日前，科創(chuàng)板廠商蘇州東微半導(dǎo)體發(fā)布了2021年年報(bào)，蘇州東微半導(dǎo)體2021年?duì)I業(yè)增長153.28%。

2021 年度公司營業(yè)收入相較上年同期增長 153.28%，主要系 2021 年度公司所在的半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域景氣度持續(xù)向好，下游需求旺盛，同時(shí)，公司通過不斷深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并不斷研發(fā)出更為優(yōu)秀的產(chǎn)品與技術(shù)。

2021 年度歸屬于上市公司股東的凈利潤與歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤分別同比增長 430.66%、588.67%，主要系報(bào)告期內(nèi)營業(yè)收入大幅上升及毛利率大幅上漲所致，2021 年度公司毛利率較去年同比上漲 10.87 個(gè)百分點(diǎn)。

2021 年度歸屬于上市公司股東的凈資產(chǎn)與總資產(chǎn)分別同比增長 35.07%、43.63%，主要系報(bào)告期內(nèi)伴隨著公司業(yè)務(wù)的不斷開展，凈利潤大幅增長所致。

2021 年度基本每股收益、稀釋每股收益、扣除非經(jīng)常性損益后的基本每股收益分別同比增長 385.00%、385.00%、531.82%。

下面我們看看蘇州東微半導(dǎo)體詳細(xì)的年報(bào)：

董事會(huì)決議通過的本報(bào)告期利潤分配預(yù)案或公積金轉(zhuǎn)增股本預(yù)案

公司2021年度利潤分配預(yù)案為：

公司擬以實(shí)施權(quán)益分派股權(quán)登記日登記的總股本為基數(shù)，擬向全體股東每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利 3.30元（含稅）。截至2022年3月31日，公司總股本67，376，367股，以此計(jì)算合計(jì)擬派發(fā)現(xiàn)金紅利 22，234，201.11元（含稅），本年度公司現(xiàn)金分紅金額占2021年度合并報(bào)表中歸屬于母公司股東的凈利潤的比例為15.14%；公司不進(jìn)行資本公積金轉(zhuǎn)增股本，不送紅股。

如在公司2021年年度利潤分配預(yù)案披露之日起至實(shí)施權(quán)益分派股權(quán)登記日期間公司總股本發(fā)生變動(dòng)的，公司擬維持分配總額不變，相應(yīng)調(diào)整每股分配比例。

以上利潤分配預(yù)案已經(jīng)公司第一屆董事會(huì)第九次會(huì)議審議通過，尚需公司2021年度股東大會(huì)審議通過。

1、2021 年度公司營業(yè)收入相較上年同期增長 153.28%，主要系 2021 年度公司所在的半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域景氣度持續(xù)向好，下游需求旺盛，同時(shí)，公司通過不斷深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并不斷研發(fā)出更為優(yōu)秀的產(chǎn)品與技術(shù)。公司主營產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器、新能源車車載充電機(jī)、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、快速充電器等領(lǐng)域。報(bào)告期內(nèi)，公司業(yè)績的持續(xù)增長主要系受前述應(yīng)用領(lǐng)域需求增長、產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大、新產(chǎn)品不斷推出及產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化等因素影響。

2、2021 年度歸屬于上市公司股東的凈利潤與歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤分別同比增長 430.66%、588.67%，主要系報(bào)告期內(nèi)營業(yè)收入大幅上升及毛利率大幅上漲所致，2021 年度公司毛利率較去年同比上漲 10.87 個(gè)百分點(diǎn)。

3、2021 年度經(jīng)營活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)金流量凈額同比增長，主要系報(bào)告期內(nèi)，公司營業(yè)收入和毛利率大幅增加，并且公司加大對(duì)客戶回款管理，收到客戶現(xiàn)金回款增加所致。

4、2021 年度歸屬于上市公司股東的凈資產(chǎn)與總資產(chǎn)分別同比增長 35.07%、43.63%，主要系報(bào)告期內(nèi)伴隨著公司業(yè)務(wù)的不斷開展，凈利潤大幅增長所致。

