據(jù)了解，半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎(chǔ)材料，支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體材料及應(yīng)用已成為衡量一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展、科技進(jìn)步和國(guó)防實(shí)力的重要標(biāo)志。

公開(kāi)資料顯示，碳化硅（SiC）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料中，研究最為成熟、市場(chǎng)應(yīng)用前景最大的一種。碳化硅半導(dǎo)體材料綜合性能是第一代半導(dǎo)體材料性能的數(shù)百倍到一千倍，在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射器件等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。

目前，導(dǎo)電型碳化硅襯底片材料主要應(yīng)用于新能源汽車、新能源汽車充電站、太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器等領(lǐng)域；半絕緣型碳化硅襯底片則主要應(yīng)用于5G通訊基站、大功率相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通訊等領(lǐng)域。

中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)導(dǎo)電型碳化硅襯底片全球市場(chǎng)規(guī)模將從2017年的4億美元增長(zhǎng)到2022年的16億美元，樂(lè)觀預(yù)測(cè)甚至能達(dá)到34億美元。半絕緣型碳化硅襯底片全球市場(chǎng)規(guī)模將從2017年的4億美元增長(zhǎng)到2022年的11億美元。

經(jīng)過(guò)十幾年的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，碳化硅半導(dǎo)體材料、器件、應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步建立，市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。據(jù)記者了解，目前碳化硅半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)企業(yè)主要有科銳、II-VI、道康寧、SiCrystal、昭和電工等。其中，1987年成立的美國(guó)科銳在碳化硅襯底材料、外延片、器件和模塊領(lǐng)域占據(jù)著絕對(duì)領(lǐng)先地位。

我國(guó)應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)第三代半導(dǎo)體需求旺盛，中國(guó)是全球第三代半導(dǎo)體龍頭企業(yè)的主要銷售市場(chǎng)。在業(yè)內(nèi)人士看來(lái)，眼下全球碳化硅市場(chǎng)正處于爆發(fā)前期的起步階段，國(guó)內(nèi)企業(yè)與海外傳統(tǒng)巨頭之間的技術(shù)差距相對(duì)變小。雖然國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體企業(yè)大部分仍處于發(fā)展起步階段，但依然有望在技術(shù)發(fā)展、資本助力及政策支持下在本土市場(chǎng)的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)彎道超車。