近日，中國科學院上海技術(shù)物理研究所科研人員與南京大學、復旦大學、東華大學、中國科學技術(shù)大學及上海科技大學的相關團隊合作，提出了原子尺度上精細調(diào)控Ⅱ型狄拉克半金屬的新方法，該研究成果以Colossal Terahertz Photoresponse at Room Temperature: A Signature of Type-II Dirac Fermiology為題，發(fā)表在《美國化學學會-納米》上。

工業(yè)生產(chǎn)過程中的核心是制造，當半導體工藝制造加工從微米、納米向著當前最具代表性的原子尺度邁進時，制造技術(shù)將可能直面以量子行為主導的變革性路線—原子制造。隨著半導體技術(shù)和工藝的發(fā)展，人們對光電探測器提出了更高要求，尤其是處于光子學和電子學過渡區(qū)域的太赫茲輻射探測，如引力波探測、大氣演化、軍事雷達等，引起了極大關注。近年來，狄拉克（Dirac）半金屬材料的發(fā)現(xiàn)激發(fā)了人們尋找奇異量子行為的潛在用途，如非線性霍爾效應、非線性光學等，狄拉克點處的費米子擁有有效質(zhì)量為零、良好導電性和運動受拓撲學保護等特點，這為操縱與非平凡帶拓撲相關的光電器件的性能帶來了希望。

該研究中，科研人員通過室溫下的光電表征與電子結(jié)構(gòu)表征，發(fā)現(xiàn)第二類狄拉克費米子太赫茲異常增強現(xiàn)象。通過Pt原子的引入來構(gòu)筑狄拉克錐的對稱性，可推導出狄拉克點幾乎完全位于費米能級的情況下，如圖1所示，具有極大的室溫光導增強，有望實現(xiàn)器件性能的大幅提升。實驗結(jié)果與應用于拓撲材料的最可靠方法角分辨光電子能譜（ARPES）高度一致，并且狄拉克半金屬范德華異質(zhì)結(jié)具有較好的抑制熱攪動噪聲和快速響應、低功耗的性能，表明在原子層面構(gòu)筑新材料、新器件的新途徑。該研究為探索拓撲半金屬開辟了新途徑，并為低能量長波探測技術(shù)在成像、生物醫(yī)學傳感和下一代通信領域的定向應用探索了可行性。

圖1 材料能帶變化及器件原理和性能

上海技物所研究員王林、陳剛、陳效雙和南京大學教授宋鳳麒為論文共同通訊作者，上海技物所博士研究生徐煌、陳支慶子、南京大學副研究員費付聰為論文共同第一作者。

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