Intel第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)“Ice Lake-SP”性能曝光
Intel首次采用10nm工藝的第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)“Ice Lake-SP”已經(jīng)推遲到2021年第一季度，將會(huì)和AMD 7nm工藝、Zen3架構(gòu)的的第三代霄龍正面對(duì)決，無論規(guī)格還是性能都討不到什么便宜。
B站網(wǎng)友“結(jié)城安穗-YuuKi_AnS”曝光了Ice Lake-SP的一顆工程樣品，隸屬于至強(qiáng)銀牌4300系列，14核心28線程，17MB二級(jí)緩存（每核心獨(dú)享1.25MB），21MB三級(jí)緩存（平均每核心1.5MB），基準(zhǔn)頻率2.0GHz，最高睿頻4.0GHz，但實(shí)際運(yùn)行中全核頻率只有1.8-2.0GHz，熱設(shè)計(jì)功耗165W。
雖然是一顆工程樣品，但這樣的頻率確實(shí)有點(diǎn)沒法看，而同樣是早期樣品的霄龍7763基準(zhǔn)已達(dá)2.45GHz，加速則為3.55GHz。
二代可擴(kuò)展至強(qiáng)沒有14核心，與之最接近的是12核心至強(qiáng)銀牌4214，頻率2.2-3.2GHz，但熱設(shè)計(jì)功耗只有85W，另外新版至強(qiáng)銀牌4214R頻率提至2.4-3.5GHz，熱設(shè)計(jì)功耗也不過100W。
難道10nm真的如此弱雞，頻率沒上去，功耗卻控制不住了？只能期待正式版還有大招了。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3508瀏覽量
191265 -
頻率
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
1585瀏覽量
62054 -
10nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
164瀏覽量
30520
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索TPA2008D2：第三代5 - V Class - D音頻功放的卓越性能
探索TPA2008D2：第三代5 - V Class - D音頻功放的卓越性能 在音頻功放的領(lǐng)域中，TI的TPA2008D2脫穎而出，成為了第三代5 - V Class - D音頻功放的杰出代表
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開關(guān)損耗計(jì)算。
Cadence公司成功流片第三代UCIe IP解決方案
為推動(dòng)小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)（UCIe）IP 解決方案，在臺(tái)積電先進(jìn)的 N3P 工藝上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
芯科科技第三代無線開發(fā)平臺(tái)SoC的三大領(lǐng)先特性
Silicon Labs（芯科科技）第三代無線開發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無線產(chǎn)品開發(fā)趨勢(shì)，該系列產(chǎn)品升級(jí)了三大功能特性：可擴(kuò)展性、輕松
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽(yáng)極電池的量產(chǎn)進(jìn)程，將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
金升陽(yáng)推出高性能第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源
隨著新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場(chǎng)的需求，金升陽(yáng)推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論