公平競爭，中國半導(dǎo)體人沒有怕過誰。

半導(dǎo)體存儲芯片分類淺述

提到存儲器，我們不會陌生，最早我們聽的CD，看的DVD就屬于光學(xué)存儲器。以前老式電腦用的方形磁盤，軟盤就屬于磁性存儲器。但也有可能現(xiàn)在很多年輕人對這些老古董沒有概念，特別是CD和軟盤，現(xiàn)在已經(jīng)很難在市場上看到。因為無論是光學(xué)存儲器還是磁性存儲器都干不過半導(dǎo)體存儲器。半導(dǎo)體存儲器以其穩(wěn)定的質(zhì)量，高速的存儲速度，相同存儲容量下更小的體積，可選擇性更廣的存儲容量和存儲應(yīng)用種類等優(yōu)點逐步發(fā)展成為目前應(yīng)用領(lǐng)域最廣，市場規(guī)模最大的存儲器件。

NAND Flash

半導(dǎo)體存儲芯片屬于通用型集成電路，是集成電路中規(guī)模占比最大的細(xì)分產(chǎn)品之一。根據(jù)WSTS 的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2021年全球集成電路規(guī)模約為4608億美元，其中存儲芯片就占到了超過3成，達(dá)到了1538億美元。其中DRAM和NAND FLASH兩大類存儲芯片合計占到了其中的97%，余下的NOR FLASH占了2%,其它存儲芯片合計占比僅1%。 存儲芯片按斷電后是否能保留住存儲的數(shù)據(jù)，分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。 易失性存儲芯片，顧名思義就是容易丟失數(shù)據(jù)的存儲芯片。但不要誤解，這并不是說這類存儲芯片的質(zhì)量有任何的問題，而是因為其存儲技術(shù)特點造成的。主要的易失性存儲芯片有DRAM和SRAM兩種。DRAM因為是通過電容沖放電來讀取數(shù)據(jù)，所以需要不斷充放電刷新，一旦斷電，保存的數(shù)據(jù)就會消失。SRAM雖然不需要反復(fù)刷新，主要通過更為復(fù)雜的設(shè)計來讀取和保持?jǐn)?shù)據(jù)，但一旦斷電，也會導(dǎo)致信號不斷衰減到不可讀取。雖然SRAM速度更快，能耗更低，但因為其設(shè)計復(fù)雜導(dǎo)致容量小，價格貴，所以只用在高帶寬，低功耗的場景。比如CPU內(nèi)部的一級緩存和內(nèi)置的二級緩存。應(yīng)用最廣泛就是DRAM，其高速，低成本，高容量的特點給予了產(chǎn)品高性價比，廣泛用于計算機，手機，服務(wù)器的運行數(shù)據(jù)保存應(yīng)用領(lǐng)域。通俗來說就是電腦和手機里的內(nèi)存條和內(nèi)存模組就是DRAM存儲器。

海力士韓國新FAB廠

和易失性存儲芯片對應(yīng)的就是非易失性存儲芯片，很容易理解就是在斷電后一樣可以持續(xù)保存數(shù)據(jù)信息的存儲芯片。比如我們?nèi)粘Ｉ钪衅毡槭褂玫腢盤和移動硬盤，就是典型的非易失性存儲芯片產(chǎn)品。非易失性存儲芯片可以分為閃存，就是FLASH 和只讀存儲器兩大類。Flash是市場主流，其又可以按存儲單元結(jié)構(gòu)和原理的不同分為NAND FLASH和 NOR FLASH。NAND是NOTAND的縮寫，代表是與非， NOR是NOTNOR的縮寫，代表是或非。兩相比較，NAND FLASH 的存儲單元尺寸更小，密度更高，單位容量成本更低，讀寫速度快，具有更長的壽命，被大量應(yīng)用在電腦，手機，固態(tài)硬盤，服務(wù)器等領(lǐng)域。這種屬于非易失性存儲芯片的NAND FLASH和前面提到的屬于易失性存儲芯片的DRAM，這兩種存儲芯片就占了全球半導(dǎo)體存儲芯片市場規(guī)模的97%。

