91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

DRAM合約價格全面上漲 美光1a DRAM制程量產能否解決燃眉之急?

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友原創(chuàng) ? 作者:章鷹 ? 2021-02-02 17:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本站原創(chuàng)!

(電子發(fā)燒友網報道 文/章鷹)2021年1月27日,全球三大存儲廠商之一的美光正式宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點的 DRAM 產品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術,在密度、功耗和性能等對比美光上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術將內存密度提升了 40%,為將來的產品和內存創(chuàng)新提供了堅實的基礎。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產品后,美光實現(xiàn)的又一突破性里程碑,進一步加強了公司在內存市場的競爭力。

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana認為,全新的 1α 技術將為手機行業(yè)帶來最低功耗的 DRAM,同時也使美光于數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費領域、工業(yè)和汽車領域的 DRAM 客戶受益匪淺。據(jù)悉,美光位于臺灣地區(qū)的工廠已開始批量生產 1α節(jié)點 DRAM,首先出貨的是面向運算市場的DDR4內存以及英睿達 (Crucial) 消費級 PC DRAM產品。

美光計劃于今年將 1α節(jié)點全面導入其 DRAM 產品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應用領域——為包括移動設備和智能車輛在內的各種應用提供更強的性能。針對DRAM的技術,Sumit Sadana表示,美光描繪了未來的發(fā)展藍圖,從1α到1β、1γ、1δ,這些都處在不同的研究開發(fā)階段。

三大需求推動存儲市場增長

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana對記者表示,展望2021年,全球GDP增長約5%,半導體產業(yè)預計增長可達12%,整個產業(yè)的市場金額將達5020億美元。而在半導體產業(yè)當中的內存與存儲技術這一領域,預計增長可達19%,內存與存儲技術的產值將會達到1460億美元。內存和存儲預計是未來十年增長最快的半導體市場,美光憑借領先業(yè)界的 DRAM 和 NAND 技術,將在這個快速增長的市場爭取最有利的市場地位。

圖:美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana

哪些市場的興起帶動了存儲市場的增長引擎?Sumit Sadana認為,三大需求端推動DRAM和NAND為主要產品的存儲市場高速成長。一、數(shù)據(jù)中心現(xiàn)在越來越多采用SSD,為了要適應目前數(shù)據(jù)不斷增長的趨勢,許多云的客戶或企業(yè)用戶都開始規(guī)劃。云端成長是存儲業(yè)務最長期的成長動能,美光協(xié)助客戶,讓他們針對數(shù)據(jù)中心可以重新做架構的設計。二、智慧邊緣,會有數(shù)十億的聯(lián)網設備。全球70%的筆記本電腦和PC搭載SSD,移動設備端對NAND需求也大增,游戲產業(yè)的兩大平臺PlayStation和XBox都有新的游戲主機上市,這又是一個可以讓SSD取代傳統(tǒng)硬盤的部分。;三、來自工業(yè)物聯(lián)網汽車電子對存儲產品需求增加。行業(yè)預計,今年DRAM需求將增長17%到20%,而服務器產品的需求也可能增長30%以上。

一季度價格上漲已成定局 DRAM供應緊缺全年將會持續(xù)

根據(jù)Trendforce報告,去年DRAM價格逐季走低,今年可望實現(xiàn)市場上漲的情形。由于三星、SK海力士、美光等三家大廠去年進行庫存調整,現(xiàn)在手上庫存已降低到2-3周低點,由于上半年三家大廠均沒有新產能開出,雖然制程由1z納米向1a納米挺進,但制程微縮將帶來晶圓產能的自然減損。1月份,服務器的DRAM價格止跌上漲,32GB DDR4合約價格增加4.6%達115美元,64GB DDR4合約價月增4.9%達235美元。5G手機持續(xù)出貨量上揚,筆記本出貨走強,都將帶動上半年DRAM價格逐季上漲。

