重慶郵電大學已成功研發(fā)第三代半導體氮化鎵功率芯片
據(jù)重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義表示，目前實驗室已成功研發(fā)第三代半導體氮化鎵功率芯片，主要應用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面，其具備體積小、效率高、用電量少等特點。電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。目前該項目已經(jīng)到了試驗性應用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。
此外，由重慶郵電大學規(guī)劃的‘重慶集成電路設(shè)計創(chuàng)新孵化中心’現(xiàn)已入駐西部（重慶）科學城。該中心將著力建設(shè)集成電路公共設(shè)計、測試分析、半導體工藝等為一體集成電路中試平臺，提供低成本、高效率的集成電路公共服務與專業(yè)技術(shù)支持。
責任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54007瀏覽量
465918 -
半導體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30725瀏覽量
264025 -
數(shù)據(jù)中心
+關(guān)注
關(guān)注
18文章
5647瀏覽量
75008
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立，當時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導體
深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立，當時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù)，開啟了在半導體行業(yè)高速發(fā)
發(fā)表于 01-31 08:46
龍騰半導體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
第三屆南京郵電大學與新思科技ARC處理器課程競賽圓滿舉辦
2026 年 1 月 4 日，第三屆南京郵電大學——新思科技 ARC 處理器《智能電子系統(tǒng)設(shè)計創(chuàng)新基礎(chǔ)》課程競賽在南京郵電大學仙林校區(qū)圓滿舉辦。作為新思科技持續(xù)推進產(chǎn)教融合、支持集成電路
青禾晶元常溫鍵合方案，破解第三代半導體異質(zhì)集成熱損傷難題
關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導體；異質(zhì)集成；半導體設(shè)備；青禾晶元；半導體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化
上海永銘：第三代半導體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案
AMEYA360代理品牌：上海永銘第三代半導體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言：氮化鎵(GaN)與碳化硅(
材料與應用：第三代半導體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認知
2025年南京郵電大學與新思科技ARC處理器課程競賽圓滿結(jié)束
近期，新思科技作為特邀支持單位，攜手南京郵電大學成功舉辦了 2025 年南京郵電大學 - 新思科技 ARC 處理器《智能電子系統(tǒng)設(shè)計創(chuàng)新基礎(chǔ)》課程競賽。此次競賽由南京郵電大學創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育學院
電鏡技術(shù)在第三代半導體中的關(guān)鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導體領(lǐng)域的重要
第三代半導體的優(yōu)勢和應用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。
瑞能半導體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“
發(fā)表于 05-19 10:16
意法半導體與重慶郵電大學達成戰(zhàn)略合作
日前，服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（ST）與重慶郵電大學在重慶安意法半導體
工商網(wǎng)監(jiān)
評論