臺積電2nm GAA工藝研發(fā)進(jìn)度提前，有望2024年正式量產(chǎn)
本周，圍繞臺積電的2nm先進(jìn)制程傳來利好消息。
其2nm GAA工藝研發(fā)進(jìn)度提前，目前已經(jīng)結(jié)束了路徑探索。供應(yīng)鏈預(yù)計臺積電2023年下半年可望進(jìn)入風(fēng)險性試產(chǎn)，2024年正式量產(chǎn)。
GAA即環(huán)繞柵極晶體管，是FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）的取代。FinFET由華人科學(xué)家胡正明團(tuán)隊研制，首發(fā)于45nm，目前已經(jīng)推進(jìn)到5nm。
不過在5nm或者4nm之后，臺積電和三星出現(xiàn)了些許分歧，三星將在3nm就開始應(yīng)用GAA晶體管，臺積電則是2nm。
臺積電董事長劉德音（Mark Liu）最新表態(tài)稱，位于臺中的工廠有望擴(kuò)充，以為2nm增加更多產(chǎn)能支持。
盡管臺積電在今年二季度拿到了全球晶圓代工營收的一半，可三星的追趕步伐并未停歇。今年的RTX 30系列顯卡GPU核心、部分驍龍SoC等均選擇三星代工。
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發(fā)表于 08-26 10:00
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