前言：

晶圓廠擴產(chǎn)原因，是因為廠商們認為，從長期來看，半導(dǎo)體行業(yè)的增長動力將繼續(xù)發(fā)揮作用，PC、智慧手機等終端產(chǎn)品市場雖陷入調(diào)整局面，但來自數(shù)據(jù)中心、車用需求持續(xù)強勁。

其中，12英寸更是成為了廠商們擴產(chǎn)的主攻目標。

12英寸晶圓設(shè)備支出明年恢復(fù)增長

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）表示，在經(jīng)歷了2021年和2022年的強勁增長后，由于內(nèi)存和邏輯器件需求疲軟，預(yù)計今年300mm產(chǎn)能擴張將放緩。

300mm主要應(yīng)用在智能手機、計算機、云計算、人工智能、 SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域，目前出貨面積占比 60%以上。

SEMI指出，包括臺積電、聯(lián)電、英特爾、中芯、格芯、三星、SK海力士、美光、鎧俠、英飛凌、德州儀器等，將有82座新廠及產(chǎn)線于2023至2026年陸續(xù)量產(chǎn)。

預(yù)估全球12吋晶圓廠設(shè)備支出2023年740億美元、年減18％；2024年將反彈至820億美元、年增12％；2025年達1019億美元、年增達24％；2026年創(chuàng)1188億美元新高、年增17％。

各地區(qū)對晶圓廠投資預(yù)測

韓國2026年對12吋晶圓廠的設(shè)備支出投資總額將達302億美元，較今年157億美元幾近倍增、稱冠全球。

美國12吋晶圓廠的設(shè)備支出投資2026年估達188億美元，亦較今年的96億美元倍增。

臺灣2026年預(yù)期對12吋晶圓廠的設(shè)備支出投資238億美元，高于今年的224億美元。

大陸2026年將對12吋晶圓廠的設(shè)備支出投資161億美元，亦高于今年的149億美元。

細分市場支出預(yù)期 晶圓代工在2026年估達621億美元，高于今年的446億美元；存儲器2026年估達429億美元，較今年成長達1.7倍；

類比（analog）2026年支出估達62億美元，較今年50億美元成長達24％；邏輯（logic）投資亦將呈現(xiàn)成長趨勢。

不過，對于微處理器／微控制器（MPU/MCU）、離散（主要指功率元件）和光學(xué)元件的設(shè)備投資，預(yù)期2026年將較今年下滑。

今年國外12英寸新晶圓廠投資動態(tài)

意法半導(dǎo)體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠

意法半導(dǎo)體和格芯兩家公司共同興建半導(dǎo)體新工廠，總投資近75億歐元（約合人民幣571.91億元），法國經(jīng)濟和財政部提供約29億歐元（約合人民幣221.12億元）援助，并于當?shù)貢r間6月5日與廠商簽署了法國官方提供相關(guān)援助的協(xié)議。

興建半導(dǎo)體新工廠將在法國Crolles的現(xiàn)有300mm工廠附近合建一座300mm晶圓廠，其中意法半導(dǎo)體持股42%，格芯持有剩余的58%股權(quán)，目標是到2026年達到滿負荷生產(chǎn)，在完全擴建的情況下每年生產(chǎn)高達62片300毫米晶圓。

英飛凌投資50億歐元德累斯頓12吋新晶圓廠正式動工

5月3日消息，汽車芯片大廠英飛凌在德國德累斯頓計劃投資50億歐元的新300毫米晶圓廠于當?shù)貢r間2日正式破土動工。

新工廠將作為“一個虛擬工廠”與英飛凌Villach工廠緊密相連。這一電力電子制造綜合體基于高效的300毫米技術(shù)，將提高效率水平，為英飛凌提供額外的靈活性，以便更快地為客戶供貨。同時，該工廠將配備最新的環(huán)保技術(shù)，將是同類工廠中最環(huán)保的制造設(shè)施之一。

東芝擴大12英寸晶圓工廠

東芝功率半導(dǎo)體事業(yè)以硅MOSFET為最主要事業(yè)，以低耐壓MOSFET為中心，并正在向汽車、工業(yè)和服務(wù)器應(yīng)用等高增長市場推出高性能、高質(zhì)量的產(chǎn)品，通過擴大300mm晶圓工藝和擴建泰國工廠進行后端制造來擴大產(chǎn)能。