5、2021 年度基本每股收益、稀釋每股收益、扣除非經(jīng)常性損益后的基本每股收益分別同比增長 385.00%、385.00%、531.82%，主要系報(bào)告期內(nèi)公司營業(yè)收入大幅上升，凈利潤增加，盈利能力不斷提升所致。

經(jīng)營情況討論與分析

報(bào)告期內(nèi)，面對(duì)國際貿(mào)易摩擦、上游原材料供應(yīng)緊張和高性能功率芯片客戶需求與日俱增等多重嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，公司始終堅(jiān)持以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力，持續(xù)提升產(chǎn)品性能，擴(kuò)大供貨能力，不斷滿足客戶對(duì)高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。公司持續(xù)加大研發(fā)投入，積極擴(kuò)充技術(shù)人才隊(duì)伍，豐富產(chǎn)品品類與產(chǎn)品規(guī)格；進(jìn)一步深化與行業(yè)上游的晶圓制造廠商、封裝測試廠商等供應(yīng)商的業(yè)務(wù)和技術(shù)合作關(guān)系，有效保障產(chǎn)能供給，持續(xù)進(jìn)行前沿技術(shù)的合作。憑借公司在高性能功率器件領(lǐng)域優(yōu)異的技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)品性能和一流的客戶基礎(chǔ)，緊抓國產(chǎn)替代的歷史機(jī)遇，繼續(xù)深耕以新能源汽車直流充電樁、車載充電機(jī)、5G 基站電源及通信電源、光伏逆變及儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源等為代表的工業(yè)級(jí)與汽車級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域，長期與上述領(lǐng)域頭部廠商保持穩(wěn)定、持續(xù)的戰(zhàn)略合作關(guān)系。同時(shí)，公司大力開發(fā)以 Tri-gate IGBT 為代表的新型功率器件產(chǎn)品，迅速擴(kuò)大新型產(chǎn)品在公司業(yè)務(wù)版圖的比重，并憑借優(yōu)異的產(chǎn)品性能進(jìn)入高性能儲(chǔ)能、光伏逆變器、直流充電樁等高效率電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用，在多個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)出貨。

報(bào)告期內(nèi)，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 7.82 億元，比上年同期增長 153.28%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤 1.47 億元，比上年同期增長 430.66%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤 1.41 億元，比上年同期增長 588.67%。同時(shí)，公司主營業(yè)務(wù)收入在各產(chǎn)品系列均實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長：（1）公司高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 產(chǎn)品全年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 56，856.56 萬元，較 2020 年同期增長 128.27%；（2）公司中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品全年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 20，569.47 萬元，較 2020 年同期增長 246.85%；（3）公司超級(jí)硅 MOSFET 產(chǎn)品全年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 214.99 萬元，較 2020 年同期增長 432.63%；（4）報(bào)告期內(nèi)，公司 Tri-gate IGBT 產(chǎn)品首次量產(chǎn)出貨，全年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 568.17 萬元。2022 年，東微半導(dǎo)主營產(chǎn)品將持續(xù)批量出貨并新增多個(gè)新產(chǎn)品送測認(rèn)證，這將對(duì)公司主營產(chǎn)品銷售增長提供持續(xù)推動(dòng)力。

產(chǎn)品規(guī)格進(jìn)一步豐富

1、高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 產(chǎn)品

2021 年公司繼續(xù)擴(kuò)展基于公司第三代 GreenMOS 高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品規(guī)格，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升。公司持續(xù)在工業(yè)電源、新能源汽車車載充電機(jī)、直流充電樁、通訊和基站電源、工業(yè)照明、光伏逆變儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源等核心領(lǐng)域持續(xù)批量供貨并增加新的規(guī)格。

2021 年公司第四代 GreenMOS 高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)研發(fā)成功，預(yù)計(jì) 2022 年開始批量供貨。

2021 年公司基于深溝槽超級(jí)結(jié)技術(shù)的中低壓超級(jí)結(jié) MOSFET 技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行，1000V 以上高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 技術(shù)工程開發(fā)成功，具備量產(chǎn)能力。

