雖然EEPROM和閃存通常是大多數(shù)應(yīng)用中非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的首選，但鐵電RAM（FRAM）為能量收集應(yīng)用中的許多低功耗設(shè)計(jì)（如無線傳感器節(jié)點(diǎn)）提供了明顯的優(yōu)勢(shì)。智能電表和其他數(shù)據(jù)記錄設(shè)計(jì)。憑借
2019-03-18 08:08:00
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在我們的項(xiàng)目中，時(shí)常會(huì)有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲(chǔ)器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:553213 
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:201819 
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:591885 
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
和非易失性存儲(chǔ)器就萬事大吉了么？令人糾結(jié)的是，有一種新的存儲(chǔ)器，它既是非易失的，同時(shí)又是能夠高速隨時(shí)讀寫數(shù)據(jù)的，也就是說能夠隨機(jī)存取的。這種存儲(chǔ)器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
Programmable）?！ ?、可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM： 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過紫外線照射而徹底擦除
2017-10-24 14:31:49
Time Programmable）。 3、可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM： 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過紫外線照射而徹底
2017-12-21 17:10:53
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
是圖形顯示存儲(chǔ)器的最佳選擇，有大量的像素需要存儲(chǔ)，而恢復(fù)時(shí)間并不是很重要。如果不需要下次開機(jī)時(shí)保存上次內(nèi)容，使用易失性的DRAM存儲(chǔ)器就可以。DRAM的作用與成本是FRAM無法比擬的。事實(shí)證明，DRAM
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲(chǔ)器。它具有100億次的讀寫次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達(dá)到5 MHz的總線速度，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的
選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
SRAM接口。所有這些實(shí)現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供?！ RAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級(jí)別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時(shí)存儲(chǔ)在內(nèi)存中的少量兆位的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的容量。該存儲(chǔ)器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標(biāo)準(zhǔn)SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！富士通將舉辦在線研討會(huì)，介紹全新FRAM（鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器）解決方案，該器件可在高達(dá)攝氏
2017-08-18 17:56:43
MSP430FR 系列MCU 來實(shí)現(xiàn)多功能雙接口存儲(chǔ)器的方法。相比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器(例如FLASH，SRAM，EEPOM)，FRAM集合了更多的優(yōu)勢(shì)，擁有更強(qiáng)大的功能。利用MCU的靈活性，用戶可以設(shè)計(jì)出功能強(qiáng)大
2019-06-13 05:00:08
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲(chǔ)器(NVM)的最佳選擇，在大多數(shù)應(yīng)用中，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
單芯片FRAM存儲(chǔ)解決方案成為嵌入式設(shè)計(jì)的理想選擇
2021-03-04 07:37:38
時(shí)，也可以恢復(fù)采集到的數(shù)據(jù)。所以，諸如EEPROM或FLASH等現(xiàn)存的通用存儲(chǔ)器技術(shù)在這些能量受限的情況下并不總是最佳選擇。幸運(yùn)的是，技術(shù)的發(fā)展方向正讓能量采集系統(tǒng)變得可行。其中一項(xiàng)技術(shù)集成就是TI的鐵
2018-08-29 15:36:21
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
如何為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇合適的同步SRAM存儲(chǔ)器？
2021-05-24 06:13:40
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
技術(shù)中關(guān)注哪些方面？ 雖然 TI 目前仍在為 Ramtron 生產(chǎn)獨(dú)立的 FRAM 存儲(chǔ)器，我們的內(nèi)部工作重心仍為 ?嵌入式 FRAM（作為數(shù)字化流程的 2 掩碼加法器）。 我們已成功設(shè)計(jì)出高達(dá)
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
MSP430FR2311這個(gè)單片機(jī)的fram存儲(chǔ)地址是什么還有如何設(shè)置
2021-06-06 18:21:25
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
功能介紹2.1 MSP430FRXX 系列MCU簡(jiǎn)介TI 公司最新一代MSP430FRXX系列MCU 采用了FRAM作為代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，替代傳統(tǒng)MCUFLASH+SRAM 的結(jié)構(gòu)，并且其FRAM帶有
2019-06-12 05:00:08
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？？[/mw_shl_code]
2019-03-29 01:54:26
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天，電能表中存儲(chǔ)器的選擇也是多種多樣，存儲(chǔ)器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測(cè)量精度。目前應(yīng)用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種
2014-04-25 11:05:59
介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 本文介紹了目前應(yīng)用比較廣泛的存儲(chǔ)器。
2006-04-17 20:48:121560 Ramtron International 宣布，韓國(guó)現(xiàn)代 Hyundai Autonet 公司選用了其生產(chǎn)的 FRAM 產(chǎn)品，用于該公司的汽車智能安全氣囊和乘客傳感器中。非易失性存儲(chǔ)器(FRAM)
2006-06-01 23:27:351359 鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:505083 
如何選擇DSP芯片的外部存儲(chǔ)器？DSP的速度較快，為了保證DSP的運(yùn)行速度，外部存儲(chǔ)器需要具有一定的速度，否則DSP訪問外部存儲(chǔ)器時(shí)需要加入等待周期。
2009-04-07 08:45:072242 概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，FRAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43891 
鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:051194 《集成電路應(yīng)用》雜志日前采訪了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的嵌入式存儲(chǔ)器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品總監(jiān)王景陽先生，請(qǐng)他就平板電腦如果選用嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行了介紹。
2012-04-20 13:35:292316 今天，像EEPROM和SRAM這些標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫(yī)療專家對(duì)助聽器噪聲，或是需要更換所用設(shè)備中的備用電池而頻頻抱怨的情況。FRAM產(chǎn)品
2017-03-28 18:11:582105 
與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對(duì)于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時(shí)間是EEPROM的1/40000，達(dá)到SRAM
2017-03-29 11:46:292172 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-04 14:46:3011329 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-17 16:34:2210191 
sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評(píng)述。
2017-11-03 18:03:053381 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲(chǔ)器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲(chǔ)器，但它不受磁場(chǎng)的影響，因?yàn)樾酒胁缓F基材料（鐵）。鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性，但是它們不受磁場(chǎng)的影響。
2018-04-04 09:07:309 Numonyx首席技術(shù)官Ed Doller講述了選擇存儲(chǔ)器時(shí)的混亂局面，以及如何選擇適合您的存儲(chǔ)器解決方案（節(jié)選自Ed在Memcon '08上的主題演講）。
2018-06-26 08:22:003926 存儲(chǔ)器的類型將決定整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的操作和性能，因此存儲(chǔ)器的選擇是一個(gè)非常重要的決策。
