要來了！全球首個3nm工藝將在下周量產(chǎn)，三星欲借此彎道超車臺積電
以往人們的印象中，在芯片制造領(lǐng)域三星一直都是遜色于臺積電的，臺積電一直都是全球芯片制造領(lǐng)域第一的企業(yè)，三星多年都排在第二的位置，沒能將其超越。
不過據(jù)日前消息稱，三星將在下周正式量產(chǎn)3nm工藝。
早在之前三星就曾多次采用“彎道超車”的方式在芯片制造領(lǐng)域趕超對手，逐漸成為了芯片制造排名第二的企業(yè)，而這次三星同樣也是采取這種策略，搶在臺積電之前完成3nm制程的量產(chǎn)，搶占市場。
據(jù)了解，三星本次3nm制程工藝將采用最新的GAA環(huán)繞柵極晶體管，相比之前的FinTET晶體管來說，采用了GAA環(huán)繞柵極晶體管的3nm制程芯片要比采用了FinFET晶體管的芯片各方面都會強(qiáng)一些，包括性能、能效等，而臺積電還未量產(chǎn)的3nm制程還將采取FinFET工藝，因此在3nm制程上，臺積電可能會輸給三星。
不過據(jù)之前媒體對臺積電的采訪來看，臺積電并不擔(dān)心三星超越自己，還表示訂單已經(jīng)超出了臺積電供應(yīng)能力，賺得盆滿缽滿，或許臺積電也有著底牌沒拿出來。
綜合整理自 21ic電子網(wǎng) 小熊在線 中關(guān)村在線
審核編輯 黃昊宇
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似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r間17日報(bào)道稱，自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。
發(fā)表于 04-18 10:52
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