時任美國司法部長Jeff Sessions在新聞發(fā)布會上宣布對盜取美光商業(yè)機密的一家中國公司采取刑事執(zhí)法行動

而這1538億美元的全球半導(dǎo)體存儲芯片市場，基本被幾家外資半導(dǎo)體大廠瓜分，全球存儲芯片市場進(jìn)一步集中。同時我國作為半導(dǎo)體集成電路消費大國，2021年全年進(jìn)口半導(dǎo)體集成電路4326億美元，位居單一商品進(jìn)口額第一。其中存儲芯片進(jìn)口總額1196億美元，占全年半導(dǎo)體芯片進(jìn)口總額的27.6%?？梢哉f中國每年買了全世界生產(chǎn)的存儲芯片一半的量。中國政府和企業(yè)為了扭轉(zhuǎn)這一局面，近二十年投入了大量的資金和人力，也受到了以美國為首的西方國家和頭部存儲廠商的打壓，從早年的福建晉華案，到最近的對長江存儲和長鑫存儲被制裁，想要從存儲芯片打開突破口還有長期的硬仗要打。

中國是全球最大的半導(dǎo)體單一市場

福建晉華案（上）

前面我們提到，全球每年的存儲芯片的市場規(guī)模在1600億美元左右，而且隨著高性能計算機，服務(wù)器，邊緣計算，智能穿戴市場，物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)全球市場規(guī)模的不斷做大，存儲器市場將迎來爆發(fā)式的增長。 存儲芯片作為通用型集成電路，產(chǎn)品自主性強，需求量大適合規(guī)?；a(chǎn)，產(chǎn)品價格和市場行情具有周期性特點，因此全球存儲芯片市場長期以來就是各國政府和企業(yè)的必爭之地。 在我們之前提到日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)緊急強化法案的時候我們就談到之前日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起，在八十年代日本半導(dǎo)體出口一度占據(jù)全球半導(dǎo)體市場一半的量，培養(yǎng)出日立，NEC，富士通，三菱和東芝一系列半導(dǎo)體大廠。最風(fēng)光的時期，日本企業(yè)占領(lǐng)全球DRAM市場90%以上的份額，規(guī)模效益幫助日本企業(yè)直接把DRAM的價格打到地板價，也直接打的英特爾和AMD宣布退出DRAM市場競爭。在日本企業(yè)高歌猛進(jìn)之時，美國政府直接出手，逼迫日本政府先后簽訂廣場協(xié)議和美日半導(dǎo)體協(xié)議，又通過扶持韓國三星和半導(dǎo)體反傾銷調(diào)查直接干廢了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。替代的是韓國半導(dǎo)體企業(yè)的崛起。這些在前面談韓國半導(dǎo)體政策和日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)法案的時候都詳細(xì)提到過，有興趣的小伙伴可以在喜馬拉雅搜索大國陽謀-半導(dǎo)體芯片說去收聽下。

全球存儲芯片市場規(guī)模

目前的存儲芯片主要是被美韓兩國的企業(yè)瓜分。前面提到的NAND FLASH和DRAM兩大類存儲芯片市場呈現(xiàn)出高度集中化的特點。根據(jù)OMDIA的數(shù)據(jù)，2020年NAND FLASH 98%的全球市場由韓國三星，日本鎧俠，美國美光，韓國SK海力士，美國英特爾六家公司瓜分。其中海力士收購了英特爾的NAND FLASH業(yè)務(wù)，占比達(dá)到20%，僅次于三星的34%。而DRAM市場因為極高的資金，技術(shù)和專利壁壘，更呈現(xiàn)出高度壟斷形勢，全球近95%的市場份額被三星，海力士和美光三家企業(yè)占據(jù)。

韓國半導(dǎo)體巨頭擅長反周期投資，進(jìn)一步打擊對競爭對手

中國作為存儲芯片消費大國，每年花費在在進(jìn)口存儲芯片的資金超千億美元。面對被外資壟斷的存儲芯片市場，嘗盡大廠動不動就以停電，設(shè)備檢修，火災(zāi)等借口進(jìn)行斷供和要求漲價行為的國內(nèi)各行業(yè)，可以說天下苦三星爾等久矣！加上存儲芯片特別是DRAM的制程技術(shù)相對成熟，理所當(dāng)然的被中國政府和企業(yè)定為重點國產(chǎn)替代目標(biāo)。 2016年2月，泉州，晉江兩級政府拉上福建省電子信息集團(tuán)，晉江能源投資集團(tuán)有限公司共同出資近60億美元，通過成立福建晉華在福建省晉江市計劃建設(shè)12英寸DRAM產(chǎn)線，規(guī)劃目標(biāo)產(chǎn)能每月六萬片。并與臺灣聯(lián)電簽訂合作協(xié)議，晉華提供3億美元委托聯(lián)電采購專用設(shè)備，再提供4億美元主要依靠聯(lián)電研發(fā)32納米DRAM制程技術(shù)，不但設(shè)備都放置在聯(lián)電的南科12A廠，而且研發(fā)成功的技術(shù)也將由聯(lián)電和晉華共同所有。簡單來說就是晉華出錢，聯(lián)電提供技術(shù)，如果成功，將徹底改變存儲芯片市場格局，因此合作雙方都極為重視這次合作。聯(lián)電為了協(xié)助晉華12英寸DRAM工廠的建設(shè)，更是派出了資深副總裁陳正坤擔(dān)任晉華總經(jīng)理。

