以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的的第三代半導(dǎo)體材料主要用于電力電子、微波射頻和光電子器件的制造。其中，電力電子器件主要應(yīng)用于消費(fèi)類或工業(yè)、商業(yè)電源的制造，未來隨著新能源汽車的廣泛應(yīng)用，該領(lǐng)域的應(yīng)用比例將大幅增長;而在GaN射頻器件的下游應(yīng)用領(lǐng)域中，國防和基站是最大的應(yīng)用領(lǐng)域，未來隨著5G基站的應(yīng)用推廣，GaN射頻器件在基站的應(yīng)用占比將有所提升。

1、第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用于三大器件的制造

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AIN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，目前發(fā)展較為成熟的是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），其主要應(yīng)用于電力電子器件和射頻器件制造中。

2、2020年電力電子器件規(guī)模將達(dá)6.9億美元

在電力電子板塊，SiC是電力電子器件的主要材料，而GaN的應(yīng)用占比相對(duì)較小。數(shù)據(jù)顯示，2018-2019年，全球SiC和GaN在電力電子器件的應(yīng)用規(guī)模有所增長，2019年達(dá)6.4億美元;據(jù)Yole預(yù)測，2020年，SiC和GaN的電力電子器件市場規(guī)模將達(dá)6.9億美元，增速有所下降，主要受全球疫情的影響。

隨著產(chǎn)業(yè)技術(shù)的成熟，SiC及GaN器件相較于Si器件的性能優(yōu)勢(shì)愈發(fā)明顯，第三代功率器件的滲透率逐步提升，應(yīng)用領(lǐng)域越發(fā)廣泛。

以GaN電力電子器件的應(yīng)用情況為例，2018-2019年，主要應(yīng)用于消費(fèi)類電源領(lǐng)域，至2025年，新能源汽車的應(yīng)用將占據(jù)主導(dǎo)地位，至2030年，工業(yè)市場的應(yīng)用也開始起步。

3、射頻器件主要應(yīng)用于基站、國防領(lǐng)域

在微波射頻板塊，GaN是射頻器件的主要原料。2019年，全球GaN在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模達(dá)7.4億美元，較2018年增長了0.95億美元;據(jù)yole預(yù)測，2020年GaN在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模將達(dá)9.3億美元。

2019年，GaN射頻器件的下游應(yīng)用領(lǐng)域中，國防是最大的應(yīng)用領(lǐng)域，應(yīng)用規(guī)模達(dá)3.42億美元，占比約46;其次是基站領(lǐng)域，市場應(yīng)用規(guī)模達(dá)3.18億美元，占比約43%。據(jù)yole預(yù)測，隨著5G基站的應(yīng)用推廣，GaN射頻器件在基站的應(yīng)用占比將有所提升。

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