寧德時(shí)代第二代鈉電池有望2025年面世
在11月17日的世界青年科學(xué)家峰會(huì)上，寧德時(shí)代首席科學(xué)家吳凱披露寧德時(shí)代第二代鈉電池有望于2025年面世; 寧德時(shí)代第二代鈉電池最大的特點(diǎn)是抗寒；在零下40度的依然可以正常放電，嚴(yán)寒地區(qū)新能源汽車(chē)?yán)m(xù)航大幅下降的問(wèn)題可能可以得到緩解，有助于打開(kāi)嚴(yán)寒地區(qū)新能源汽車(chē)的市場(chǎng)空間。
據(jù)悉，鈉離子電池（Sodium-ion battery）主要依靠鈉離子在正極和負(fù)極之間移動(dòng)來(lái)工作，與鋰離子電池工作原理相似。但是又更具備成本優(yōu)勢(shì)，而且與鋰離子電池相比，鈉離子電池?zé)o過(guò)放電特性，允許鈉離子電池放電到零伏。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
鈉電池
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
79瀏覽量
10858 -
寧德時(shí)代
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
1286瀏覽量
50971
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
1500kW閃充樁+第二代刀片電池，9分鐘充滿，比亞迪“顛覆性技術(shù)”亮相！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）“顛覆性技術(shù)”揭曉！3月5日晚，比亞迪正式發(fā)布了第二代刀片電池和配套的閃充技術(shù)，包括單槍1500kW功率的比亞迪閃充樁，以及閃充樁建設(shè)計(jì)劃等。憑借本次推出的一系列技術(shù)
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造，通過(guò)提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開(kāi)關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測(cè)試與調(diào)試解決方案
TeledyneLeCoy（Teledyne子公司）宣布第二代QualiPHY 2自動(dòng)化合規(guī)測(cè)試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層（PHY）合規(guī)性測(cè)試。
新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
類(lèi)比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開(kāi)關(guān)芯片HD80012
致力于提供高品質(zhì)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類(lèi)比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類(lèi)比半導(dǎo)體”或“類(lèi)比”）宣布推出全新第二代高邊開(kāi)關(guān)芯片HD80012，單通道低內(nèi)阻1.2mΩ產(chǎn)品。
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對(duì) Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展，可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
恩智浦推出第二代OrangeBox車(chē)規(guī)級(jí)開(kāi)發(fā)平臺(tái)
第二代OrangeBox開(kāi)發(fā)平臺(tái)集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力，應(yīng)對(duì)快速演變的信息安全威脅。
第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求
第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺(tái)，提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡(jiǎn)單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
方正微電子推出第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際頭部領(lǐng)先水平。
Framework召開(kāi)第二代產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，新品搶先看！
2025年2月25日，F(xiàn)ramework在美國(guó)舊金山召開(kāi)了盛大的第二代產(chǎn)品發(fā)布會(huì)。Framework發(fā)布了有史以來(lái)最大規(guī)模的一系列新品，包括Framework臺(tái)式機(jī)
寧德時(shí)代談開(kāi)發(fā)第二代鈉電池 性能指標(biāo)已與磷酸鐵鋰電池接近
日前，在寧德時(shí)代的業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，寧德時(shí)代透露目前正在開(kāi)發(fā)的第二代鈉
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
比亞迪二代刀片電池或3月17日發(fā)布
之后，又打出的一把大牌。 據(jù)悉，比亞迪第二代刀片電池的能量密度提升很大；達(dá)到35%，由一代刀片電池的整包140Wh/kg能量密度，提升至整包190Wh/kg。這意味著續(xù)航700公里的車(chē)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論