91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ST功率分立器件產(chǎn)品資訊簡(jiǎn)介

意法半導(dǎo)體工業(yè)電子 ? 來(lái)源:意法半導(dǎo)體PDSA ? 2024-06-17 09:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

產(chǎn)品資訊

全新40V STripFET F8 MOSFET,性能先進(jìn)且EMI極低

具有出色的本體二極管恢復(fù)軟度,可確保您的高性能解決方案符合相關(guān)要求。

產(chǎn)品資訊

MDmeshM9系列具有非凡開(kāi)關(guān)性能

該款超結(jié)MOSFET采用TO247-4引線封裝以及額外的驅(qū)動(dòng)Kelvin引腳,能夠進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗。

產(chǎn)品資訊

超快速650V PowerGaN G-HEMT晶體管

采用體積更小的無(wú)源元件和更為緊湊的設(shè)計(jì),適用于效率更高的消費(fèi)類和工業(yè)電源。

產(chǎn)品資訊

全新40A,1200V晶閘管采用表面貼裝式D2PAK封裝

具有更高的電壓抗擾度和浪涌電流等級(jí),適用于面向汽車和電源應(yīng)用的緊湊型浪涌電流限制。

產(chǎn)品資訊

全新ACEPACK SMIT模塊,集成了汽車級(jí)半橋結(jié)構(gòu)IGBT

安裝簡(jiǎn)便且具有出色的電氣和熱效率,使OBC系統(tǒng)更加緊湊和可靠。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • ST
    ST
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1189

    瀏覽量

    132598
  • 分立器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    265

    瀏覽量

    22298
  • 功率分立器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    8

    瀏覽量

    6474
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | TRENCHSTOP? IGBT 7 H7 750V分立器件

    新品TRENCHSTOPIGBT7H7750V分立器件TRENCHSTOPIGBT7H7750V硬開(kāi)關(guān)型分立器件,是650V版本的升級(jí)產(chǎn)品,
    的頭像 發(fā)表于 02-05 17:04 ?905次閱讀
    新品 | TRENCHSTOP? IGBT 7 H7 750V<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試:「筑牢產(chǎn)業(yè)基石,智領(lǐng)未來(lái)升級(jí)」

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備,光耦測(cè)試儀,IGBT/IPM/MOSFET測(cè)試,Si/SiC/GaN材料的IPM、IGBT、MOS、DIODE、BJT、SCR等功率器件及光耦、LRC等全參數(shù)測(cè)
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:37 ?248次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>測(cè)試:「筑牢產(chǎn)業(yè)基石,智領(lǐng)未來(lái)升級(jí)」

    「聚焦半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)」“測(cè)什么?為什么測(cè)!用在哪?”「深度解讀」

    隨著科技發(fā)展,高端設(shè)備應(yīng)用與半導(dǎo)體器件發(fā)展密不可分,其應(yīng)用場(chǎng)景與穩(wěn)定性直接決定產(chǎn)品性能,半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試系統(tǒng)是半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)節(jié)的核心樞紐設(shè)備,其重要意義貫穿
    發(fā)表于 01-29 16:20

    分立器件的靜態(tài)參數(shù)要測(cè)試哪些?這些參數(shù)對(duì)器件有什么影響?

    在電子設(shè)計(jì)中,分立器件(如晶體管、二極管、集成電路等)是構(gòu)成復(fù)雜電路的基礎(chǔ)組件。為了確保其性能穩(wěn)定、可靠,必須對(duì)其進(jìn)行靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
    的頭像 發(fā)表于 01-26 10:00 ?957次閱讀
    <b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>的靜態(tài)參數(shù)要測(cè)試哪些?這些參數(shù)對(duì)<b class='flag-5'>器件</b>有什么影響?

    合科泰分立器件在65W快充產(chǎn)品中的選型指南

    在快充電源市場(chǎng)中,65W功率段已成為兼顧便攜性與實(shí)用性的黃金檔位,如何為65W快充產(chǎn)品選擇合適的分立器件以實(shí)現(xiàn)效率、體積與可靠性的最佳平衡,是設(shè)計(jì)工程師面臨的核心挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:25 ?1075次閱讀
    合科泰<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>在65W快充<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>中的選型指南

    碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南

    傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:00 ?852次閱讀
    碳化硅 (SiC) MOSFET <b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>與<b class='flag-5'>功率</b>模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

    )MOSFET分立器件產(chǎn)品組合具有強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力和先進(jìn)的技術(shù)特性,能夠全面滿足高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率以及高可靠性電源應(yīng)用的需求。該系列產(chǎn)品矩陣
    的頭像 發(fā)表于 10-21 10:12 ?612次閱讀
    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>力及應(yīng)用深度分析

    SiC MOSFET分立器件功率模塊在車載充電器應(yīng)用中的性能分析

    本文圍繞基于SiC分立器件功率模塊的功率因數(shù)校正器(PFC)級(jí),分析并比較了二者在車載充電器(OBC)應(yīng)用中的性能。
    的頭像 發(fā)表于 10-18 09:30 ?5939次閱讀
    SiC MOSFET<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>和<b class='flag-5'>功率</b>模塊在車載充電器應(yīng)用中的性能分析

    BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)---精準(zhǔn)洞察,卓越測(cè)量

    器件都承載著巨大的科技使命,它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障,而半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器,為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)
    發(fā)表于 10-10 10:35

    揭露半導(dǎo)體功率器件——PIM功率集成模塊,一文讀懂它的所有

    前言在電力電子領(lǐng)域,高電壓、大電流場(chǎng)景對(duì)功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴(yán)苛要求。PIM(功率集成模塊)通過(guò)“多器件高密度封裝”的高集成設(shè)計(jì),將
    的頭像 發(fā)表于 10-03 08:04 ?1826次閱讀
    揭露半導(dǎo)體<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>——PIM<b class='flag-5'>功率</b>集成模塊,一文讀懂它的所有

    BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹

    BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹
    發(fā)表于 09-01 16:16 ?0次下載

    三種功率器件的區(qū)別解析

    600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間,其典型應(yīng)用為高頻高效高功率密度電力電子。通過(guò)對(duì)比分析Inf
    的頭像 發(fā)表于 08-16 16:29 ?3934次閱讀
    三種<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的區(qū)別解析

    森國(guó)科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

    了 2000V SiC 分立器件及模塊產(chǎn)品。森國(guó)科的2000V SiC產(chǎn)品系列正是順應(yīng)市場(chǎng)需求而生,它能在提高效率、降低損耗等方面發(fā)揮重要作用。
    的頭像 發(fā)表于 08-16 15:44 ?3231次閱讀
    森國(guó)科推出2000V SiC<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>及模塊<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試的對(duì)象與分類、測(cè)試參數(shù),測(cè)試設(shè)備的分類與測(cè)試能力

    ? 半導(dǎo)體分立器件主要包括: ? 二極管 ?(如整流二極管、肖特基二極管) ? 三極管 ?(雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管) ? 晶閘管 ?(可控硅) ? 功率器件 ?(IGBT、MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 07-22 17:46 ?1022次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>分立</b><b class='flag-5'>器件</b>測(cè)試的對(duì)象與分類、測(cè)試參數(shù),測(cè)試設(shè)備的分類與測(cè)試能力

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外,書中還介紹了
    發(fā)表于 07-11 14:49