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超結(jié)MOSFET在微型逆變器上的應用

龍騰半導體 ? 來源:龍騰半導體 ? 2024-01-11 16:30 ? 次閱讀
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一、微型逆變器介紹

微型逆變器是一種光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率小于等于1000瓦、具組件級MPPT的逆變器,全稱是微型光伏并網(wǎng)逆變器。 “微型”是相對于傳統(tǒng)的集中式逆變器而言的。傳統(tǒng)的光伏逆變方式是將所有的光伏電池在陽光照射下生成的直流電全部串并聯(lián)在一起,再通過一個逆變器將直流電逆變成交流電接入電網(wǎng),微型逆變器則對每塊組件進行逆變。 其優(yōu)點是可以對每塊組件進行獨立的MPPT控制,擁有超越集中式逆變器的優(yōu)勢。這樣可以通過對各模塊的輸出功率進行優(yōu)化,使得整體的輸出功率最大化,當電池板中有一塊不能良好工作,則只有這一塊都會受到影響。其他光伏板都將在最佳工作狀態(tài)運行,使得系統(tǒng)總體效率更高,發(fā)電量更大。另外也可以避免集中式逆變器具有的直流高壓、弱光效應差、木桶效應等。

根據(jù)是否有儲能電池,分為并網(wǎng)微逆和離網(wǎng)微逆;根據(jù)輸出電壓,分為單相微逆和三相微逆。微逆的主要特點:

安全

傳統(tǒng)集中型逆變器或組串式逆變器通常具有幾百伏上千伏的直流電壓,容易起火,且起火后不易撲滅。微型逆變器具有天然無直流高壓的優(yōu)勢,微型逆變器運行時輸出直流電壓一般為20-50V,從根源上解決了直流拉弧引起火災的風險。且通過組件級的快速關(guān)斷,可迅速切斷組件之間的連接,降低工作人員觸電風險。

智能

組件級的監(jiān)控,可在ECU中看到每塊組件的工作狀態(tài)。

多發(fā)電

組件級的MPPT,無木桶效應,降低了遮擋對發(fā)電量的影響;弱光效應好,因為啟動電壓低,僅20V,在光照弱的時候也能工作。

壽命長

通常微逆設計壽命為25年,傳統(tǒng)逆變器為10年。

方便且美觀

不需要專門建設配電房,微逆可以直接安裝在組件后面或者支架上,因為是并聯(lián)結(jié)構(gòu),后期增加規(guī)??芍苯影惭b,無需更改之前的配置。

二、微型逆變器市場分析

光伏直流安全已成為分布式光伏電站的共識,安全標準制定利好組件級電力電子設備。歐美對光伏安全關(guān)斷及電壓有明確標準并在法規(guī)下強制執(zhí)行。此外,包括泰國、澳洲、墨西哥和中國都針對分布式光伏的安全性制定了相應的政策和安全性標準。

目前全球微逆市場國外品牌占據(jù)了70%,國內(nèi)品牌禾邁和昱能占據(jù)20+%。數(shù)據(jù)統(tǒng)計,2023年全球微逆出貨量2400萬臺,CAGR達37%。預計2024年全球出貨量3400萬臺,市場規(guī)模145億。三、微型逆變器拓撲及龍騰產(chǎn)品優(yōu)勢

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Flyback+全橋逆變:

Flyback原邊電路,在啟動時沖擊電流較大,要求MOSFET有較強的EAS能力;后級INV電路,要求MOSFET的Body Diode具有較強的di/dt能力,較小的Qrr。

微型逆變器市場應用,龍騰半導體的高壓SJ MOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢:

針對Flyback拓撲,優(yōu)化EAS,增強抗雪崩能力,增強抗浪涌能力;

針對INV拓撲,優(yōu)化體二極管,增強di/dt能力,降低Qrr和驅(qū)動干擾;

優(yōu)化Qg和Coss/Ciss比值,降低驅(qū)動損耗,提升驅(qū)動抗干擾能力。

微型逆變器市場應用,龍騰半導體的SGT MOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢:

優(yōu)化Qg和Vth,高一致的Vth讓并聯(lián)更安全可靠;

優(yōu)化Coss和Rdson,更大程度地降低開關(guān)損耗和導通損耗,降低溫升。

以上優(yōu)點,使得龍騰產(chǎn)品在微型逆變器上的應用簡單。

四、微型逆變器龍騰MOSFET選型表

32ec1caa-b056-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

功能 拓撲 產(chǎn)品系列 產(chǎn)品型號
隔離 DC-DC 低壓側(cè) Flyback
or
PSFB
60-200V SGTMOS LSGN10R047 LSGC10R050 LSGE10R042 LSGC06R018H LSGC08R036 LSGE08R036 LSGT15R039
LSGT20R100
incoming
650-1200V SIC SBD LDCA065C10W1 LDCA065C08W1 LDBB120C20A1
DC-AC 全橋逆變 600-700V
SJMOS
GF系列
LSB65R041GF
LSB65R070GF
LSB65R099GF
LSB65R180GF
650VIGBT LKB40N65TM1

注:以上信息與數(shù)據(jù)出自龍騰半導體,轉(zhuǎn)載請注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:產(chǎn)品資訊 | 超結(jié)MOSFET在微型逆變器上的應用

文章出處:【微信號:xa_lonten,微信公眾號:龍騰半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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