2021 年公司基于 12 英寸先進(jìn)工藝制程的高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 技術(shù)進(jìn)入大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，產(chǎn)品進(jìn)入大量工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域；基于 12 英寸制程的下一代超級(jí)結(jié) MOSFET 技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行。

2021 年 ，公司上述業(yè)務(wù)進(jìn)展具體表現(xiàn)為： （1）新能源汽車直流充電樁領(lǐng)域作為公司的主要細(xì)分市場之一，公司與國內(nèi)各主要的直流充電樁電源模塊廠商建立了廣泛深入的合作關(guān)系，持續(xù)批量出貨客戶包括英可瑞、英飛源、特銳德、永聯(lián)科技、盛弘股份、優(yōu)優(yōu)綠能等；（2）新能源汽車車載充電機(jī)領(lǐng)域作為公司的主要細(xì)分市場之一，主要的業(yè)務(wù)進(jìn)展體現(xiàn)在：批量出貨給比亞迪、英搏爾、鐵城科技、英威騰等車載充電機(jī)設(shè)計(jì)制造領(lǐng)先企業(yè)，終端客戶涉及多個(gè)國內(nèi)主要的新能源汽車品牌；（3）通訊電源和基站電源是高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是東微半導(dǎo)的主要細(xì)分市場之一。報(bào)告期內(nèi)主要業(yè)務(wù)進(jìn)展：對(duì)客戶 A 多個(gè)主要通訊電源產(chǎn)品線的供應(yīng)快速增加、對(duì)維諦技術(shù)持續(xù)批量出貨并且持續(xù)增加新的規(guī)格設(shè)計(jì)，進(jìn)入其全球技術(shù)平臺(tái)；對(duì)動(dòng)力源、深圳雷能、麥格米特、高斯寶電氣等客戶多個(gè)規(guī)格批量出貨；（4）公司在工業(yè)照明領(lǐng)域有廣泛的市場客戶群體，該領(lǐng)域也是高壓超級(jí)結(jié)的主要應(yīng)用場景之一。報(bào)告期內(nèi)主要的業(yè)務(wù)進(jìn)展體現(xiàn)在：批量出貨給通用電氣、明緯電子、崧盛股份、茂碩電源等；（5）光伏逆變、儲(chǔ)能應(yīng)用是東微半導(dǎo)的深耕市場領(lǐng)域，也是東微半導(dǎo)的主要細(xì)分市場之一。報(bào)告期內(nèi)，主要的業(yè)務(wù)進(jìn)展體現(xiàn)在：批量出貨給客戶 A、昱能科技、禾邁股份等，并且持續(xù)增加規(guī)格設(shè)計(jì)；批量出貨給洛侖茲、寧德時(shí)代、圖為電氣等；送測認(rèn)證光伏相關(guān)應(yīng)用客戶愛士惟、古瑞瓦特、錦浪科技等；（6）數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源是東微半導(dǎo)的主要細(xì)分市場之一，未來成長性高。報(bào)告期內(nèi)持續(xù)批量出貨維諦技術(shù)、中國長城、高斯寶電氣、深圳雷能、麥格米特等；（7）在各類適配器電源相關(guān)應(yīng)用中，東微半導(dǎo)進(jìn)入了 OPPO、安克電子等；繼續(xù)批量出貨航嘉 Huntkey、天寶電子、奧海科技、臺(tái)和電子、歐陸通等，并持續(xù)增加設(shè)計(jì)新的規(guī)格。

報(bào)告期內(nèi)，公司高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 晶圓客戶主要有東科半導(dǎo)體、通嘉科技、矽力杰半導(dǎo)體等。

2、中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品

2021 年公司 25V-30V 低壓超高速屏蔽柵 MOSFET（SGT MOSFET）開發(fā)成功并開始量產(chǎn)，為拓展數(shù)據(jù)中心電源服務(wù)器 CPU 供電芯片打下基礎(chǔ)。

2021 年公司 150V 屏蔽柵 MOSFET （SGT MOSFET）開發(fā)成功并開始量產(chǎn)，200V 與 250V 電壓規(guī)格技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行。