福建晉華案（下

正當(dāng)雙方擼起袖子準(zhǔn)備大干一場的時候，始終在背后關(guān)注的美光開始率先發(fā)難。2017年9月，美光指控其前雇員跳槽到聯(lián)電時，竊取帶走了美光的DRAM機密資料，并用于晉華32納米DRAM的芯片開發(fā)。緊接著在當(dāng)年12月，美光馬上向美國加州聯(lián)邦法院提交控告，指控晉華和聯(lián)電竊取商業(yè)機密。作為反擊，晉華馬上在2018年1月向福州市人民法院對美光提出控訴，指控美光在華銷售產(chǎn)品涉嫌侵犯其專利權(quán)。

2018年7月3號，福州中級法院針對美光半導(dǎo)體西安和上海工廠發(fā)布初步禁令，禁止美光在中國銷售包含固態(tài)硬盤和記憶卡產(chǎn)品在內(nèi)的26款DRAM和閃存產(chǎn)品。聯(lián)電也發(fā)布相關(guān)聲明自證清白，強調(diào)聯(lián)電過去投入了大量資金研發(fā)半導(dǎo)體邏輯和存儲器芯片技術(shù)，并取得了大量的專利，聯(lián)電將持續(xù)啟動專利侵權(quán)訴訟，維護(hù)專利權(quán)。如果說這種相互起訴還只是商務(wù)競爭層面的斗爭。之后美國政府的強勢介入，徹底讓這場競爭喪失了懸念。 2018年10月29日，美國以莫須有的罪名將福建晉華列入實體清單，聲稱晉華一直使用懷疑是從美國進(jìn)口的DRAM技術(shù)，可能威脅美國芯片供應(yīng)商向美國政府提供用于高科技系統(tǒng)產(chǎn)品的能力，因此將晉華列入出口限制名單，并在第二天立即生效。發(fā)布消息的當(dāng)天，各大半導(dǎo)體設(shè)備廠商的駐場技術(shù)人員就撤出了晉華，所有產(chǎn)線設(shè)備進(jìn)入停機狀態(tài)。直到今天這些設(shè)備依舊靜靜的躺在晉華的廠房內(nèi)，而當(dāng)時產(chǎn)線距離研發(fā)成功投產(chǎn)大概也就差三個月的時間。

緊接著，美國商務(wù)部對聯(lián)電，晉華，以及包括晉華總經(jīng)理陳正坤在內(nèi)的數(shù)人提起司法訴訟，其中的經(jīng)濟間諜罪一旦成立，陳正坤等人將面臨最高15年的有期徒刑和500萬美元的罰款，而對聯(lián)電和晉華的罰款更將高達(dá)200億美元。 隨著美國商務(wù)部下場干預(yù)，原本還只是商務(wù)競爭的互相訴訟迅速變成了刑事犯罪的指控，更上升到大國博弈的層面。聯(lián)電馬上開始和晉華進(jìn)行切割，開始向美光妥協(xié)，并向美國司法部提交量刑建議函，希望通過承認(rèn)侵害一項營業(yè)機密，加上支付6000萬美元以換取和美國司法部達(dá)成和解，并承諾在3年主管管理緩刑期間與美國司法部合作。緊接著聯(lián)電又與美光達(dá)成全球諒解協(xié)議，聯(lián)電一次性支付和解金給美光，雙方各自撤回所有在各國針對對方的訴訟。聯(lián)電通過認(rèn)罪賠錢，迅速從這場紛爭中脫身，這使晉華處境更加艱難。即使在聯(lián)電提交法院的600多萬份文件中找不到一項證據(jù)，但依舊被美國定義為惡劣企業(yè)，固定在限制出口的實體清單內(nèi)?；緵]有翻盤的希望，近60億美元投資的12英寸DRAM產(chǎn)線也再無重啟的可能。 經(jīng)此一役，臺灣半導(dǎo)體企業(yè)對大陸半導(dǎo)體企業(yè)的合作評估更加小心謹(jǐn)慎。近年來更是對大陸半導(dǎo)體企業(yè)和資本拒而遠(yuǎn)之。也讓我們認(rèn)識到技術(shù)不是無根之水，必須掌握在自己手里才能確保將來不會再被釜底抽薪。時不我待，長江存儲和長鑫存儲分頭發(fā)力，再次舉起存儲芯片國產(chǎn)化的大旗。

