NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹
NETSOL串行MRAM產(chǎn)品非常適合需要快速頻繁地存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，因為STT-MRAM具有非易失性、幾乎無限的耐久性和快速寫入特性。
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。
它比并行接口需要更少的引腳數(shù)，并且易于在系統(tǒng)上配置。該產(chǎn)品的密度范圍從1Mbit到16Mbit。該設(shè)備可以取代閃存、FRAM或（nv）SRAM，具有相同的功能和非易失性。
SPIMRAM提供各種SPl模式，以允許帶寬擴展選項。SPI模式具有用于命令信號的單個（1）引腳。用戶可以在1個引腳、2個引腳或4個引腳中選擇分配給地址和數(shù)據(jù)信號的引腳數(shù)。DSPI模式為命令、地址和數(shù)據(jù)信號提供雙（2）引腳。QSPI模式為指令、地址和信號提供四（4）引腳。
NETSOLMRAM具有非易失性寄存器位-狀態(tài)寄存器、配置寄存器、序列號寄存器、擴充256字節(jié)和用于擴充字節(jié)的保護寄存器。這些寄存器位需要在高溫回流焊工藝后通電至少一次。采用小尺寸的8-WSON和8-SOIC封裝。工作溫度范圍（0℃至70℃）和工業(yè)（-40℃至85℃）。官方代理英尚微電子支持提供樣品測試。
Single/Dual/Quad IO SPI MRAM選型表
| Density | Part Number | Interfaces | VDD(V) | Frequency(MHz) SDR/DDR | Temperature | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Mbit | S3A1004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 1Mbit | S3A1004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 2Mbit | S3A2004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 2Mbit | S3A2004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 4Mbit | S3A4004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 4Mbit | S3A4004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 8Mbit | S3A8004V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 8Mbit | S3A8004R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 16Mbit | S3A1604V0M | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| 16Mbit | S3A1604R0M | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
寄存器
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
5608瀏覽量
129968 -
存儲器
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
7738瀏覽量
171654 -
SPI
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
1885瀏覽量
101227 -
MRAM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
250瀏覽量
32913
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
串行NETSOL自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機存取存儲器STT-MRAM
S3A3204R0M是自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)。它具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPI(串行外設(shè)接口)是帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號
NETSOL代理Parallel STT-MRAM系列存儲芯片
在追求高效能與高可靠性的工業(yè)存儲解決方案中，MRAM存儲芯片以其獨特的非易失性與近乎無限的耐用性，正成為新一代存儲技術(shù)的焦點。作為NETSOL的代理，英尚推出的NETSOL Parallel
Microchip 11XX 系列串行 EEPROM 產(chǎn)品深度解析
Microchip 11XX 系列串行 EEPROM 產(chǎn)品深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，串行 EEPROM 是常用的存儲器件之一。Microchip 推出的 11XX 系列串行
NETSOL MRAM芯片在工業(yè)機械中的數(shù)據(jù)儲存
工業(yè)設(shè)備通常即使在惡劣的操作環(huán)境中，也需要防止數(shù)據(jù)丟失和長期保存數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)還必須保證在停電時快速安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲器，在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。
串行通訊與并行通訊介紹
按數(shù)據(jù)傳送的方式，通訊可分為串行通訊與并行通訊，串行通訊是指設(shè)備之間通過少量數(shù)據(jù)信號線(一般是8根以下)， 地線以及控制信號線，按數(shù)據(jù)位形式一位一位地傳輸數(shù)據(jù)的通訊方式。而并行通訊一般是指使用8
發(fā)表于 12-11 06:52
Xilinx FPGA串行通信協(xié)議介紹
Xilinx FPGA因其高性能和低延遲，常用于串行通信接口設(shè)計。本文深入分析了Aurora、PCI Express和Serial RapidIO這三種在Xilinx系統(tǒng)設(shè)計中關(guān)鍵的串行通信協(xié)議。介紹了它們的特性、優(yōu)勢和應(yīng)用場景
Everspin256Kb串行SPI接口MRAM芯片分享
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲技術(shù)往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨特的磁阻存儲技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車
串行接口MRAM存儲芯片面向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口
MRAM存儲器EMD4E001G-1Gb的優(yōu)勢介紹
在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
Everspin存儲器8位并行總線MRAM概述
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
Everspin串口MRAM存儲芯片有哪些型號
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是
SOT-MRAM的獨特優(yōu)勢
作為磁阻存儲器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結(jié)構(gòu)設(shè)計，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點方向。該技術(shù)利用具有強自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過自旋軌道力矩驅(qū)動磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
串行EEPROM P24C256H產(chǎn)品介紹
P24C256H是I2C兼容的串行EEPROM（電可擦除可編程存儲器）設(shè)備。它包含一個256Kbits （32Kbytes）的內(nèi)存陣列，每頁64bytes。
RS485串行通信協(xié)議介紹
在上期我們介紹了RS232串行通訊，本期我們將進一步深入探討另一種廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化和數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域的串行通信標(biāo)準(zhǔn)——RS485。
MRAM存儲替代閃存，F(xiàn)PGA升級新技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，萊迪思宣布在FPGA設(shè)計上前瞻性的布局，使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù)，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
發(fā)表于 03-08 00:10
?1960次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論