI·飛無(wú)界 新品發(fā)布會(huì)”,與全球人工智能領(lǐng)域?qū)W者、企業(yè)家、創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)一起,關(guān)注、體驗(yàn)、揭秘科大訊飛AIUI的全新升級(jí)。 從機(jī)器為中心的人
2018-05-14 21:16:36

誰(shuí)發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

氮化(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn) 蘇州維的2英寸氮化名列第一

氮化單晶材料生長(zhǎng)難度非常大,蘇州維的2英寸氮化名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化襯底晶片。氮化半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非??欤瑯右彩?b class="flag-6" style="color: red">氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710

Anker槍炮玫瑰移動(dòng)電源:接連斬獲IF、紅點(diǎn)兩項(xiàng)設(shè)計(jì)大獎(jiǎng)

配件最暢銷(xiāo)的賣(mài)家!據(jù)統(tǒng)計(jì),Anker暢銷(xiāo)180多個(gè)國(guó)家,平均每三秒鐘就有一名新用戶選擇Anker,也成為真正意義上的全球移動(dòng)充電品牌。 無(wú)獨(dú)有偶,Anker發(fā)布新款移動(dòng)電源——Anker 槍炮玫瑰移動(dòng)電源。 此款移動(dòng)電源,接連斬獲IF、紅點(diǎn)兩項(xiàng)設(shè)計(jì)大獎(jiǎng),紅與黑的配色設(shè)計(jì)
2018-03-26 16:47:005790

Anker新品發(fā)布會(huì)上推出多款充電周邊產(chǎn)品

10月24日下午消息,Anker安克創(chuàng)新在紐約舉辦2019年新品發(fā)布會(huì)發(fā)布了多款充電周邊產(chǎn)品。
2019-10-24 17:15:504796

Anker GaN系列的三款新品氮化充電器已上線

本屆CES 2020我們看到了Anker品牌的亮相,作為氮化充電器最早上市的品牌,Anker帶來(lái)多款全新的氮化充電器品亮相國(guó)際展臺(tái)。
2020-01-13 14:16:351799

全球領(lǐng)先!半導(dǎo)體氮化芯片出貨量超1300萬(wàn)顆

半導(dǎo)體今日正式宣布,其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄,已向市場(chǎng)成功交付超過(guò)1300萬(wàn)顆氮化(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142251

氮化功率芯片的開(kāi)創(chuàng)者打造充電新方式

? 半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)是全球氮化功率芯片的開(kāi)創(chuàng)者,成立于2014年,總部位于愛(ài)爾蘭,在深圳、杭州、上海都擁有銷(xiāo)售和研發(fā)中心。半導(dǎo)體擁有一支強(qiáng)大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013980

半導(dǎo)體閃亮登場(chǎng)慕尼黑上海電子展,氮化最新工業(yè)級(jí)應(yīng)用產(chǎn)品首次公開(kāi)亮相

DUBLIN, IRELAND —(PRWeb) 半導(dǎo)體宣布,在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上,成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化工業(yè)應(yīng)用首秀。
2021-04-27 14:11:531302

福布斯專訪半導(dǎo)體:談氮化在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用

半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了 GaNFast 氮化功率芯片的相關(guān)信息,并且介紹了氮化功率芯片在電動(dòng)汽車(chē)以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:212060

??怂闺娨暸_(tái)專訪半導(dǎo)體CEO氮化技術(shù)走向世界

截至 2021 年 5 月,超過(guò) 2000 萬(wàn)片 GaNFast?? 氮化功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301765

半導(dǎo)體CTO登場(chǎng)SEMICON Taiwan 2021大會(huì),介紹氮化技術(shù)

 氮化(GaN)是下一代半導(dǎo)體技術(shù),它的器件開(kāi)關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201780

奧運(yùn)冠軍代言全新小米手機(jī) Civi,半導(dǎo)體與小米四度合作!

