根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 分析， 2013年絕對(duì)是對(duì) DRAM 產(chǎn)業(yè)具關(guān)鍵性的一年。

　　DRAMeXchange 指出，受惠于智慧型手機(jī)與平板電腦的熱銷，一線 DRAM 大廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式記憶體，導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出逐漸減少；再加上9月SK海力士（Hynix）無(wú)錫廠大火讓4GB，模組合約均價(jià)由17美元上漲至今33美元，漲幅逼近一倍，各DRAM廠朝向全面獲利的狀態(tài)。

　　產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)改變、寡占市場(chǎng)的格局形成，都將為2014年DRAM產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的契機(jī)。以下是 TrendForce 針對(duì) DRAM 產(chǎn)業(yè) 2014年表現(xiàn)所提出的五大市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)：

　　1、2014年?duì)I收預(yù)估續(xù)成長(zhǎng)12%，為金融風(fēng)暴后連續(xù)第二年成長(zhǎng)

　　回顧2013年，由于DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)性的改變，如寡占市場(chǎng)的形成，臺(tái)系DRAM廠退出市場(chǎng)，再加上下半年SK海力士無(wú)錫廠大火影響，2013年DRAM營(yíng)收規(guī)模來(lái)到352億美元，年成長(zhǎng)達(dá)32.5%。

　　放眼2014年，由于進(jìn)入20nm制程后開(kāi)發(fā)難度變高，產(chǎn)出位元年成長(zhǎng)趨緩，因此平均銷售單價(jià)將隨成本結(jié)構(gòu)改善而逐步下降；各家DRAM廠不再追求制程上的極致，策略轉(zhuǎn)向更靈活調(diào)配產(chǎn)品與產(chǎn)能，TrendForce預(yù)估明年的DRAM產(chǎn)值將達(dá)395億美元，年成長(zhǎng)為12%，將是自2009年金融風(fēng)暴以來(lái)供應(yīng)商在生產(chǎn)方面最有秩序的一年。

　　2、2013年美光正式并購(gòu)爾必達(dá)，2014年寡占市場(chǎng)將讓DRAM產(chǎn)業(yè)朝向穩(wěn)定獲利格局

　　美光（Micron）于2013年8月正式整并爾必達(dá)（Elpida）后，其合并營(yíng)收規(guī)模與SK海力士已在伯仲之間，再加計(jì)三星（Samsung）的市占率，三大集團(tuán)的DRAM市占率已超過(guò)決定性的90%，不光市場(chǎng)呈現(xiàn)大者恒大的趨勢(shì)，也確立DRAM市場(chǎng)寡占型態(tài)。

　　TrendForce表示，以上三大集團(tuán)各自擁有DRAM與NAND Flash的技術(shù)，對(duì)于產(chǎn)品組合將可以更靈活的調(diào)配運(yùn)用，在價(jià)格走勢(shì)上將更傾向穩(wěn)健的寡占市場(chǎng)格局，持續(xù)獲利的趨勢(shì)將延續(xù)至2014年。

　　3、行動(dòng)式記憶體正式躍升全球市場(chǎng)主流規(guī)格，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體比重持續(xù)降低

　　受惠于智慧型手機(jī)與平板電腦的熱賣，DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式記憶體領(lǐng)域，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出受到排擠而產(chǎn)出逐漸減少。根據(jù)TrendForce的預(yù)估，2014年行動(dòng)式記憶體將占全球市場(chǎng)的36%，一舉超越標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的30%，躍升成為全球DRAM市場(chǎng)主流產(chǎn)品。

　　再者，由行動(dòng)式記憶體做觀察，2014年 LPDDR3 的比重將在智慧型手機(jī)與平板電腦快速增加，更將進(jìn)軍高階 Ultralike市場(chǎng)，省電機(jī)制更優(yōu)于一般傳統(tǒng) DDR3 ，使得運(yùn)作時(shí)間大幅延長(zhǎng)。受到需求端的牽引，TrendForce預(yù)估 LPDDR3 產(chǎn)出量預(yù)計(jì)在2014年下半年將超越LPDDR2，成為行動(dòng)式記憶體主流規(guī)格。

　　4、2Xnm制程將成2014年DRAM市場(chǎng)主力，唯設(shè)計(jì)難度增高制程轉(zhuǎn)進(jìn)將趨緩

　　當(dāng)時(shí)序進(jìn)入2013年下半年，各DRAM廠在2Xnm制程轉(zhuǎn)進(jìn)下著實(shí)面臨不少困難。受到物理?xiàng)l件限制，即使如三星或是SK海力士都曾面臨到良率無(wú)法有效提升或是量產(chǎn)計(jì)劃遞延的窘境。后續(xù)進(jìn)入25nm以下制程，由于需要購(gòu)入EUV機(jī)臺(tái)，資本支出將更甚浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)（immersion scanner）。

　　目前EUV機(jī)臺(tái)的開(kāi)發(fā)尚未達(dá)到可大量生產(chǎn)的階段，DRAM廠對(duì)于25nm制程以下至今未有明確的時(shí)間點(diǎn)規(guī)劃。TrendForce預(yù)估2014年DRAM廠仍將以2Xnm市場(chǎng)主流，但制程轉(zhuǎn)進(jìn)將因設(shè)計(jì)難度增高而趨緩。

　　5、DDR4將在2014年下半年導(dǎo)入，初期將以伺服器用記憶體為主要應(yīng)用

　　由于需求端的生態(tài)圈大幅改變，加上可攜式設(shè)備的崛起，記憶體的應(yīng)用已不像往年壁壘分明；不光行動(dòng)式記憶體進(jìn)軍筆電領(lǐng)域，低價(jià)平板也因成本考量使用標(biāo)準(zhǔn)型記憶體。但在伺服器記憶體領(lǐng)域，除了在穩(wěn)定性的要求外，近期更著墨于低電壓與速度兼顧。

　　根據(jù)JEDEC的規(guī)范藍(lán)圖，DDR4電壓值僅有1.2V，未來(lái)速度更可高達(dá)3200Mhz。一線DRAM大廠將在2014年導(dǎo)入量產(chǎn)，初期將以伺服器用記憶體為主要應(yīng)用，之后再陸續(xù)推廣至PC市場(chǎng)中，預(yù)計(jì)于2015年取代DDR3，成為市場(chǎng)主流。