近日，越來越多的企業(yè)如韓國 SK 海力士和三星電子正積極投身于 DRAM 微型化創(chuàng)新以及新材料研發(fā)。

據(jù) TheElec報道，SK Hynix 已決定在其第 6 帶（即 1c 工藝，約為 10nm）DRAM 生產(chǎn)過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR），這是 MOR 首次應(yīng)用于 DRAM 大規(guī)模生產(chǎn)。

據(jù)悉，SK Hynix 所生產(chǎn)的 1c DRAM 包含五個極紫外（EUV）層，其中一層將采用 MOR 技術(shù)進行繪制。同時，消息人士透露，三星電子也有意采用此類無機 PR 材料。

值得注意的是，Inpria 是日本化學(xué)公司 JSR 的子公司，在無機光刻膠領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位；而 MOR 被視為先進芯片光刻的化學(xué)放大光刻膠（CAR）的未來發(fā)展方向。

此外，自 2022 年起，Inpria 便開始與 SK Hynix 共同開展 MOR 研究。SK Hynix 曾表示，Sn（基）氧化物光刻膠的使用將有助于提升下一代 DRAM 的性能及降低成本。

TheElec 進一步指出，三星電子亦在考慮將 MOR 引入 1c DRAM 生產(chǎn)，目前三星電子在 1c DRAM 上共運用了 6~7 個 EUV 層，而美光僅使用了 1 層。