半導(dǎo)體今日宣布,小米正式發(fā)布新款智能手機(jī)小米 Civi,配備采用 GaNFast 氮化功率芯片的 55W 氮化充電器。
2021-10-08 11:45:092410

半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克,以股票代碼NVTS上市交易

氮化功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(“”)的股票,正式開(kāi)始在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易,股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630

半導(dǎo)體出席小米技術(shù)demoday,共同展望氮化應(yīng)用未來(lái)

全球氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體,在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上,展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311289

CNBC專訪半導(dǎo)體全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的氮化功率芯片設(shè)計(jì)中心展望及新聞稿

美西時(shí)間2月4日,半導(dǎo)體再次接受CNBC專訪。CEO Gene Sheridan在采訪中表示,電動(dòng)汽車(chē)是下一個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。
2022-02-08 09:37:561531

半導(dǎo)體助力 realme 發(fā)布全球最快智能手機(jī)充電技術(shù)

全球首款160W氮化充電器亮相MWC 2022,半導(dǎo)體GaNFast??技術(shù)進(jìn)入realme GT Neo 3智能手機(jī)供應(yīng)鏈。
2022-03-01 16:34:371332

半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化功率芯片20年質(zhì)保承諾

氮化作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化功率集成芯片技術(shù),集成了氮化功率場(chǎng)效應(yīng)管(GaN Power[FET])、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201

半導(dǎo)體再次進(jìn)入vivo手機(jī)供應(yīng)鏈

半導(dǎo)體近期正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold所標(biāo)配的80W有線閃充充電器內(nèi)。
2022-04-27 10:56:422501

半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片加速進(jìn)入快充市場(chǎng)

氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度,將加速進(jìn)入更多類型的快充市場(chǎng)。
2022-05-05 10:32:562302

半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化平臺(tái)NV6169功率芯片

美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169,這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片,可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312749

半導(dǎo)體通過(guò)全球首家CarbonNeutral?公司認(rèn)證

氮化功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體宣布,正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Natural Capital Partners頒發(fā)的CarbonNeutral?公司認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2022-06-06 14:48:112763

半導(dǎo)體助力小米旗下Redmi系列首款筆記本電腦標(biāo)配100W氮化充電器發(fā)布

,近期小米旗下最新發(fā)布的 RedmiBook Pro筆記本電腦系列標(biāo)配 100W 氮化快充已采用搭載下一代 GaNSense? 技術(shù)的新一代智能 GaNFast? 氮化功率芯片。 ? ? 全球
2022-07-01 14:39:402312

Anker推出GaNPrime氮化系統(tǒng)與產(chǎn)品

  “全氮化氮化充電系列有七個(gè)新產(chǎn)品,包括四個(gè)充電器、兩個(gè)移動(dòng)電源和一個(gè)插座,屬于“全氮化氮化充電系列,進(jìn)一步滿足消費(fèi)者多樣化的充電需求。
2022-07-27 16:21:041774

半導(dǎo)體發(fā)布采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片

半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新一代產(chǎn)品,其集成了兩個(gè)GaN FETs 和驅(qū)動(dòng)器,以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能 ,其適用于手機(jī)移動(dòng)、消費(fèi)和工業(yè)市場(chǎng)中100-300W應(yīng)用。
2022-09-09 14:44:532505

好馬配好鞍——未來(lái)氮化隔離驅(qū)動(dòng)器比翼雙飛,助力氮化先進(jìn)應(yīng)用

未來(lái)已來(lái),氮化的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來(lái)。 ? 本文介紹了未來(lái)和氮化方面的技術(shù)合作方案。 未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化器件與隔離驅(qū)動(dòng)器配合,隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化器件
2022-11-30 14:52:251383

氮化與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化晶體管的應(yīng)用

了解氮化 -寬帶隙半導(dǎo)體:為什么? -氮化與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率?
2023-01-15 14:54:252391

氮化半導(dǎo)體技術(shù)制造

氮化(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成,相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:562410

半導(dǎo)體“黑科技”:氮化

來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái),芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中,氮化憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204101

雙碳時(shí)代的芯片可以在氮化上造

半導(dǎo)體如何在氮化上造芯片? 作者丨 周雅 剛剛過(guò)去的10月底,半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成功在納斯達(dá)克上市,上市當(dāng)天企業(yè)價(jià)值10億美元。1個(gè)月后,半導(dǎo)體再進(jìn)
2023-02-21 14:57:110

半導(dǎo)體推出智能GaNFast氮化功率芯片

領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣 布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路, 進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性,同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:053

半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

? 集成的GaNFast氮化功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布旗下
2023-02-28 17:57:131763

新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化功率芯片

在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),加強(qiáng)器件可靠性,降低系統(tǒng)成本,半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù),推出新一代GaNSense? Control合封氮化功率芯片,進(jìn)一步加速氮化市場(chǎng)普及
2023-03-28 13:58:021876

發(fā)貨量超75,000,000顆!半導(dǎo)體創(chuàng)氮化功率器件出貨“芯”高峰

全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布 已出貨超7500萬(wàn)顆高壓氮化功率器件。 氮化是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù),它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041