?長鑫存儲專攻DRAM

2016年，當(dāng)福建晉華如火如荼的籌備12英寸產(chǎn)線的時候，已經(jīng)在NORFLASH細(xì)分領(lǐng)域殺出一條血路的兆易創(chuàng)新，也決定向被國際巨頭高度壟斷的DRAM存儲領(lǐng)域進(jìn)軍，在合肥政府的大力加持下，長鑫存儲在安徽合肥成立。當(dāng)年急于加強自身存在感的合肥政府，為了能讓自己的經(jīng)濟發(fā)展配得上省會城市的身份，決定把合肥打造成一個IC之都。在聽到兆易創(chuàng)新打算建設(shè)DRAM代工廠時，馬上和兆易創(chuàng)新簽下合約共同創(chuàng)立合肥長鑫，并提供率先提供75%的項目資金，兆易創(chuàng)新只需出剩下的25%。并且合肥政府不干預(yù)長鑫營運，完全由兆易創(chuàng)新負(fù)責(zé)營運。

2016年5月，合肥長鑫正式誕生，和同年成立的福建晉華，長江存儲組成存儲器三駕馬車，一同踏上了存儲芯片國產(chǎn)化的征程。因為長鑫誕生在5月6號，所以也被稱為506項目，多年之后506項目也成為存儲器國產(chǎn)三駕馬車中第一個宣布投片的項目。 和福建晉華一樣，合肥長鑫把目標(biāo)定在了市場需求最大的DRAM市場。但與福建晉華完全依賴臺灣聯(lián)華電子開發(fā)DRAM技術(shù)不同，合肥長鑫在芯片大佬朱一明的領(lǐng)導(dǎo)下，一開始就決定把技術(shù)捏在自己手里。合肥長鑫在用兩年時間陸續(xù)完成廠房建設(shè)，設(shè)備安裝和驗機的同時，也馬不停蹄的在一邊滿世界收羅DRAM先進(jìn)技術(shù)，一邊大力投入資金自己吸收研發(fā)相關(guān)技術(shù)。

作為技術(shù)落后的追趕者，最簡單有效的方法要么收購擁有先進(jìn)技術(shù)的企業(yè)，或者退一步收購其先進(jìn)的技術(shù)，但在技術(shù)是核心競爭力的今天，沒有一家公司會愿意把核心技術(shù)對外出售，更不會把擁有先進(jìn)技術(shù)的公司這樣下金蛋的母雞拱手讓人。當(dāng)今存儲器市場霸主三星，海力士和美光，每一家都在巨資推進(jìn)存儲顆粒制造技術(shù)和提升制程能力的同時，對自己的技術(shù)進(jìn)行著人盯人式的嚴(yán)密的監(jiān)控，每年大量的資金投入到技術(shù)封鎖和專利訴訟，不予余力的加固和推高技術(shù)壁壘。 但中國的半導(dǎo)體人并沒有絕望，巨大的技術(shù)差距，反而給我們帶來機會。

上世紀(jì)八九十年代半導(dǎo)體市場的日美爭霸，到后面的韓國半導(dǎo)體企業(yè)的崛起，歐洲半導(dǎo)體企業(yè)加入后的四國大戰(zhàn)，基本都是在存儲器市場的絞殺，那一段時間城頭大王旗此起彼伏，不但美國政府下場干預(yù)，韓國更是傾舉國之力幾乎賭上國運，期間出現(xiàn)了許多優(yōu)秀的公司，最終湮滅在這修羅場，硝煙散去后，讓我們看到了機會。 2019年5月在上海舉辦的GSA存儲器峰會上，合肥長鑫首次公布了DRAM技術(shù)來源，是已經(jīng)破產(chǎn)十余年，曾經(jīng)的世界存儲器巨人奇夢達(dá)。合肥長鑫共獲得約2.8TB的技術(shù)數(shù)據(jù)，約一千多萬份與DRAM相關(guān)的技術(shù)文件。更同時宣布，長鑫燒掉超25億美元的研發(fā)資金，一舉將奇夢達(dá)46納米的工藝突破推進(jìn)到10納米，和世界第一梯隊的差距只剩一個身位。之后更是在2019年上市LPDDR4存儲產(chǎn)品，并在2020年2月開始大規(guī)模銷售。這是第一個真正意義上的國產(chǎn)化內(nèi)存芯片。自此世界DRAM市場被我們撕開了一道口子。

按以往的劇情發(fā)展，這個時候就應(yīng)該準(zhǔn)備應(yīng)對馬上到來的專利訴訟了，長鑫通過收購奇夢達(dá)的專利真能避開專利訛詐嗎？讓我們來看看奇夢達(dá)的專利純潔度有多高？ ?

