長(zhǎng)沙晚報(bào)消息，7月20日，湖南三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。湖南三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元，總占地面積1000畝。湖南省委常委、長(zhǎng)沙市委書記胡衡華宣布項(xiàng)目開工，長(zhǎng)沙市委副書記、市長(zhǎng)、湖南湘江新區(qū)黨工委書記鄭建新致辭，三安集團(tuán)董事長(zhǎng)林秀成、總經(jīng)理林科闖出席。

據(jù)三安光電此前公告，6月15日，三安光電與長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。三安光電決定在長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司，投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。 項(xiàng)目實(shí)施主體為擬成立的長(zhǎng)沙控股子公司，將研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。 三安光電稱，公司在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。