半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化+低壓硅系統(tǒng)控制器方案

氮化是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 15:01:47925

半導(dǎo)體氮化和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用

電子展上,半導(dǎo)體帶來(lái)不少新品,包括最新發(fā)布GaNSense Control合封技術(shù)、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊,進(jìn)一步開(kāi)發(fā)工業(yè)、家電、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電動(dòng)汽車(chē)等市場(chǎng)。 ? 半導(dǎo)體高級(jí)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師羅月亮對(duì)電子發(fā)
2023-08-01 16:36:192934

氮化半導(dǎo)體芯片和芯片區(qū)別

氮化半導(dǎo)體芯片(GaN芯片)和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先,氮化半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956

半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布其GaNFast?氮化功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476

半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

氮化和碳化硅技術(shù)并進(jìn),下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體
2024-03-13 13:48:331419

半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)頭羊,近日公布了其針對(duì)AI人工智能數(shù)據(jù)中心的最新電源技術(shù)路線圖。此舉旨在滿足未來(lái)12至18個(gè)月內(nèi),AI系統(tǒng)功率需求可能呈現(xiàn)高達(dá)3倍的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2024-03-16 09:39:551722

半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展。屆時(shí),半導(dǎo)體將設(shè)立一個(gè)獨(dú)特而富有未來(lái)感的“芯球”展臺(tái),充分展示其最新氮化和碳化硅技術(shù),引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來(lái)世界。
2024-03-16 09:40:581411

氮化技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵

氮化技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時(shí)讓印度農(nóng)民無(wú)需再使用遠(yuǎn)距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機(jī)。
2024-04-22 14:07:26954

半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化與碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域,半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171

CNBC對(duì)話CEO,探討下一代氮化和碳化硅發(fā)展

近日,半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC,與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對(duì)話,分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的需求下,下一代氮化和碳化硅將迎來(lái)怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343

半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化快充

加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670

聯(lián)想新品充電器搭載半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片,革新快充體驗(yàn)

在科技日新月異的今天,充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日,半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用,為消費(fèi)者帶來(lái)了前所未有的快充體驗(yàn)。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787

半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化功率芯片

近日,半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311138

十年,氮化GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)十年前半導(dǎo)體作為氮化行業(yè)的先鋒,成功地將氮化功率器件帶入消費(fèi)電子市場(chǎng),幫助客戶打造了許多氮化充電器的爆款產(chǎn)品,也推動(dòng)了“氮化”的認(rèn)知普及,當(dāng)然也成就了
2024-10-23 09:43:592386

半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源,其
2024-11-08 11:33:162108

半導(dǎo)體邀您相約CES 2025

近日, 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉
2024-12-09 11:50:311435

半導(dǎo)體氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237

半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案,預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度,加速氮化和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867

半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381786

半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化
2025-03-13 15:49:393001

半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

日訊——半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過(guò) AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車(chē)規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著氮化技術(shù)在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族, 集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:264301

專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)打造!全新GaNSense?氮化功率芯片為家電及工業(yè)應(yīng)用帶來(lái)行業(yè)領(lǐng)先的性能、效率與可靠性

全集成保護(hù)型氮化功率芯片搭配雙向無(wú)損耗電流檢測(cè),效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-05-09 13:58:181260

Anker “智控桌面充管家”再添雙星!未來(lái)GaN賦能極簡(jiǎn)美學(xué)新視界

GaNext助力|極簡(jiǎn)桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時(shí)代,未來(lái)以尖端氮化技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日,我們攜手全球消費(fèi)電子巨頭 Anker,共同打造兩款高顏值、便攜型桌面充電產(chǎn)品
2025-06-25 10:31:151191

半導(dǎo)體攜手力積電,啟動(dòng)8英寸氮化晶圓量產(chǎn)計(jì)劃

關(guān)系 ,正式啟動(dòng)并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸硅基氮化技術(shù)生產(chǎn)。 半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將使用位于臺(tái)灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548

全球氮化巨頭半導(dǎo)體更換CEO

半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布一項(xiàng)重要人事任命:董事會(huì)已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官,自2025年9月1日起正式履職。同時(shí),Chris
2025-08-29 15:22:423924

半導(dǎo)體助力英偉達(dá)打造800 VDC電源架構(gòu)

半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達(dá)800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化,650V氮化和高壓碳化硅功率器件,以實(shí)現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。
2025-10-15 15:54:592482

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