2021 年公司繼續(xù)拓展基于 12 英寸先進(jìn)工藝制程的屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品平臺(tái)，形成了多個(gè)電壓平臺(tái)的規(guī)格并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2021 年業(yè)務(wù)進(jìn)展具體表現(xiàn)為：在電動(dòng)工具領(lǐng)域，公司產(chǎn)品批量進(jìn)入寶時(shí)得、創(chuàng)科集團(tuán)、喜利得等國內(nèi)外主要的電動(dòng)工具廠商。公司亦努力發(fā)展家電應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域，中低壓屏蔽柵 MOSFET 已批量進(jìn)入海爾集團(tuán)、美的集團(tuán)、伊萊克斯等。

報(bào)告期內(nèi)，公司中低壓屏蔽柵 MOSFET 晶圓客戶主要有東科半導(dǎo)體、長晶科技、芯朋微電子、無錫硅動(dòng)力、揚(yáng)杰電子等。

3、超級(jí)硅 MOSFET 產(chǎn)品

2021 年公司第二代超級(jí)硅功率 MOSFET 器件開發(fā)成功，同時(shí)，展開第三代超級(jí)硅 MOSFET 器件的開發(fā)。

2021 年超級(jí)硅產(chǎn)品業(yè)務(wù)進(jìn)展具體表現(xiàn)為：批量進(jìn)入中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司、航嘉馳源、易米通科技、廣州視源、富安電子、碩通電子等客戶。

4、Tri-gate IGBT 產(chǎn)品

2021 年公司基于自主專利技術(shù)的 650V、1200V 及 1350V 新一代 IGBT 器件技術(shù) TGBT （Trident Gate Bipolar Transistor 或 Tri-gate IGBT）研發(fā)成功并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。產(chǎn)品包括低 Vce，sat 系列、高速系列以及逆導(dǎo)型 TGBT 等多個(gè)系列。第一代 650V TGBT 芯片的電流密度為 400A/cm2，達(dá)到國際主流第七代 IGBT 技術(shù)水平。同時(shí)，公司第二代 TGBT 技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行。公司基于 12 英寸先進(jìn)工藝制程的 IGBT 技術(shù)開發(fā)順利進(jìn)行。

2021 年公司研發(fā)的高速大電流功率器件 600/650V Hybrid-FET 器件產(chǎn)業(yè)化順利進(jìn)行，報(bào)告期內(nèi)開發(fā)出 6 種 Hybrid-FET 規(guī)格產(chǎn)品。

2021 年公司 TGBT 器件在光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域獲得客戶的批量應(yīng)用。TGBT 產(chǎn)品批量出貨優(yōu)優(yōu)綠能等直流充電樁電源模塊生產(chǎn)企業(yè)；送測認(rèn)證光伏相關(guān)客戶有古瑞瓦特、愛士惟等，送測認(rèn)證新能源車載充電機(jī)應(yīng)用客戶有比亞迪、欣銳科技等；批量出貨光伏應(yīng)用相關(guān)企業(yè)有新明海、歐亞瑪、美世樂等；送測認(rèn)證儲(chǔ)能、電機(jī)、UPS 等應(yīng)用客戶有匯川技術(shù)、視源股份等。上述多家客戶測試認(rèn)證反饋性能良好，部分客戶的器件導(dǎo)入程序按計(jì)劃順利進(jìn)行。部分車載電子客戶使用公司開發(fā)的并聯(lián) SiC 二極管的高速系列 TGBT 對(duì) SiC MOSFET 進(jìn)行替代，進(jìn)展順利。

2021 年公司布局第三代功率半導(dǎo)體器件如采用公司獨(dú)創(chuàng)技術(shù)的高性能高可靠性第三代半導(dǎo)體 MOSFET 器件，申請(qǐng)多項(xiàng)第三代半導(dǎo)體相關(guān)專利，產(chǎn)品開發(fā)順利進(jìn)行。此系列產(chǎn)品將與并聯(lián) SiC 二極管的高速系列 TGBT 互為補(bǔ)充，對(duì)采用傳統(tǒng)技術(shù)路線的 SiC MOSFET 進(jìn)行替代。

