在IEEE國際電子器件會議（IEDM）上，臺積電公開了正在研發(fā)中的1.4nm制程工藝。盡管臺積電尚未透露該制程的量產(chǎn)時間及詳細參數(shù)，但有媒體推測，鑒于2nm于2025年量產(chǎn)，而N2P于2026年末起量產(chǎn)，那么1.4nm很可能于2027至2028年間投入生產(chǎn)。

此外，對于臺積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計其名稱為A14。從技術(shù)角度來看，A14節(jié)點可能不會運用垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。不過，該公司依然致力于研究該方向，希望通過第二或第三代環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)提高性能、能效及功能性。

與日俱增的制程工藝同樣推動了以下幾個方面：增加晶體管密集度、提升芯片性能、節(jié)約能量消耗。到目前為止，臺積電始終強調(diào)需進行系統(tǒng)級的協(xié)同優(yōu)化以最大化新節(jié)點如N2和A14的潛能，不過這無疑將給整個團隊帶來巨大挑戰(zhàn)。

據(jù)悉，早在2022年，臺積電便宣布將其3nm工藝研發(fā)團隊轉(zhuǎn)作1.4nm工藝研發(fā)團隊；與此同時，三星亦計劃采取類似行動。