91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

龍騰半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET在微型逆變器上的應(yīng)用

龍騰半導(dǎo)體 ? 來源:龍騰半導(dǎo)體 ? 2023-12-01 18:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、微型逆變器介紹

微型逆變器是一種光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率小于等于1000瓦、具組件級MPPT的逆變器,全稱是微型光伏并網(wǎng)逆變器。

“微型”是相對于傳統(tǒng)的集中式逆變器而言的。傳統(tǒng)的光伏逆變方式是將所有的光伏電池在陽光照射下生成的直流電全部串并聯(lián)在一起,再通過一個逆變器將直流電逆變成交流電接入電網(wǎng),微型逆變器則對每塊組件進行逆變。

其優(yōu)點是可以對每塊組件進行獨立的MPPT控制,擁有超越集中式逆變器的優(yōu)勢。這樣可以通過對各模塊的輸出功率進行優(yōu)化,使得整體的輸出功率最大化,當(dāng)電池板中有一塊不能良好工作,則只有這一塊都會受到影響。其他光伏板都將在最佳工作狀態(tài)運行,使得系統(tǒng)總體效率更高,發(fā)電量更大。另外也可以避免集中式逆變器具有的直流高壓、弱光效應(yīng)差、木桶效應(yīng)等。

根據(jù)是否有儲能電池,分為并網(wǎng)微逆和離網(wǎng)微逆;根據(jù)輸出電壓,分為單相微逆和三相微逆。

微逆的主要特點:

安全

傳統(tǒng)集中型逆變器或組串式逆變器通常具有幾百伏上千伏的直流電壓,容易起火,且起火后不易撲滅。微型逆變器具有天然無直流高壓的優(yōu)勢,微型逆變器運行時輸出直流電壓一般為20-50V,從根源上解決了直流拉弧引起火災(zāi)的風(fēng)險。且通過組件級的快速關(guān)斷,可迅速切斷組件之間的連接,降低工作人員觸電風(fēng)險。

智能

組件級的監(jiān)控,可在ECU中看到每塊組件的工作狀態(tài)。

多發(fā)電

組件級的MPPT,無木桶效應(yīng),降低了遮擋對發(fā)電量的影響;弱光效應(yīng)好,因為啟動電壓低,僅20V,在光照弱的時候也能工作。

壽命長

通常微逆設(shè)計壽命為25年,傳統(tǒng)逆變器為10年。

方便且美觀

不需要專門建設(shè)配電房,微逆可以直接安裝在組件后面或者支架上,因為是并聯(lián)結(jié)構(gòu),后期增加規(guī)模可直接安裝,無需更改之前的配置。

二、微型逆變器市場分析

光伏直流安全已成為分布式光伏電站的共識,安全標(biāo)準(zhǔn)制定利好組件級電力電子設(shè)備。歐美對光伏安全關(guān)斷及電壓有明確標(biāo)準(zhǔn)并在法規(guī)下強制執(zhí)行。此外,包括泰國、澳洲、墨西哥和中國都針對分布式光伏的安全性制定了相應(yīng)的政策和安全性標(biāo)準(zhǔn)。

目前全球微逆市場國外品牌占據(jù)了70%,國內(nèi)品牌禾邁和昱能占據(jù)20+%。數(shù)據(jù)統(tǒng)計,2023年全球微逆出貨量2400萬臺,CAGR達(dá)37%。預(yù)計2024年全球出貨量3400萬臺,市場規(guī)模145億。 三、微型逆變器拓?fù)浼褒堯v產(chǎn)品優(yōu)勢

47427ecc-902d-11ee-939d-92fbcf53809c.png

Flyback+全橋逆變:

Flyback原邊電路,在啟動時沖擊電流較大,要求MOSFET有較強的EAS能力;后級INV電路,要求MOSFET的Body Diode具有較強的di/dt能力,較小的Qrr。

微型逆變器市場應(yīng)用,龍騰半導(dǎo)體的高壓SJ MOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢:

針對Flyback拓?fù)?,?yōu)化EAS,增強抗雪崩能力,增強抗浪涌能力;

針對INV拓?fù)?,?yōu)化體二極管,增強di/dt能力,降低Qrr和驅(qū)動干擾;

優(yōu)化Qg和Coss/Ciss比值,降低驅(qū)動損耗,提升驅(qū)動抗干擾能力。

微型逆變器市場應(yīng)用,龍騰半導(dǎo)體的SGT MOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢:

優(yōu)化Qg和Vth,高一致的Vth讓并聯(lián)更安全可靠;

優(yōu)化Coss和Rdson,更大程度地降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,降低溫升。

以上優(yōu)點,使得龍騰產(chǎn)品在微型逆變器上的應(yīng)用簡單。

四、微型逆變器龍騰MOSFET選型表

功能 拓?fù)?/strong> 產(chǎn)品系列 產(chǎn)品型號
隔離 DC-DC 低壓側(cè) Flyback
or
PSFB
60-200V SGTMOS LSGN10R047 LSGC10R050 LSGE10R042 LSGC06R018H LSGC08R036 LSGE08R036 LSGT15R039
LSGT20R100
incoming
650-1200V SIC SBD LDCA065C10W1 LDCA065C08W1 LDBB120C20A1
DC-AC 全橋逆變 600-700V
SJMOS
GF系列
LSB65R041GF
LSB65R070GF
LSB65R099GF
LSB65R180GF
650VIGBT LKB40N65TM1







