意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）發(fā)布了一項(xiàng)基于18納米全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器（ePCM）的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級(jí)進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開(kāi)發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實(shí)現(xiàn)巨大飛躍，同時(shí)可以集成容量更大的存儲(chǔ)器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)。基于新技術(shù)的下一代STM32微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開(kāi)始向部分客戶提供樣片，2025年下半年排產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部總裁Remi El-Ouazzane表示：“作為處于半導(dǎo)體行業(yè)前沿的創(chuàng)新企業(yè)，意法半導(dǎo)體率先為客戶帶來(lái)汽車級(jí)和航天級(jí)FD-SOI和PCM技術(shù)。我們的下一步行動(dòng)是，從下一代STM32微控制器開(kāi)始，讓工業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)者也能享受到這兩項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)帶來(lái)的諸多好處?！?/p>

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

與目前在用的ST 40nm嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（eNVM）技術(shù)相比，集成 ePCM的18nm FD-SOI制造工藝極大地提高了關(guān)鍵的品質(zhì)因數(shù)：

?性能功耗比提高50%以上

?非易失性存儲(chǔ)器（NVM）密度是現(xiàn)有技術(shù)的2.5倍，可以在片上集成容量更大的存儲(chǔ)器

?數(shù)字電路密度是現(xiàn)有技術(shù)的三倍，可以集成人工智能、圖形加速器等數(shù)字外設(shè)，以及最先進(jìn)的安全保護(hù)功能

?噪聲系數(shù)改善3dB，增強(qiáng)了無(wú)線MCU的射頻性能

該技術(shù)的工作電源電壓是3V，可以給電源管理、復(fù)位系統(tǒng)、時(shí)鐘源和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器等模擬功能供電，是20納米以下唯一支持此功能的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。

該技術(shù)的耐高溫工作、輻射硬化和數(shù)據(jù)保存期限已經(jīng)過(guò)汽車市場(chǎng)的檢驗(yàn)，能夠滿足工業(yè)應(yīng)用對(duì)可靠性的嚴(yán)格要求。

FD-SOI和PCM技術(shù)詳情訪問(wèn)意法半導(dǎo)體官網(wǎng)ST.com。

能為STM32微控制器開(kāi)發(fā)者和客戶帶來(lái)哪些益處？

這種具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)將給開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)新型的高性能、低功耗、無(wú)線 MCU。大存儲(chǔ)容量支持市場(chǎng)對(duì)邊緣人工智能處理、多射頻協(xié)議棧、無(wú)線更新和高級(jí)安全功能的日益增長(zhǎng)的需求。高處理性能和大存儲(chǔ)容量將激勵(lì)目前正在使用微處理器開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)者轉(zhuǎn)向集成度更高且成本效益更高的微控制器。這項(xiàng)新技術(shù)將進(jìn)一步提高超低功耗設(shè)備的能效，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品組合目前在這個(gè)市場(chǎng)處于優(yōu)勢(shì)地位。

基于該技術(shù)的首款微控制器將集成ARM最先進(jìn)的ARM Cortex-M內(nèi)核，為機(jī)器學(xué)習(xí)和數(shù)字信號(hào)處理應(yīng)用帶來(lái)更強(qiáng)的運(yùn)算性能。該產(chǎn)品將具有快速、靈活的外部存儲(chǔ)器接口、先進(jìn)的圖形功能，并將集成眾多模擬和數(shù)字外設(shè)，還將有意法半導(dǎo)體最新MCU上已經(jīng)引入的先進(jìn)的經(jīng)過(guò)認(rèn)證的安全功能。

審核編輯：劉清