11 月 14 日消息，SK 海力士副會長兼聯(lián)席 CEO 樸正浩透露，今年公司高帶寬內(nèi)存（HBM）出貨量大幅增加，預計到 2030 年將達到每年 1 億顆。

昨日下午，在京畿道光州東谷 CC 舉行的共享增長理事會高爾夫錦標賽結束后，樸正浩在致辭中發(fā)表了上述講話。

樸正浩在此次高爾夫球賽上分享了 HBM 的經(jīng)營業(yè)績和未來前景。他對供應商代表說：“由于設備投資的減少，整體上會比較困難，但我們將一起渡過難關”。他還強調(diào)，公司計劃按計劃于 2027 年開始在龍仁集群工廠生產(chǎn)半導體。

在上月底的第三季度財報電話會議上，SK hynix 表示計劃在今年的基礎上增加明年的設施投資。不過，該公司解釋說，由于需求尚未完全恢復，投資擴張的范圍將是有限的，重點將放在 HBM 上。

該公司表示，用于下一代 HBM3E 上 1b 制程 DRAM 的生產(chǎn)和堆疊的硅直通電壓電極（TSV）相關投資被視為重中之重。

市場對于 SK hynix 第四季度恢復盈利持樂觀態(tài)度。分析師認為，由于 HBM 等高端內(nèi)存銷售強勁，扭虧為盈的速度將快于預期。不過，樸正浩也提醒不要對經(jīng)濟復蘇和投資擴張過于樂觀，他認為“明年美國經(jīng)濟惡化的可能性很大?！?/p>

審核編輯 黃宇