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9683

    瀏覽量

    233722
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30781

    瀏覽量

    264499
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    304

    文章

    5168

    瀏覽量

    216694
  • MPPT控制
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    17

    瀏覽量

    8161

原文標(biāo)題:產(chǎn)品資訊 | 龍騰半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET在微型逆變器上的應(yīng)用

文章出處:【微信號:xa_lonten,微信公眾號:龍騰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    半導(dǎo)體2025年度重要榮譽印記回顧

    這一年,半導(dǎo)體,從技術(shù)追隨到技術(shù)引領(lǐng),從量產(chǎn)爬沖到滿產(chǎn)滿銷,從單點設(shè)計到五位一體,我們以硬核實力,回應(yīng)時代叩問。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 16:06 ?412次閱讀

    半導(dǎo)體推出全新第三代結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 結(jié) MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?690次閱讀
    <b class='flag-5'>龍</b><b class='flag-5'>騰</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)平臺

    半導(dǎo)體2025展會高光時刻回顧

    2025年,昂首,全球半導(dǎo)體浪潮中堅定前行。
    的頭像 發(fā)表于 01-19 10:30 ?593次閱讀

    結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理

    結(jié)MOSFET(Super-Junction MOSFET,簡稱SJ-MOS)是一種高壓功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-04 15:01 ?2521次閱讀
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的基本結(jié)構(gòu)與工作原理

    半導(dǎo)體650V 99mΩ結(jié)MOSFET重磅發(fā)布

    半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ結(jié)MOSFET,其內(nèi)置FRD,適應(yīng)LLC應(yīng)用,并適
    的頭像 發(fā)表于 09-26 17:39 ?1498次閱讀
    <b class='flag-5'>龍</b><b class='flag-5'>騰</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>650V 99mΩ<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>重磅發(fā)布

    SiC碳化硅MOSFETLLC應(yīng)用中取代結(jié)MOSFET的優(yōu)勢和邏輯

    傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFETLLC應(yīng)用中取代結(jié)MOSFET的優(yōu)勢和邏輯 傾佳電子(Changer Tech)
    的頭像 發(fā)表于 09-01 09:50 ?2797次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>在</b>LLC應(yīng)用中取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的優(yōu)勢和邏輯

    陜西省質(zhì)量促進會蒞臨半導(dǎo)體參觀指導(dǎo)

    近日,陜西省質(zhì)量促進會執(zhí)行會長王會長一行蒞臨半導(dǎo)體參觀指導(dǎo)。公司董事長徐西昌及相關(guān)負(fù)責(zé)人熱情接待,圍繞質(zhì)量管理、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)學(xué)研融合等核心議題,深度分享了
    的頭像 發(fā)表于 07-30 14:48 ?1856次閱讀

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?M
    發(fā)表于 07-12 16:18

    半導(dǎo)體車規(guī)級結(jié)MOSFET LSB60R041GFA概述

    本款產(chǎn)品采用新一代結(jié)技術(shù),專為汽車電子和高功率場景打造。質(zhì)量與可靠性方面,產(chǎn)品嚴(yán)格遵循 AEC - Q101 車規(guī)級可靠性認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)以及 IATF 16949 汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證要求。憑借低導(dǎo)通電阻與高功率密度設(shè)計,確保
    的頭像 發(fā)表于 06-17 11:20 ?1160次閱讀
    <b class='flag-5'>龍</b><b class='flag-5'>騰</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>車規(guī)級<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> LSB60R041GFA概述

    瑞能半導(dǎo)體第三代結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)

    瑞能G3 結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:59 ?608次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析(2)

    瑞能半導(dǎo)體第三代結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代結(jié)MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?935次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析(1)

    伯恩半導(dǎo)體新品推薦 | 結(jié)MOS管TV電視的應(yīng)用

    電路中,結(jié)MOS管通常用來實現(xiàn)功率變換。隨著TV電視的小型化、輕薄化、智能化的發(fā)展趨勢,伯恩半導(dǎo)體針對新一代TV功率器件的需求進行了不斷地升級和改
    的頭像 發(fā)表于 05-07 14:36 ?885次閱讀
    伯恩<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>新品推薦 | <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOS管<b class='flag-5'>在</b>TV電視<b class='flag-5'>上</b>的應(yīng)用

    半導(dǎo)體榮膺陜西省半導(dǎo)體協(xié)會20周年突出貢獻單位

    此前,4月27日至28日,2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會成立20周年大會在西安盛大召開,半導(dǎo)體受邀參會。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 11:49 ?1332次閱讀

    新潔能Gen.4結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

    結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計,漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級結(jié)”單元,通過電荷補償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:05 ?1709次閱讀
    新潔能Gen.4<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> 800V和900V產(chǎn)品介紹

    從陳星弼院士無奈賣出超結(jié)MOSFET專利到碳化硅功率半導(dǎo)體中國崛起

    中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍(lán)縷奮斗史。從陳星弼院士的結(jié)MOSFET專利到全國產(chǎn)碳化硅(SiC)技術(shù)的崛起,這一歷程體現(xiàn)了中國
    的頭像 發(fā)表于 03-27 07:57 ?822次閱讀