2020-05-20 07:54:005237 
多年來，該行業(yè)一直致力于各種存儲(chǔ)技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲(chǔ)器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲(chǔ)器都對(duì)應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢(shì)必將在存儲(chǔ)器家族中取代一個(gè)或者多個(gè)傳統(tǒng)型存儲(chǔ)。
2018-09-05 15:51:1210175 關(guān)鍵詞：FRAM , 存儲(chǔ)器 引言： FRAM存儲(chǔ)器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間
2018-09-28 15:56:01611 新的技術(shù)出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲(chǔ)器外，還有鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、相變存儲(chǔ)器（PRAM）、磁存儲(chǔ)器（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0013980 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2533 鐵電存儲(chǔ)器是美國(guó)Ramtran公司推出的一種非易失性存儲(chǔ)器件，簡(jiǎn)稱FRAM。
2019-08-12 17:06:124189 FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ)
型號(hào) FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:532263 
FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器，它使用鐵電膜作為電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:312218 新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn)，又有非失易失性特征，同時(shí)克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM
2020-10-30 16:47:121278 “永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢(shì)：低電壓運(yùn)行，長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們以
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:168368 應(yīng)用程序來決定執(zhí)行數(shù)據(jù)任務(wù)的存儲(chǔ)器是易失性的還是非易失性的。通?？蓤?zhí)行代碼的存儲(chǔ)器采用基于ROM的技術(shù)，而數(shù)據(jù)任務(wù)的存儲(chǔ)器則采用基于RAM的技術(shù)。作為賽普拉斯中的一款非易失性RAM產(chǎn)品，FRAM提供了獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)—它能夠?qū)⒖蓤?zhí)
2021-01-04 14:27:44691 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。
2021-01-19 10:16:3613131 
富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:021621 
富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161154 
開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡(jiǎn)單介紹一下為何可以說FRAM車規(guī)級(jí)是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇。 為什么這么說？這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開始說起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，
2021-05-11 17:17:091148 
FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長(zhǎng)，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計(jì)未來具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202726 FRAM是電力計(jì)量系統(tǒng)中使用的主要存儲(chǔ)器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場(chǎng)；隨著電子設(shè)備和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計(jì)量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:491146 和橫跨傳統(tǒng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴(kuò)展溫度的2Mbit串行FRAM存儲(chǔ)器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:022186 賽普拉斯型號(hào)CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。
2021-05-16 16:59:522044 
FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8，192×8位，可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進(jìn)行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:042381 一定空間用于存儲(chǔ)應(yīng)用代碼、非易失性數(shù)據(jù)和配置信息。 然而，問題在于非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)不斷擴(kuò)展，選擇眾多，使選擇適合應(yīng)用的存儲(chǔ)器頗具挑戰(zhàn)性。 本文對(duì)各種存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)行了介紹，并以O(shè)N Semiconductor、Adesto Technologies、Renesas、ISSI、
2021-05-19 17:22:423292 Cypress憑借在分立存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域近40年的經(jīng)驗(yàn)，以同類最佳的存儲(chǔ)器產(chǎn)品、解決方案和技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)。于1982年推出第一款隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，并從這個(gè)吉祥的開端發(fā)展為涵蓋NOR閃存、pSRAM
2021-06-25 09:08:513525 
富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器，其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:413841 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:462230 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281719 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091676 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:563639 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:361779 鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:441283 存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件，更通俗地說，存儲(chǔ)器就是用來存放數(shù)據(jù)的地方。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱輔存或外存）兩大類，本文將詳細(xì)為您科普存儲(chǔ)器的工作原理等知識(shí)。
2022-10-11 16:58:434875 鐵電存儲(chǔ)器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:143282 
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41878 
基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:561791 
需要在設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中遵循一些
最佳實(shí)踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.
選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供
選擇，例如閃存（Flash）、EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲(chǔ)器）和
FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，
選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:492625 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MSP430FRBoot-適用于MSP430? FRAM大型存儲(chǔ)器型號(hào)器件的主存儲(chǔ)器引導(dǎo)加載程序和無線更新.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-21 09:16:130 鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)市場(chǎng)中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技術(shù)一樣，鐵電存儲(chǔ)器也有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2024-09-29 15:21:003409 鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，它們?cè)诠ぷ髟怼⑿阅芴攸c(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 旋轉(zhuǎn)編碼器選用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器(?SF24C512)的5個(gè)理由
2025-02-20 09:42:03907 
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