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一種在單層硅基板上不依靠反射鏡而實現(xiàn)定向輻射的新方法

MEMS ? 來源:MEMS ? 2020-04-28 15:38 ? 次閱讀
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廣泛應用于高性能光柵耦合器、高能效激光器及激光雷達光學天線等的單向輻射(unidirectional emission)技術,是實現(xiàn)大規(guī)模光子集成和光子芯片的關鍵技術之一。目前,此技術大多通過分布式布拉格光柵反射鏡、金屬反射鏡等鏡面反射實現(xiàn)。然而,片上集成時,反射鏡不僅體積大、結(jié)構復雜、加工難度高,還會引入額外的損耗和色散。針對這一集成光子器件研究中亟待解決的關鍵問題,北京大學信息科學技術學院電子學系、區(qū)域光纖通信網(wǎng)與新型光通信系統(tǒng)國家重點實驗室彭超副教授課題組與麻省理工學院物理學系MarinSolja?i?教授、賓夕法尼亞大學物理與天文學系甄博助理教授合作,從拓撲光子學視角提出一種在單層硅基板上不依靠反射鏡而實現(xiàn)定向輻射的新方法。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,相關研究成果以《拓撲保護的單向?qū)9舱駪B(tài)觀測》(Observation of topologically enabled unidirectional guidedresonances)為題,近期發(fā)表于《自然》(Nature),電子學系2015級博士研究生尹雪帆為第一作者,彭超為通訊作者。

彭超等人從拓撲荷操控出發(fā),在光子晶體平板中實現(xiàn)了單向輻射的特殊諧振態(tài),即單側(cè)輻射導模共振(unidirectional guided-resonance,UGR)態(tài),在一維光子晶體中通過傾斜側(cè)壁同時破缺結(jié)構垂直對稱性和面內(nèi)對稱性,使體系中連續(xù)區(qū)束縛態(tài)所攜帶的整數(shù)拓撲荷分裂為一對半整數(shù)拓撲荷,并在平板上、下兩側(cè)表面產(chǎn)生大小不等的輻射。

此時,維持對稱性破缺,通過調(diào)控參數(shù)將一側(cè)表面的成對半整數(shù)拓撲荷重新合并成整數(shù)拓撲荷,形成不依賴鏡面僅朝一個表面輻射能量的UGR態(tài)。

通過操控拓撲荷演化,實現(xiàn)單向?qū)9舱駪B(tài)

聯(lián)合課題組利用自主發(fā)展的傾斜刻蝕工藝制備樣品,實驗上觀測到非對稱輻射比高達27.7dB;這就意味著超過99.8%的光子能量朝一側(cè)定向輻射,較傳統(tǒng)設計提高了1~2個數(shù)量級,從而有力證明了單向輻射導模共振態(tài)的有效性和優(yōu)越性。

該技術有望顯著降低片上光端口的插入損耗,大幅推動高密度光互連和光子芯片技術的發(fā)展。

近年來,在國家自然科學基金、教育部納光電子前沿科學中心等支持下,彭超與其合作者在高水平學術期刊相繼發(fā)表非厄米系統(tǒng)費米弧觀測(Science, 359, 1009~1012,并列第一作者,2018年3月)、實空間非阿貝爾規(guī)范場的合成和觀測(Science, 365, 1021~1025,第二作者,2019年9月)、拓撲保護下散射魯棒的超高品質(zhì)因子導模共振態(tài)(Nature, 574, 501~504,通訊作者,2019年10月)等一系列融合拓撲物理學和非厄米物理學的重要研究成果,在為實現(xiàn)輻射光場調(diào)控開辟新方向的同時,也為集成光子芯片、光相控陣雷達、低功耗激光器等光子器件拓展了可期的應用前景。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:北大科研團隊《自然》發(fā)表成果,有望推動光子芯片技術發(fā)展

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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