Sumit Sadana先生對記者表示:“去年新冠疫情加速高科技的發(fā)展,在疫情剛開始,我們發(fā)現(xiàn)來自汽車行業(yè)或智能手機行業(yè)的需求下降。但到第三四季度,我們看到這兩個領域市場需求大幅度復蘇。汽車客戶、PC客戶,還有客戶端設備的生產客戶,他們都有非常強勁的需求?!?/p>

他指出,全球半導體出現(xiàn)的缺貨漲價的情況,美光在某些DRAM的業(yè)務方面出現(xiàn)了緊缺的現(xiàn)象,部分的運營狀況受到了影響?!敖衲甑谝患径?,我們已經看到某一些DRAM產品的價格有所上漲。在今年內,我們認為這個需求不斷上升的趨勢會持續(xù)下去。但是,NAND技術這部分的情況會有不同,目前市場上的供應還是充足的。不過隨著價格的浮動,我們認為NAND這方面的產品也會出現(xiàn)價格彈性,也就是說市場會自行調節(jié),可能NAND的產能也會有所調整。2021年整年下來,我們相信NAND的產能也會穩(wěn)定下來?!?Sumit Sadana分析說。

Sumit Sadana強調,近期以及中期的DRAM短缺問題,涵蓋了多個因素,需要整個產業(yè)一起來解決。美光投入了非常多的資本以及資源,希望與客戶一起來解決需求以及供應的問題。目前看短期之內,不管是來自于美光或者是整個存儲產業(yè)的產能,一時之間都還是沒有辦法滿足所有客戶的需求。

本文由電子發(fā)燒友網原創(chuàng),未經授權禁止轉載。如需轉載,請?zhí)砑游?a target="_blank">信號elecfans999。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關注

    關注

    41

    文章

    2394

    瀏覽量

    189145
  • NAND
    +關注

    關注

    16

    文章

    1756

    瀏覽量

    141048
  • SSD
    SSD
    +關注

    關注

    21

    文章

    3111

    瀏覽量

    122232
  • 美光
    +關注

    關注

    5

    文章

    740

    瀏覽量

    53318
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    存儲“超級周期”,報價暫停、價格飛漲!

    報價。SK海力士、三星電子等諸多廠商的業(yè)績也是屢創(chuàng)新高。多家機構預測存儲漲價形勢將延續(xù)到第四季度甚至明年。 ? 漲價形勢 ? 據(jù)韓媒報道,三星電子近日通知主要客戶,將在第四季度上調產品合約交易(大宗)價格,其中DRAM
    的頭像 發(fā)表于 10-10 08:28 ?9555次閱讀
    存儲“超級周期”,報價暫停、<b class='flag-5'>價格</b>飛漲!

    價格暴漲90%后,DRAM小時級定價常態(tài)化,超19萬中小企業(yè)面臨生存危機

    合約價大幅上漲。2025 年第四季度 DRAM 產業(yè)營收為 535.8 億美元,較上一季度增長 29.4%。 ? 在這波行情里,SK 海力士、三星和美等企業(yè)均實現(xiàn)業(yè)績大漲。然而
    的頭像 發(fā)表于 03-06 09:17 ?1424次閱讀

    DRAM芯片選型,DRAM工作原理

    DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片作為計算機系統(tǒng)內存的核心組成部分,承擔著臨時存儲CPU運算所需數(shù)據(jù)和指令的關鍵任務。DRAM芯片憑借高存儲密度與成本優(yōu)勢,廣泛應用于個人電腦、服務器、智能手機及各類需要大容量緩存的電子設備中。
    的頭像 發(fā)表于 01-30 15:11 ?445次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>芯片選型,<b class='flag-5'>DRAM</b>工作原理

    超級DRAM晶圓廠將動工!

