汽車業(yè)成第三大終端市場，半導體銷量激增
據(jù)WSTS調查顯示，2023年，PC/計算機和通信設備市場仍是半導體銷售的主要領域，但前者的銷售額有所下降，后者則增長了兩個百分點。另一方面，汽車行業(yè)芯片銷售份額呈加速增長態(tài)勢，有望成為第三大終端市場。
具體市場份額如下圖所示。
這家機構預測，在接下來的十年內，汽車行業(yè)對于半導體的需求將持續(xù)走高。由于電氣化、自動化以及互聯(lián)網等技術的廣泛應用，路面行駛中的汽車所需芯片數(shù)量正逐年上升。目前第一代電動車型的平均半導體用量約為1000～3500顆。隨著消費者愈發(fā)重視車輛的安全功能，如高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、車聯(lián)網以及電氣化功能等，這份數(shù)據(jù)預計還將進一步增加。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
339文章
31001瀏覽量
265480 -
汽車行業(yè)
+關注
關注
0文章
374瀏覽量
16644 -
自動化
+關注
關注
31文章
5967瀏覽量
90472
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立，當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體
深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立，當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產技術，開啟了在半導體行業(yè)高速發(fā)
發(fā)表于 01-31 08:46
龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內接近硅基
芯片短缺沖擊汽車業(yè)，本田銷量預計跌出前三
近期，全球芯片供應短缺持續(xù)沖擊汽車制造業(yè)。本田汽車受此影響尤為明顯，預計本財年下半年（2023年10月至2024年3月）全球銷量將同比下滑14%，至166萬輛。本田在日本車企中的
2025年第三季度國內消費級AI/AR市場銷量同比增幅186%
“根據(jù)CINNO Research最新統(tǒng)計，2025年三季度國內消費級AI/AR市場蓬勃發(fā)展，市場銷量同比激增186%；其中，AR
格羅方德發(fā)布2025年第三季度財報
近日，全球領先的半導體制造商格羅方德（GlobalFoundries，納斯達克代碼：GFS）公布了截至2025年9月30日的第三季度初步財務業(yè)績。財報顯示，公司第三季度營收達16.88億美元，
納微半導體公布2025年第三季度財務業(yè)績
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導體行業(yè)領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經審計的第三季度
材料與應用：第三代半導體引領產業(yè)升級
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領域實現(xiàn)規(guī)?；瘧?。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設備的核心
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基礎，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術的一次重要演進，其目標不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導體推出的
以“在中國，為中國”為錨，意法半導體深耕汽車業(yè)務本土化生態(tài)
整個供應鏈，成本控制成為核心議題。在這個大背景下，作為全球排名前列的半導體設計與制造企業(yè)，意法半導體正通過踐行自己的 “在中國，為中國” 戰(zhàn)略，鞏固其在汽車電子領域的龍頭地位。 ? 意法半導體
比亞迪三年銷量暴增，半導體或成最大贏家？
近日，英飛凌發(fā)布的2025財年第二季度財報顯示，2024年全球功率半導體市場規(guī)?？s減至323億美元。功率半導體市場格局正發(fā)生顯著變化。 其中，中國廠商逆勢上揚。士蘭微以3.3%的市占率
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案
發(fā)展最成熟的第三代半導體材料，可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬眾矚目。陶瓷方面，
第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域
隨著電子技術的快速發(fā)展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（1）
隨著AI技術井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發(fā)制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
工商網監(jiān)
評論