91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星Exynos 2400采用扇出式晶圓級封裝提升性能和散熱

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-19 13:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Galaxy S24系列搭載的Exynos 2400采用了新的制造工藝和封裝技術(shù),三星宣稱其4LPP+工藝可提升產(chǎn)量及能效。Exynos 2400首次采用了扇出式晶圓級封裝(FOWLP),改善了電信號傳輸速度并提高散熱性能。這種封裝方案使得搭載Exynos 2400的智能手機(jī)可以流暢運(yùn)行且不易發(fā)熱。據(jù)稱,F(xiàn)OWLP技術(shù)利用更小的封裝提升散熱23%,進(jìn)而提升多核性能達(dá)8%。

新版3DMark Wild Life極限壓力測試中,Exynos 2400取得了優(yōu)異成績,超越前代產(chǎn)品Exynos 2200兩倍,甚至與蘋果的A17 Pro并駕齊驅(qū)。為保障良好散熱,三星為全系Galaxy S24機(jī)型配置了冷卻設(shè)備。

考慮到谷歌尚無采用類似封裝技術(shù)的力作,有報道稱谷歌即將發(fā)布的Pixel 9和Pixel 9 Pro或采用Tensor G4芯片。因Tensor G3散熱效果欠佳,推測Tensor G4可能采用相同封裝以減緩高溫影響。有消息稱,谷歌仍將選擇三星進(jìn)行生產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 封裝技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    599

    瀏覽量

    69306
  • 晶圓級
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    39

    瀏覽量

    10186
  • 三星
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    1767

    瀏覽量

    34229
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    扇入型封裝技術(shù)介紹

    扇入技術(shù)屬于單芯片晶或板封裝形式,常被用于制備
    的頭像 發(fā)表于 03-09 16:06 ?174次閱讀
    扇入型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)介紹

    扇出封裝大核心工藝流程

    在后摩爾時代,扇出封裝(FOWLP) 已成為實現(xiàn)異構(gòu)集成、提升I/O密度和縮小
    的頭像 發(fā)表于 02-03 11:31 ?1067次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>扇出</b>型<b class='flag-5'>封裝</b>的<b class='flag-5'>三</b>大核心工藝流程

    封裝良率提升方案:DW185半導(dǎo)體級低黏度助焊劑

    封裝的隱藏痛點:助焊劑選擇決定焊接質(zhì)量在
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:01 ?244次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>良率<b class='flag-5'>提升</b>方案:DW185半導(dǎo)體級低黏度<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>助焊劑

    扇出封裝技術(shù)的概念和應(yīng)用

    扇出封裝(FOWLP)的概念最早由德國英飛凌提出,自2016 年以來,業(yè)界一直致力于FOWLP 技術(shù)的發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 14:40 ?1940次閱讀
    <b class='flag-5'>扇出</b>型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)的概念和應(yīng)用

    三星發(fā)布Exynos 2600,全球首款2nm SoC,NPU性能提升113%

    芯片(SoC),有望重塑三星在移動芯片領(lǐng)域的競爭力。預(yù)計2026年2月發(fā)布的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載該芯片。 ? ? Exynos 2600在制程工藝上采用2nm GAA(
    的頭像 發(fā)表于 12-25 08:56 ?8747次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>發(fā)布<b class='flag-5'>Exynos</b> 2600,全球首款2nm SoC,NPU<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>提升</b>113%

    功率半導(dǎo)體封裝的發(fā)展趨勢

    在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能
    的頭像 發(fā)表于 10-21 17:24 ?4202次閱讀
    功率半導(dǎo)體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>的發(fā)展趨勢

    MOSFET的直接漏極設(shè)計

    本文主要講述什么是芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品,在個人計算機(jī)、服務(wù)器等終端設(shè)備功率密度需求
    的頭像 發(fā)表于 09-05 09:45 ?3368次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b>MOSFET的直接漏極設(shè)計

    全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn) 三星Exynos 2600

    據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn);三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片,目前該芯片完成
    的頭像 發(fā)表于 09-04 17:52 ?2480次閱讀

    Cadence擴(kuò)大與三星代工廠的合作

    楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴(kuò)大與三星代工廠的合作,包括簽署一項新的多年期 IP 協(xié)議,在三星
    的頭像 發(fā)表于 07-10 16:44 ?1089次閱讀

    封裝:連接密度提升的關(guān)鍵一步

    了解封裝如何進(jìn)一步提高芯片的連接密度,為后續(xù)技術(shù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
    的頭像 發(fā)表于 06-27 16:51 ?759次閱讀

    什么是扇出封裝技術(shù)

    扇出封裝(FO-WLP)通過環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)擴(kuò)展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I
    的頭像 發(fā)表于 06-05 16:25 ?2582次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>扇出</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    扇出封裝技術(shù)的工藝流程

    常規(guī)IC封裝需經(jīng)過將與IC封裝基板焊接,再將IC基板焊接至普通PCB的復(fù)雜過程。與之不同,WLP基于IC
    的頭像 發(fā)表于 05-14 11:08 ?2796次閱讀
    <b class='flag-5'>扇出</b>型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)的工藝流程

    封裝工藝中的封裝技術(shù)

    我們看下一個先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——封裝(Wafer Level Package,WLP)。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:32 ?1882次閱讀
    <b class='flag-5'>封裝</b>工藝中的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢

    封裝(WLP),也稱為封裝,是一種直接在
    的頭像 發(fā)表于 05-08 15:09 ?2586次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢

    三星辟謠晶圓廠暫停中國業(yè)務(wù)

    對于網(wǎng)絡(luò)謠言三星代工暫停所有中國業(yè)務(wù),三星下場辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星
    的頭像 發(fā)表于 04-10 18:55 ?1285次閱讀