ST意法半導(dǎo)體推出了三款MasterGaN器件，MasterGaN器件內(nèi)部集成了兩顆GaN開(kāi)關(guān)管及驅(qū)動(dòng)器，組成半橋器件，是一款先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)功率封裝，可輸入邏輯電壓信號(hào)輕松控制器件。ST的MasterGaN系列均為半橋器件，內(nèi)置650V耐壓的增強(qiáng)型氮化鎵開(kāi)關(guān)管，支持零下40到125攝氏度工作溫度范圍，三款器件僅內(nèi)置開(kāi)關(guān)管參數(shù)不同。

一、MasterGaN1

ST MasterGaN1的評(píng)估板，連接為半橋輸出，左側(cè)為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入，右側(cè)為半橋輸出，左側(cè)下方是一顆穩(wěn)壓器，為MasterGaN1提供穩(wěn)壓供電。

通過(guò)評(píng)估板圖片可以看出，MasterGaN1器件將控制信號(hào)和功率走線分開(kāi)，便于走線布局設(shè)計(jì)。

ST MasterGaN1 特寫(xiě)。

MASTERGAN1內(nèi)部集成半橋驅(qū)動(dòng)器和兩顆耐壓650V，導(dǎo)阻150mΩ的高壓GaN開(kāi)關(guān)管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內(nèi)，對(duì)稱半橋，工作電流10A，低側(cè)和高側(cè)均具有欠壓關(guān)閉保護(hù)。驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置自舉二極管，內(nèi)置互鎖功能，且具有準(zhǔn)確的內(nèi)部定時(shí)匹配。具有獨(dú)立的關(guān)斷引腳，具有滯回和下拉的3.3-15V輸入信號(hào)，外圍元器件精簡(jiǎn)，具有非常緊湊和簡(jiǎn)便的布局，可實(shí)現(xiàn)靈活快捷的設(shè)計(jì)。

二、MasterGaN2

MASTERGAN2為非對(duì)稱設(shè)計(jì)的半橋結(jié)構(gòu)，上管為225mΩ，下管為150mΩ，其余功能與MASTERGAN1一致，可用于ACF拓?fù)洹?/p>

ST MasterGaN2 特寫(xiě)。

ST MasterGaN2內(nèi)部集成225mΩ上管和150mΩ下管。

三、MasterGaN4

MasterGaN4為對(duì)稱半橋結(jié)構(gòu)，內(nèi)置兩顆225mΩ導(dǎo)阻的高壓GaN開(kāi)關(guān)管。

ST MasterGaN4 特寫(xiě)。

ST MasterGaN4內(nèi)部集成225mΩ上管和225mΩ下管。

小編制表方便大家看出不同型號(hào)之間的區(qū)別。

此外，還有基于MasterGaN1的250W輸出功率LLC諧振電源EVLMG1-250WLLC。

這款電源采用400V直流輸入，輸出電壓24V，尺寸為100*60mm，開(kāi)關(guān)管和同步整流均焊接在小板上，提高空間利用率，便于散熱。

電源背面高壓側(cè)有一顆控制器。

采用L6599A LLC控制器控制一個(gè)MasterGaN1進(jìn)行LLC諧振運(yùn)行。

焊接MasterGaN1的小板，沒(méi)有任何輔助散熱措施，僅靠PCB散熱。基于器件內(nèi)置的兩顆150mΩ氮化鎵開(kāi)關(guān)管，就可通過(guò)LLC諧振輸出250W高功率。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

ST推出的MasterGaN系列產(chǎn)品，對(duì)于半橋架構(gòu)的開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)，是一顆非常適合的芯片。MasterGaN其9*9mm的封裝看起來(lái)比較大，但是比起兩顆8*8的GaN開(kāi)關(guān)管加上獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器，占板面積大大縮小。同時(shí)合封器件也大大減小了寄生效應(yīng)對(duì)效率的影響，提高電源產(chǎn)品的效率和可靠性。

MasterGaN優(yōu)化的散熱焊盤(pán)與走線布局，大大簡(jiǎn)化了PCB設(shè)計(jì)，適宜應(yīng)用在高功率密度的大功率電源中，增加可靠性，減小體積，降低散熱需求。

原文標(biāo)題：ST意法半導(dǎo)體推出三款半橋氮化鎵單芯片

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