悲劇英雄奇夢達(dá)

1999年英飛凌從西門子獨立并逐步成長為一家著名的半導(dǎo)體公司，近些年來在碳化硅領(lǐng)域英飛凌長線布局，成為市場的領(lǐng)導(dǎo)者和技術(shù)的領(lǐng)先者。但在存儲芯片領(lǐng)域，當(dāng)年的英飛凌卻患得患失，最終在與有舉國之力支持的韓國半導(dǎo)體企業(yè)的競爭中全線潰敗。 2005年，英飛凌將存儲業(yè)務(wù)獨立出來成立了奇夢達(dá)公司，當(dāng)時的奇夢達(dá)可謂風(fēng)光無限，第一家擁有12英寸/300毫米晶圓產(chǎn)線的內(nèi)存廠家，并在全球擁有5個300毫米的晶圓生產(chǎn)基地，是當(dāng)年300毫米晶圓使用率最高的企業(yè)。

與臺灣南亞科合資成立華亞科，將90納米的工藝率先推進(jìn)到75納米，推出DRAm兩大分支技術(shù)之一的DRAM溝槽式技術(shù)，同時在全球擁有5個全球研發(fā)中心。更是在2008年宣布突破30納米工藝，計劃跳過GDDR4，直接上GDDR5內(nèi)存。 可以說奇夢達(dá)通過在技術(shù)和設(shè)備工藝上激進(jìn)的投入，在當(dāng)年處于絕對領(lǐng)先的地位。但這也導(dǎo)致其在2008年上半年EBIT從2007上半年盈利3.35億歐元，直接到虧損10.58億歐元。這簡直可以用觸目驚心來形容，放在平時也許能勉強支撐，但這卻是發(fā)生在2008年。2008年下半年開始全球性的金融危機率先從美國爆發(fā)，并蔓延至全球。這給本來就已經(jīng)疲軟的DRAm顆粒市場帶來了沉重一擊，價格一路下跌，在跌破現(xiàn)金成本價后，更是在三星為代表的韓國企業(yè)的反周期投資的推波助瀾下，價格直接雪崩跌破材料價，暴跌至0.31美元。而同一時期DRAM生產(chǎn)廠商的材料成本就要0.7美元，現(xiàn)金成本更是高達(dá)1.4美元，作為歐洲企業(yè)的奇夢達(dá)本身人力成本就高，導(dǎo)致產(chǎn)品定價本就略高于亞洲企業(yè)，韓國企業(yè)的落井下石直接把奇夢達(dá)推到了破產(chǎn)的邊緣。

奇夢達(dá)員工抗議福利下降

關(guān)于韓國企業(yè)的反周期投資策略，感興趣的可以去聽一下前幾期的關(guān)于韓國半導(dǎo)體企業(yè)的相關(guān)節(jié)目-K計劃-韓國超級半導(dǎo)體戰(zhàn)略解讀。與韓國政府舉全國之力支持韓國半導(dǎo)體企業(yè)恰恰相反，德國政府在最后時刻出乎意料的放棄了救助奇夢達(dá)，因此奇夢達(dá)徹底跌入破產(chǎn)深淵，開啟了各種資產(chǎn)甩賣。 2009年，德國政府明確放棄救助奇夢達(dá)，母公司英飛凌也拒絕伸出援手。奇夢達(dá)正式宣布破產(chǎn)。

期間，奇夢達(dá)并非沒有做出過自救的努力，2008年10月將其在華亞科的全部股份作價4億美元出售給美光。10月更是宣布數(shù)千人的裁員計劃。但這一切在天量的財務(wù)虧損前面幾乎就是杯水車薪。誰也不會想到母公司英飛凌和德國政府會放棄當(dāng)時技術(shù)領(lǐng)先，單月12寸晶圓產(chǎn)量位居世界第五的奇夢達(dá)。