    Micron 宣布其位于美國紐約州奧農達加縣克萊鎮(zhèn)的大型 DRAM 內存晶圓廠集群項目將于當?shù)貢r間 2026 年 1 月 16 日正式動工。這一集群總投資 1000 億美元,將是紐
    的頭像 發(fā)表于 01-12 14:40 ?514次閱讀

    創(chuàng)新的高帶寬DRAM解決方案

    AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網邊緣的需求。為了滿足這種需求,Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價比和低功耗優(yōu)勢,創(chuàng)新型
    的頭像 發(fā)表于 01-05 14:29 ?181次閱讀

    DRAM組織結構和讀取原理介紹

    DRAM 被組織成層次化的陣列,總共由數(shù)十億個 DRAM 單元組成,每個單元存儲一位數(shù)據(jù)。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 15:10 ?2149次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>組織結構和讀取原理介紹

    辰:存儲芯片價格飆升,國產半導體行業(yè)的連鎖反應

    有限等因素,導致DRAM與NANDFlash全面供不應求。預測這一缺貨潮預計將持續(xù)至2026年上半年。深圳市瑞辰科技有限公司認為,在此背景下,存儲芯片價格
    的頭像 發(fā)表于 11-26 11:34 ?1811次閱讀
    瑞<b class='flag-5'>之</b>辰:存儲芯片<b class='flag-5'>價格</b>飆升,國產半導體行業(yè)的連鎖反應

    內存價格漲幅超過黃金! 怎么搞的?

    近期內存市場的漲勢令人震驚。行業(yè)分析報告顯示,2025年第三季度DRAM合約價格同比上漲高達171.8%,這一數(shù)字甚至超過了同期黃金的漲幅。有業(yè)內觀察人士指出,2025年第四季度將標志
    的頭像 發(fā)表于 11-06 16:46 ?3193次閱讀
    內存<b class='flag-5'>價格</b>漲幅超過黃金! 怎么搞的?

    存儲進入“漲價通道”

    2025 年以來,全球存儲市場出現(xiàn)明顯的價格上行趨勢。受AI 計算需求爆發(fā)、上游產能結構調整和傳統(tǒng) HDD 供給緊張等多重因素驅動,DRAM 與 NAND Flash 的價格
    的頭像 發(fā)表于 10-16 09:01 ?2781次閱讀
    存儲進入“漲價通道”

    宣布:停止移動 NAND開發(fā),包括終止UFS5開發(fā)

    產品的開發(fā),包括終止UFS5的開發(fā)。 此項決策僅影響全球移動 NAND 產品的開發(fā)工作,將繼續(xù)開發(fā)并支持其他 NAND 解決方案,如SSD和面向汽車及其他終端市場的NAND解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 08-12 13:39 ?3134次閱讀

    利基DRAM市場趨勢

    電子發(fā)燒友網綜合報道,基于產品和市場特性,DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產品具有大容量、高傳輸速率的特點,主要應用于智能手機、個人計算機、服務器等大規(guī)模標準化電
    的頭像 發(fā)表于 06-07 00:01 ?4572次閱讀
    利基<b class='flag-5'>DRAM</b>市場趨勢

    DDR4漲價20%,DDR5上調5%!

    %。 ? 除了三星,SK海力士、此前也傳出漲價的消息。據(jù)供應鏈人士透露,海力士DRAM(消費級)顆粒(Memory Chip/Die)價格上漲
    的頭像 發(fā)表于 05-13 01:09 ?7374次閱讀

    存儲DRAM:擴張與停產雙重奏

    一季度,SK海力士憑借在HBM領域的絕對優(yōu)勢,終結三星長達四十多年的市場統(tǒng)治地位,以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? 當前國際存儲大廠轉向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產品的產能,疊加關稅出口等這些
    的頭像 發(fā)表于 05-10 00:58 ?8983次閱讀

    HBM重構DRAM市場格局,2025年首季DRAM市占排名

    一季度在AI服務器保持穩(wěn)健推動對服務器DRAM需求,PC和移動需求復蘇力度也較預期更為明顯,此外疊加關稅觸發(fā)的部分補庫存需求的共同影響下,2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預期,全球DRAM市場規(guī)模同比
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:50 ?1451次閱讀
    HBM重構<b class='flag-5'>DRAM</b>市場格局,2025年首季<b class='flag-5'>DRAM</b>市占排名

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    %左右開始,隨著進入量產階段,良率會逐漸提高”。 星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內存芯片和 4nm 邏輯芯片, 雖然邏輯芯片端的初始成績較為喜人,但 1
    發(fā)表于 04-18 10:52