10月26日，晶升股份憑借其在碳化硅領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)引起了市場(chǎng)關(guān)注。據(jù)“證券時(shí)報(bào)”報(bào)道，晶升股份已成功研發(fā)出可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，該設(shè)備能將碳化硅晶體的生長(zhǎng)過(guò)程變得透明化，使得晶體良率得以提升超過(guò)20%，并已順利通過(guò)客戶端驗(yàn)證。

晶升股份董秘吳春生介紹，傳統(tǒng)的碳化硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程如同開(kāi)“盲盒”，因?yàn)檎麄€(gè)生長(zhǎng)過(guò)程在一個(gè)完全密閉的環(huán)境中進(jìn)行，只有在打開(kāi)爐體后才能知曉晶體的生長(zhǎng)狀況。這種不可視的生長(zhǎng)過(guò)程導(dǎo)致工藝開(kāi)發(fā)周期長(zhǎng)、費(fèi)用高、良率低等問(wèn)題。而晶升股份的8英寸電阻法碳化硅單晶爐則引入了可視化檢測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)晶過(guò)程的實(shí)時(shí)觀測(cè)。

該單晶爐通過(guò)實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體的生長(zhǎng)速度和粉料演變狀態(tài)，可以干預(yù)調(diào)節(jié)功率、壓力等條件，使晶體生長(zhǎng)處于可控狀態(tài)。此外，針對(duì)溫度梯度控制的難題，該設(shè)備采用了多加熱器布局，每個(gè)加熱器都可以單獨(dú)控制，從而有效解決了溫度梯度可控性差的問(wèn)題，提高了晶體生長(zhǎng)的品質(zhì)。同時(shí)，晶升股份團(tuán)隊(duì)還通過(guò)數(shù)十次的實(shí)驗(yàn)，將最低的長(zhǎng)晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下，實(shí)現(xiàn)了節(jié)能降耗。

晶升股份成立于2012年2月，專注于半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料長(zhǎng)晶設(shè)備及工藝的研發(fā)與生產(chǎn)。2023年4月，晶升股份正式登陸科創(chuàng)板，并計(jì)劃通過(guò)IPO募資4.76億元用于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目和半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備總裝測(cè)試廠區(qū)建設(shè)項(xiàng)目。

2024年上半年，晶升股份的營(yíng)收和凈利潤(rùn)均實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)。其中，營(yíng)收達(dá)到1.99億元，同比增長(zhǎng)73.76%；凈利潤(rùn)為0.35億元，同比大幅增長(zhǎng)131.99%。此外，晶升股份還宣布實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備的批量交付，第一批設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付，標(biāo)志著其8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)已進(jìn)入新的發(fā)展階段。

未來(lái)，隨著晶升股份在8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備領(lǐng)域的不斷深耕和拓展，該業(yè)務(wù)將成為公司新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。