破產(chǎn)后的奇夢達(dá)在破產(chǎn)管理人的主持下，從土地到廠房，從股權(quán)到技術(shù)專利，開始全球甩賣。正所謂一鯨落萬物生。奇夢達(dá)在全球的工廠成為了各家爭搶的目標(biāo)。德州儀器通過收購其在美國的12寸晶圓廠成為全球第一家12寸晶圓模擬芯片廠家。 中國企業(yè)也沒有閑著，奇夢達(dá)在西安的研發(fā)中心和在歐洲的高端封測生產(chǎn)線被中方合作伙伴收購，并在一系列的分立合并后成為組建紫光半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集團(tuán)的重要部分。奇夢達(dá)在蘇州的模組廠和封測廠被國資蘇州創(chuàng)投收購，之后又被晶方科技收入囊中。這可謂是當(dāng)時中國最為成功的抄底。 除了工廠和產(chǎn)線，最吸引人們目光的是其大量的專利技術(shù)的去向。2012年，其破產(chǎn)管理人宣布開始拋售近7500份的專利技術(shù)。

曾經(jīng)的合作伙伴華邦選擇和日企爾必達(dá)合作，買斷了奇夢達(dá)的GDDR產(chǎn)品的技術(shù)授權(quán)，從此拿到GDDR市場入場券，并獲得當(dāng)時最先進(jìn)的46納米制程工藝技術(shù)。同一時期，華亞科也獲得了一部分的GDDR技術(shù)授權(quán)，用以抵償奇夢達(dá)欠下的貨款。這時已經(jīng)是華亞科股東的美光更是在不久的將來收購了爾必達(dá)，奇夢達(dá)的技術(shù)授權(quán)轉(zhuǎn)到了美光手中，這也使美光在將來對長鑫進(jìn)行專利訛詐埋下了種子。這在后面會再展開。

?奇夢達(dá)夢回長鑫

也許是想重返存儲器市場，從金融危機中緩過來的奇夢達(dá)母公司英飛凌出人意料的在2014年通過支付近2.6億歐元，將奇夢達(dá)的所有專利打包收購。其中1.35億用于破產(chǎn)爭議的庭外和解，1.25億用于打包收購專利。正當(dāng)市場都等著看英飛凌將以何種方式重返存儲器市場時，英飛凌卻又在一年后再一次讓所有人大跌眼鏡，其出乎意料的將所有奇夢達(dá)專利以不到當(dāng)年收購價兩成的價格賤賣給了北極星公司。一家專門以倒賣專利的國際專利販子。 這讓長鑫存儲看到了機會，通過不斷在市場上的搜尋，長鑫從北極星和其母公司W(wǎng)i-Lan公司手中買下了奇夢達(dá)的內(nèi)存專利。具體金額沒有在公開市場披露，但考慮到目前中國半導(dǎo)體企業(yè)對技術(shù)的渴望和在世界半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中到處被封鎖和制裁的現(xiàn)狀，這必定是一筆讓W(xué)i-Lan無法拒絕的報價。但對于財大氣粗的長鑫來說獲得奇夢達(dá)的技術(shù)遺產(chǎn)，這只是DRAM突圍戰(zhàn)中的第一步。長鑫通過進(jìn)一步25億美元的研發(fā)投入，將制程工藝從46納米推進(jìn)到了10納米，一舉進(jìn)入DRAM第一梯隊，死死咬住了三星，海力士和美光。

這一度讓我們看到了芯片自給率大幅提高的可能，作為存儲芯片消費大國，如果能在DRAM存儲芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)化，那將顛覆整個存儲器行業(yè)格局。 但福建晉華的教訓(xùn)依然在眼前，考慮到奇夢達(dá)的專利當(dāng)年一樣授權(quán)給了華邦，華亞科，爾必達(dá)，而美光又收購了華亞科和爾必達(dá)，這就給美光進(jìn)行專利訴訟糾纏留下了機會。并且美光也曾對長鑫露出獠牙，在2020年，美光就在公開場合聲稱長鑫的DRAm芯片技術(shù)侵犯其專利，并表示將對長鑫提起專利訴訟。 但之后又沒有了下文，有分析指出美光是在等待一個合適的時機，在利益可以最大化的時候?qū)﹂L鑫提起專利訴訟和索賠。熟悉西方公司專利訟棍慣常伎倆的人都對這種手法不會陌生。西方公司都會等到目標(biāo)公司業(yè)務(wù)擴大到一定規(guī)模的時候才提起專利訴訟，俗稱“養(yǎng)案”。越高的涉案標(biāo)的意味著更高額的專利賠償，不但自己可以輕松的賺的盆滿缽滿，更能使目標(biāo)公司賠的萬劫不復(fù)，永世不得翻身。 因此美光極有可能在長鑫的DDR4大批量出貨，并發(fā)布DDR5產(chǎn)品時對長鑫提起專利訴訟，提出天量索賠的同時，進(jìn)一步阻止長鑫DDR5 產(chǎn)品的上市。也有可能是因為美國已經(jīng)通過對源于美國半導(dǎo)體技術(shù)出口限制進(jìn)一步針對長鑫存儲進(jìn)行了制裁，不但將長鑫和長存一起列入實體清單，同時撤走了全部美國專家和美籍工作人員，這直接使長鑫原本計劃在今年啟動的第二工廠擴建計劃推遲到了2024到2025年，并不得不進(jìn)行裁員，鑒于目前的國際形勢和半導(dǎo)體市場現(xiàn)狀，明年能否順利開工不容樂觀。因此美光并不急于對長鑫動手?？梢娂词褂辛藢＠夹g(shù)和海量資金，長鑫存儲的DRAm國產(chǎn)化之路依舊困難重重。 ?

