電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，RRAM（阻變存儲器）存儲是一種新興的非易失性存儲技術(shù)，它基于材料的電阻變化來存儲數(shù)據(jù)。其存儲單元通常由兩個電極和中間的阻變材料組成。當在電極上施加一定的電壓脈沖時，阻變材料內(nèi)部的離子會發(fā)生遷移，從而導致材料的電阻狀態(tài)發(fā)生改變，一般可分為高阻態(tài)和低阻態(tài)，分別對應(yīng)邏輯 “0” 和 “1”。通過檢測存儲單元的電阻值來讀取存儲的數(shù)據(jù)。
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RRAM具有讀寫速度較快、低功耗、高密度、耐久性等特點，能夠滿足一些對實時性要求較高的應(yīng)用場景，如高速數(shù)據(jù)緩存。能夠?qū)崿F(xiàn)較高的存儲密度，增加存儲容量。且具有較好的讀寫耐久性?？蓱?yīng)用于嵌入式系統(tǒng)的片上存儲、人工智能領(lǐng)域用于存儲神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型參數(shù)，提高訓練和推理的速度等。
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去年，國內(nèi)面板廠商維信諾宣布完成世界首顆采用嵌入式RRAM（阻變存儲器）存儲技術(shù)AMOLED顯示驅(qū)動芯片的開發(fā)認證。該芯片由維信諾和昇顯微電子聯(lián)合開發(fā)，合肥高新區(qū)企業(yè)睿科微電子提供技術(shù)支持，采用了?？莆RAM作為存儲單元，取代了傳統(tǒng)外置存儲器。
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這顆采用嵌入式RRAM存儲技術(shù)的新型AMOLED顯示驅(qū)動芯片（RRAM阻變存儲器），集Demura SRAM、OTP和Flash三種功能于一體，通過器件本身電阻值的變化來實現(xiàn)存儲功能。新方案相比傳統(tǒng)方案存儲面積可縮減30%，同時取消了外置Flash，采用RRAM技術(shù)可隨時“原地”讀取數(shù)據(jù)，極大地降低了數(shù)據(jù)傳輸所帶來的消耗，真正實現(xiàn)降本增效。
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近年來，基于RRAM的存算一體芯片的研發(fā)成為許多高校、初創(chuàng)企業(yè)的方向，它可用于人工智能、智能駕駛等領(lǐng)域，市場潛力巨大。
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清華大學此前宣布研發(fā)出首顆基于憶阻器（RRAM）的片上學習存算一體芯片，這一創(chuàng)新技術(shù)讓AI計算直接在存儲單元內(nèi)完成，大幅降低數(shù)據(jù)搬移的功耗和時間開銷，真正實現(xiàn)計算與存儲合二為一。
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在AI計算領(lǐng)域，憶阻器的優(yōu)勢尤為顯著。它能夠模擬神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的突觸行為，使得類腦計算成為可能。?這意味著，未來的AI計算不再依賴龐大的GPU陣列，而是能夠用更加高效、低功耗的方式進行智能學習。
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同時，如何讓憶阻器適應(yīng)高密度存儲需求，并與先進CMOS工藝兼容，業(yè)界正在探索HBM（高帶寬存儲）堆疊技術(shù)，將多個憶阻器陣列垂直集成，提高存算一體芯片的計算能力。
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最近，又一家RRAM企業(yè)銘芯啟睿獲近近億元天使輪融資，由錦秋基金領(lǐng)投，聯(lián)想創(chuàng)投、小米戰(zhàn)投等頭部戰(zhàn)略和財務(wù)投資機構(gòu)共同出資。
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銘芯啟睿成立于2024年5月，主要研發(fā)突破傳統(tǒng)架構(gòu)計算瓶頸的新型RRAM存儲及AI計算技術(shù)。銘芯啟睿董事長劉琦指出，相比于傳統(tǒng)內(nèi)存方案，RRAM的一大特點是，能夠?qū)⒋鎯陀嬎闳跒橐惑w，是“存算一體”的重要技術(shù)路徑。
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RRAM另一優(yōu)勢是不需要像傳統(tǒng)存儲器一樣消耗大量能量來維持存儲狀態(tài)，整體功耗低。又因為RRAM器件可調(diào)制到多個不同電阻狀態(tài)，單個存儲單元能存儲多位數(shù)據(jù)，在未來也極有希望進一步提高存儲密度。
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銘芯啟睿創(chuàng)始團隊由來自于中國科學院集成電路相關(guān)核心研究所和行業(yè)界的多名資深半導體專家組成，具備芯片研發(fā)和產(chǎn)品全流程交付實力，曾創(chuàng)下多項業(yè)界記錄，包括全球第一顆14nm RRAM 芯片，全球28nm單芯片最大容量128Mb RRAM，全球最高密度3D VRRAM等。目前該公司的產(chǎn)品聚焦在三個方向——面向AI大模型場景的混合異構(gòu)存算系統(tǒng)的產(chǎn)品，以及嵌入式IP和獨立式存儲芯片產(chǎn)品等。
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