此外，東微半導(dǎo)積極開拓海外市場，目前在歐洲市場進(jìn)展良好，送測認(rèn)證電動(dòng)工具、車載充電機(jī)、工業(yè)電源、工業(yè)控制、家電相關(guān)、工業(yè)照明等領(lǐng)域，致力于發(fā)展全球客戶。未來，公司將持續(xù)專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域，堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，以成為國際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商為目標(biāo)，為終端客戶創(chuàng)造更大價(jià)值。

持續(xù)加大研發(fā)投入，保證公司產(chǎn)品性能國內(nèi)領(lǐng)先

報(bào)告期內(nèi)，公司積極推進(jìn)主營產(chǎn)品高壓超級(jí)結(jié) MOSFET、中低壓屏蔽柵 MOSFET 及 TGBT 產(chǎn)品平臺(tái)的技術(shù)迭代升級(jí)，優(yōu)化 8 英寸與 12 英寸芯片代工平臺(tái)的產(chǎn)品布局，取得較好成效。截止報(bào)告期末，公司共計(jì)擁有產(chǎn)品規(guī)格型號(hào) 1790 余款，包括高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 產(chǎn)品（包括超級(jí)硅 MOSFET） 1100 款，中低壓 SGT 產(chǎn)品 641 款，IGBT 產(chǎn)品 52 款。進(jìn)一步加大對(duì)新產(chǎn)品與新技術(shù)研發(fā)的投入力度，積極布局第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，SiC 研發(fā)項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)。公司高度重視技術(shù)團(tuán)隊(duì)的建設(shè)，報(bào)告期內(nèi)進(jìn)一步擴(kuò)充研發(fā)團(tuán)隊(duì)。截至 2021 年 12 月 31 日，公司研發(fā)部共擁有33 名研發(fā)人員，合計(jì)占員工總數(shù)比例為 44%。在研發(fā)投入方面，報(bào)告期內(nèi)，公司的研發(fā)費(fèi)用投入為 4，143.39 萬元，同比增長 159.07%。高效的研發(fā)團(tuán)隊(duì)與持續(xù)的研發(fā)投入使得公司成為功率器件領(lǐng)域產(chǎn)品性能領(lǐng)先的本土企業(yè)之一。

綜上，2021 年度公司主營產(chǎn)品技術(shù)迭代升級(jí)有序進(jìn)行，新產(chǎn)品開發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)。報(bào)告期內(nèi)研發(fā)經(jīng)費(fèi)、研發(fā)人員數(shù)量、專利數(shù)量、新品開發(fā)數(shù)量快速增加。同時(shí)，公司的研發(fā)管理體系與質(zhì)量體系進(jìn)一步健全，報(bào)告期內(nèi)多個(gè)數(shù)字化系統(tǒng)上線，研發(fā)效率持續(xù)提升。

持續(xù)穩(wěn)定供應(yīng)商關(guān)系，保證產(chǎn)能供給

隨著下游需求持續(xù)擴(kuò)張以及上游原材料供應(yīng)緊張對(duì)全球晶圓代工行業(yè)產(chǎn)能帶來的負(fù)面影響，晶圓代工行業(yè)普遍出現(xiàn)產(chǎn)能緊張的情況，進(jìn)一步導(dǎo)致了晶圓價(jià)格的增長。報(bào)告期內(nèi)，公司與上游晶圓制造企業(yè)華虹半導(dǎo)體、粵芯半導(dǎo)體及 DB Hitek 等廠商繼續(xù)保持穩(wěn)定的業(yè)務(wù)和技術(shù)合作關(guān)系，保障公司的新產(chǎn)品研發(fā)有序推進(jìn)以及供應(yīng)產(chǎn)能穩(wěn)步增長。公司持續(xù)關(guān)注并協(xié)助開發(fā)適合于晶圓合作伙伴的創(chuàng)新工藝流程，根據(jù)合作伙伴的制造能力進(jìn)行深度定制化開發(fā)適配的工藝及產(chǎn)品，持續(xù)保持雙方技術(shù)能力的相互促進(jìn)和共同提升。