峰回路轉(zhuǎn)的長江存儲

2022年底，長江存儲宣布推出232層3D NAND Flash產(chǎn)品，同時也宣告經(jīng)過近八年的不斷追趕，排除外界阻礙和干擾，長江存儲終于擠入NAND Flash世界第一技術(shù)陣營。

3D NAND架構(gòu)

誰又能想到，今天的存儲芯片龍頭企業(yè)，當(dāng)年差點被外資收購，如果不是一根筋的湖北省政府，換了其他地方政府，也許就是不一樣的結(jié)果。 長江存儲的歷史可以追溯到十幾年前的武漢新芯。也就是長江存儲的前身，成立于2006年。不得不說現(xiàn)在看來2006年絕對是中國半導(dǎo)體的恥辱之年，當(dāng)年爆出了震驚世界的交大漢芯造假事件，2006年農(nóng)歷新年到來之際，清華大學(xué)水木清華BBS上，爆出猛料，公開指責(zé)上海交大微電子學(xué)院院長陳進(jìn)教授通過漢芯造假，申報數(shù)十個科研項目，騙取國家數(shù)億元的科研經(jīng)費。 這成為戳破皇帝的新裝的有力一擊，不到一個月事件調(diào)查組就得出結(jié)論，漢芯一號造假基本屬實，現(xiàn)在我們都知道了，當(dāng)年陳教授所謂的國產(chǎn)突破的漢芯一號，就是請農(nóng)民工打磨掉了摩托羅拉的芯片logo后，再印上了漢芯一號，科技含量不高于農(nóng)民工半天工時。一個給國人帶來無比自豪的科技突破，變成了一起讓人瞠目結(jié)舌的重大科研造假事件，時至今日相關(guān)方面都沒有公布相關(guān)責(zé)任人員的處理結(jié)果，這在當(dāng)年成了中國半導(dǎo)體人的奇恥大辱，因為這起事件，讓本就不受待見的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處境更是艱難，在當(dāng)年地方政府本來就對投資吞金獸，回報周期長，風(fēng)險高的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)避之不及。除了這個科技丑聞后，更是不愿意談這個渾水，可以說交大漢芯事件給了中國半導(dǎo)體國產(chǎn)化沉重一擊，其負(fù)面影響一直到現(xiàn)在都沒有完全消除。

而長江存儲的前身武漢新芯就成立在這個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的多事之秋，就注定了武漢新芯的命運多舛?？梢哉f當(dāng)年湖北省政府上馬這個投資規(guī)模百億的項目的時候，既無人才又無技術(shù)，有的只有湖北佬的一股狠勁。新芯的運氣也差點，最初瞄準(zhǔn)的是DRAm市場，之后又決定轉(zhuǎn)身去做NANDFlash閃存，但2006年開始建廠，到2008年正式量產(chǎn)65納米閃存，正好碰上金融危機和半導(dǎo)體下行周期，這是奇夢達(dá)都爬不出來的大坑。 隨著最后的大客戶飛索半導(dǎo)體瀕臨破產(chǎn)，武漢新芯的最后一根救命稻草也沒了。有著12寸現(xiàn)成晶圓線的武漢新芯很快成為國際大廠的收購目標(biāo)。關(guān)鍵時期，又是中芯國際出手，與新芯成立合資公司。雖然，合資后的日子大家都不好過，武漢新芯又在2013年從中芯國際獨立，也曾經(jīng)一度依靠給飛索和豪威做代工維持工廠運轉(zhuǎn)，但至少保住了國產(chǎn)存儲的血脈。在艱難掙扎前行了近十年后，終于等到了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家層面戰(zhàn)略支持的到來。

