FCD380N60E：N溝道SuperFET? II易驅(qū)動MOSFET的深度解析

一、公司背景與產(chǎn)品編號變更

飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）現(xiàn)已成為安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的一部分。在產(chǎn)品整合過程中，部分飛兆可訂購的零件編號需要更改以符合安森美半導(dǎo)體的系統(tǒng)要求。由于安森美的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（_）的零件命名，飛兆零件編號中的下劃線將改為破折號（-）。大家可通過安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實更新后的器件編號。

文件下載：FCD380N60ECN-D.pdf

二、FCD380N60E產(chǎn)品概述

產(chǎn)品特性

FCD380N60E是一款N溝道SuperFET? II易驅(qū)動MOSFET，具備以下突出特性：

1. 高耐壓：在 (T_{J}=150^{circ} C) 時，耐壓可達(dá)650V，漏極 - 源極電壓額定值為600V。
2. 低導(dǎo)通電阻：典型值 (R_{D S(o n)}=320 ~m Omega)，有助于降低導(dǎo)通損耗。
3. 低柵極電荷：典型值 (Q_{g}=34 nC)，可實現(xiàn)快速開關(guān)，減少開關(guān)損耗。
4. 低有效輸出電容：典型值 (C_{oss(eff.) }=97 pF)，有利于提高開關(guān)速度和效率。
5. 雪崩測試：100%經(jīng)過雪崩測試，具備良好的可靠性和抗雪崩能力。
6. 集成柵極電阻：簡化設(shè)計，提高穩(wěn)定性。
7. 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

產(chǎn)品描述

SuperFET? II MOSFET是飛兆半導(dǎo)體利用電荷平衡技術(shù)開發(fā)的全新高壓超級結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品。該技術(shù)旨在最小化導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt額定值和更高的雪崩能量。以“E”作為后綴的易驅(qū)動系列，上升和下降時間略慢，有助于控制EMI問題，使設(shè)計更簡單。對于對開關(guān)速度要求極高且開關(guān)損耗需盡可能低的應(yīng)用，可考慮使用SuperFET II MOSFET系列。

三、產(chǎn)品參數(shù)

絕對最大額定值

熱性能

電氣特性

1. 關(guān)斷特性：如漏極 - 源極擊穿電壓 (BV{DSS})，在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=10 mA)，(T = 25^{circ}C) 時為600V；在 (T = 150^{circ}C) 時為650V。
2. 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}= 250 μA) 時，范圍為2.5 - 3.5V；漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)，(I_{D}= 5A) 時，典型值為0.32Ω，最大值為0.38Ω。
3. 動態(tài)特性：輸入電容 (C{iss})、輸出電容 (C{oss})、反向傳輸電容 (C{rss}) 等都有明確的參數(shù)范圍。例如，(C{iss}) 在 (f = 1 MHz)，(V{DS}= 25 V)，(V{GS}= 0 V) 時，范圍為1330 - 1770 pF。
4. 開關(guān)特性：導(dǎo)通延遲時間 (t{d(on)})、導(dǎo)通上升時間 (t{r})、關(guān)斷延遲時間 (t{d(off)}) 和關(guān)斷下降時間 (t{f}) 等參數(shù)也給出了具體的范圍。
5. 漏極 - 源極二極管特性：包括最大正向連續(xù)電流 (I{S})、最大正向脈沖電流 (I{SM})、正向電壓 (V{SD})、反向恢復(fù)時間 (t{rr}) 和反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr}) 等。

四、典型性能特征

文檔中給出了一系列典型性能特征圖，包括導(dǎo)通區(qū)域特性圖、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系圖、電容特性圖、傳輸特性圖、體二極管正向電壓變化與源極電流和溫度的關(guān)系圖、柵極電荷特性圖、擊穿電壓變化與溫度的關(guān)系圖、導(dǎo)通電阻變化與溫度的關(guān)系圖、最大安全工作區(qū)圖、最大漏極電流與殼溫的關(guān)系圖、(E_{OSS}) 和漏極 - 源極電壓的關(guān)系圖以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些圖表直觀地展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，對于工程師進(jìn)行電路設(shè)計和性能評估非常有幫助。

五、封裝與訂購信息

FCD380N60E采用D - PAK封裝，包裝方法為卷帶，卷尺寸為330 mm，帶寬為16 mm，每卷數(shù)量為2500顆。

六、注意事項

1. 安森美半導(dǎo)體保留對產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利，且不另行通知。
2. 產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。若買方將產(chǎn)品用于非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。
3. 文檔中的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，實際性能也可能隨時間變化，客戶的技術(shù)專家需對所有工作參數(shù)進(jìn)行驗證。

在實際設(shè)計中，電子工程師們需要綜合考慮這些因素，充分發(fā)揮FCD380N60E的性能優(yōu)勢，同時避免潛在的風(fēng)險。大家在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享交流。