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三星率先推出GDDR7,下一代英偉達(dá)GPU顯存顆粒預(yù)定?

E4Life ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:周凱揚(yáng) ? 2023-07-22 00:01 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)低迷的情況下,不少?gòu)S商在降價(jià)消化庫(kù)存的同時(shí),也開始在往新技術(shù)新產(chǎn)品上發(fā)力,試圖重新激起市場(chǎng)的熱情。比如存儲(chǔ)大廠三星,就在近日就發(fā)布了下一代標(biāo)準(zhǔn)顯存產(chǎn)品,16GB的GDDR7顯存。

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GDDR7顯存 / 三星


搶下英偉達(dá)下一代產(chǎn)品的訂單?

新的GDDR顯存對(duì)于GPU廠商,尤其是英偉達(dá)來說,往往都是其高端消費(fèi)級(jí)GPU的標(biāo)配。美光的GDDR6X以更高的帶寬性能和更低的傳輸功耗,在英偉達(dá)的RTX 3080和RTX 3090上獲得了首發(fā)。據(jù)了解,雖然JEDEC并沒有標(biāo)準(zhǔn)化GDDR6X,但這是美光與英偉達(dá)共同開發(fā)的,所以英偉達(dá)也在RTX 4000系列的中高端顯卡中,再次廣泛用到了GDDR6X。

反觀三星,哪怕其在去年年底推出了GDDR6W,欲與美光的GDDR6X一較高下,可這時(shí)已經(jīng)錯(cuò)過了幾大GPU廠商的開發(fā)周期,到目前為止也沒有哪家廠商用上GDDR6W,這或許也是三星此次加速押注GDDR7的原因。

根據(jù)三星的說法,相較其24GB GDDR6產(chǎn)品最大1.1TB/s的帶寬,全新的16GB GDDR7顯存在PAM3技術(shù)而非傳統(tǒng)NRZ技術(shù)的加持下,可以做到1.5TB/s的超大帶寬,達(dá)到上一代的1.4倍。

相比之下,美光基于PAM4編碼調(diào)制技術(shù)的16GB GDDR6X最大系統(tǒng)帶寬也只有1TB/s。且根據(jù)美光透露,其GDDR7產(chǎn)品要在2024年上半年才會(huì)推出。所以如果美光和英偉達(dá)沒有合作開發(fā)的話,三星說不定會(huì)搶占英偉達(dá)下一代中高端GPU的顯存供應(yīng)訂單。

依舊沒有HBM

如果我們看目前用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的高端GPU,就會(huì)發(fā)現(xiàn)它們普遍都用上了HBM3或HBM2e這些高帶寬內(nèi)存,但反觀消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品上,HBM卻已經(jīng)銷聲匿跡了??磥?,HBM在成本上的問題始終未能得到解決,而且大帶寬的屬性未必在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品上產(chǎn)生多大優(yōu)勢(shì),反而是AI計(jì)算對(duì)其需求更大。

可就單獨(dú)對(duì)比最新HBM和GDDR的技術(shù)指標(biāo)來看,好像HBM在帶寬上的優(yōu)勢(shì)也并不大,那么成本更高的HBM不用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中也就可以理解了。不過需要注意的是,這些標(biāo)稱的帶寬性能,往往要在“滿血”狀態(tài)下才能實(shí)現(xiàn)。

以英偉達(dá)發(fā)布的RTX4070 TI和RTX 4070為例,雖然同樣用到了美光的GDDR6X,但英偉達(dá)僅僅為兩張顯卡配備了192bit的內(nèi)存接口位寬,相比384bit位寬的RTX4090,在帶寬上也就之間減半了。同樣在位寬上有所閹割的,還有256bit位寬的RTX 4080。但即便是384bit的RTX 4090,也沒法達(dá)到512bit方案的1.5TB/s極限帶寬。

這也是目前GPU廠商為非旗艦顯卡所做的一個(gè)差異化定位,在整體架構(gòu)相同的情況下,從核心數(shù)、頻率、顯存容量和位寬上做出改動(dòng),當(dāng)然這些硬件配置的變化也會(huì)簡(jiǎn)化顯卡本身的長(zhǎng)度、散熱結(jié)構(gòu)等設(shè)計(jì),從而方便OEM廠商給到不同的定價(jià)策略。

寫在最后

對(duì)于三星來說,不管是存儲(chǔ)業(yè)務(wù),還是晶圓代工業(yè)務(wù),如今都已經(jīng)加快了開發(fā)節(jié)奏,為的就是趕在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之前盡快拿下訂單,從而為一個(gè)優(yōu)秀的2024年業(yè)績(jī)做準(zhǔn)備。但在加速開發(fā)的同時(shí),制造工藝的質(zhì)量把控仍需要抓緊,避免再重蹈過去8nm功耗與發(fā)熱大的覆轍了。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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