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英特爾與聯(lián)華電子聯(lián)手研發(fā)12nm半導體工藝平臺

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-29 14:39 ? 次閱讀
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英特爾與聯(lián)華電子達成戰(zhàn)略聯(lián)盟,共同研發(fā)供應12納米半導體工藝平臺,以滿足高速增長的移動、通信基建和網(wǎng)絡市場需求。這一長期協(xié)定結合了英特爾在美國的大規(guī)模制造實力和聯(lián)電在成熟節(jié)點的豐富代工經(jīng)驗,旨在完善更廣范圍的工藝系列。同時也為全球顧客在采購抉擇時提供了更多選項,實現(xiàn)供應鏈的國際分布及彈性保障。

英特爾高層Stuart Pann指出,本次戰(zhàn)略合作彰顯了英特爾致力于通過技術和制造創(chuàng)新在全球半導體供應鏈中的地位,助力實現(xiàn)其至2030年成為全球最大代工廠的宏偉目標。

據(jù)悉,12納米節(jié)點將充分運用英特爾在美國的規(guī)?;a(chǎn)能力和FinFET晶體管設計專長,呈現(xiàn)出成熟先進、效能領先的特性。借助聯(lián)電長達數(shù)十載的工藝引領史以及提供工藝設計套件與設計協(xié)助的經(jīng)驗積累,可以為客戶提供優(yōu)質的鑄造服務。新工藝節(jié)點將會于英特爾位于亞利桑那州Ocotillo的12, 22及32座晶圓廠投入研發(fā)及生產(chǎn)。這些已有設備將有助于節(jié)省前期投資,提升資源使用效率。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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