從2022年12月開始，一直在加賀東芝電子公司的現(xiàn)有建筑中使用12英寸晶圓兼容生產(chǎn)線進行生產(chǎn)，同時還在建設(shè)一條新的12英寸生產(chǎn)線。新建筑的第一階段計劃在2024財政年度期間投入使用，第二階段計劃在之后進行。

德州儀器斥資110億美元擬在猶他州新建12英寸晶圓廠

德州儀器宣布將投資110億美元在美國猶他州Lehi建造新一座12英寸晶圓廠，新工廠將位于公司現(xiàn)有的12英寸晶圓廠旁邊。據(jù)悉，新晶圓廠預(yù)計將于2023年下半年開始建設(shè)，最早于2026年投產(chǎn)。

公司決定在Lehi建立第二個晶圓廠，強調(diào)了對猶他州的承諾，這座晶圓廠將新增約800個工作崗位，以及數(shù)千個間接就業(yè)崗位。

國內(nèi)晶圓代工廠新項目積極推進

近日，紹興中芯集成電路制造股份有限公司發(fā)布對外投資公告稱，擬投資42億元建設(shè)中芯紹興三期12英寸晶圓制造中試線項目。

項目總投資42億元，其中注冊資本金為30億元，用于建設(shè)一條集研發(fā)和月產(chǎn)1萬片12寸集成電路特色工藝晶圓小規(guī)模工程化、國產(chǎn)驗證及生產(chǎn)驗證的中試實驗線。

項目計劃于2023年完成中試線建設(shè)，并盡快形成12英寸功率半導(dǎo)體器件晶圓制程的技術(shù)儲備、承接8英寸至12英寸的技術(shù)轉(zhuǎn)移和小規(guī)模試產(chǎn)。

除了中芯集成外，國內(nèi)正在計劃擴充產(chǎn)能的晶圓代工廠商還包括已經(jīng)提交科創(chuàng)板注冊的華虹半導(dǎo)體、晶合集成、中芯國際、粵芯半導(dǎo)體等。

其中，華虹半導(dǎo)體科創(chuàng)板注冊稿顯示，其計劃募集資金180億元，重點投向華虹制造（無錫）項目建設(shè)，該項目總投資67億美元，擬使用募集資金125億元，計劃建設(shè)一條投產(chǎn)后月產(chǎn)能達到8.3萬片的12英寸特色工藝生產(chǎn)線。

晶合集成則將投入49億元募集資金用于合肥晶合集成電路先進工藝研發(fā)項目，其中包括55nm后照式CMOS圖像傳感器芯片工藝平臺、40nm MCU 工藝平臺、40nm 邏輯芯片工藝平臺、28nm 邏輯及OLED芯片工藝平臺等項目研發(fā)。

而中芯國際此前宣布的多個新項目也在積極推進中。據(jù)中芯國際今年5月在第一季度財報中披露的信息顯示，公司正依據(jù)擴產(chǎn)計劃推進相應(yīng)的資本開支。目前，中芯深圳已進入量產(chǎn)，中芯京城預(yù)計下半年進入量產(chǎn)，中芯東方預(yù)計年底通線，中芯西青還在建設(shè)中。

此外，計劃投資162.5億元的粵芯半導(dǎo)體三期項目已于2022年8月正式啟動，該項目主要瞄準工業(yè)級車規(guī)級芯片。預(yù)計三期項目將實現(xiàn)新增月產(chǎn)能4萬片，力爭在2024年建成投產(chǎn)，預(yù)計到2025年，粵芯半導(dǎo)體將實現(xiàn)月產(chǎn)能12萬片。

結(jié)尾： 在政策指引和投資拉動下，全球各地的半導(dǎo)體制造產(chǎn)線建設(shè)方興未艾。

根據(jù)預(yù)計的設(shè)備支出增長浪潮凸顯了對半導(dǎo)體的強勁長期需求，代工和內(nèi)存行業(yè)將在這次擴張中占據(jù)突出地位，表明廣泛的終端市場和應(yīng)用對芯片的需求，值得繼續(xù)投入。