2015年，中國發(fā)布中國制造2025白皮書，宣布力爭到2025年，國家半導(dǎo)體產(chǎn)品自給率從不到30%提高到70%。同時國家宣布成立芯片大基金，開啟了萬億級別的燒錢競爭，武漢新芯依靠多年來在代工時期積累的經(jīng)驗和技術(shù)，在國家級存儲基地的競爭中脫穎而出，2016年隨著大基金的注入和紫光集團(tuán)入主，武漢新芯一夜逆襲，重組后成了注冊資金數(shù)百億，背靠國家級大基金的存儲一哥長江存儲。

此時手里的NANDFlash的制程技術(shù)已經(jīng)推進(jìn)到了32納米，但和國際一流玩家的差距巨大。 在以前的文章中我們就提到過，半導(dǎo)體技術(shù)代差對于企業(yè)來說是難于逾越的鴻溝，一旦落后，追趕者與領(lǐng)先者的差距只會越拉越大，因為技術(shù)的追趕需要海量的資金，這些資金一般是通過產(chǎn)品在市場上的高額毛利來回血，但市場只會追逐最先進(jìn)的制程和技術(shù)產(chǎn)品，領(lǐng)先者依靠技術(shù)優(yōu)勢和成本優(yōu)勢不但在先進(jìn)產(chǎn)品市場賺錢，更可以在成熟技術(shù)產(chǎn)品市場上進(jìn)行低價傾銷，讓追趕者即使研發(fā)出產(chǎn)品也無利潤可圖，追趕者往往連研發(fā)成本都收不回來。這也是為什么最后只有兩三家頭部企業(yè)可以有資本和動力繼續(xù)研發(fā)先進(jìn)技術(shù)，因為追趕者無力承擔(dān)巨額的研發(fā)費用，而頭部玩家誰也不敢在先進(jìn)技術(shù)的競賽中落后。

這個時候，單單依靠市場經(jīng)濟和企業(yè)行為是永遠(yuǎn)趕不上國際領(lǐng)先水平的，更不用說超越了。經(jīng)過曲折漫長的發(fā)展，有了國家大基金支持的長江存儲開啟了其逆襲之路。長江存儲成立后的第二年，2017年長江存儲推出32層閃存，當(dāng)時市場主流產(chǎn)品是64層閃存。兩年后的2019年，長江存儲推出64層閃存并量產(chǎn)，當(dāng)年主流產(chǎn)品達(dá)到了128層，三星繼續(xù)領(lǐng)先并主導(dǎo)國際閃存市場。

如果一直這樣按部就班的追趕，將長時間慢人一步，雖然現(xiàn)在錢不是問題，但數(shù)年來的臥薪嘗膽，等待是能揚眉吐氣的一天。 長江存儲繼續(xù)努力研發(fā)自產(chǎn)自研的晶棧Xtacking架構(gòu)，終于在2020年直接跳過96層，實現(xiàn)128層的技術(shù)突破。同年三星，海力士和美光的技術(shù)水平一樣是128層，另一家國際大廠鎧俠也只有112層的閃存產(chǎn)品。歷經(jīng)五年，終于趕上了世界第一梯隊的技術(shù)水平。在2021年實現(xiàn)128層閃存產(chǎn)品量產(chǎn)的同時，232層閃存的研發(fā)也在緊張的推進(jìn)中，終于在2022年幾乎與美光同時宣布實現(xiàn)232層閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。公平競爭，中國半導(dǎo)體人沒有怕過誰。

長江存儲的光速進(jìn)步很難低調(diào)，自然吸引了美國商務(wù)部的陰冷的目光。沒有意外，2022年長江存儲被列入美國貿(mào)易黑名單，同時美國對中國實施設(shè)備和技術(shù)出口管制，美國設(shè)備商科磊，泛林集團(tuán)和應(yīng)用材料公司相繼撤走了設(shè)備調(diào)試和維護(hù)工程師，也停止對長江存儲提供生產(chǎn)設(shè)備。荷蘭ASML公司也拒絕提供EUV***，而EUV***是將閃存技術(shù)推向300層以上的必須設(shè)備?？紤]到近期德國和日本對中國企業(yè)半導(dǎo)體原材料管制的跟進(jìn)，在長江存儲面前的是一條更為艱難的國產(chǎn)存儲芯片突圍之路。

編輯：黃飛

?