FCP130N60 N-溝道 SuperFET? II MOSFET:高性能功率器件解析
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天,我們來(lái)詳細(xì)探討一下 FCP130N60 N - 溝道 SuperFET? II MOSFET 這款器件,看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
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一、產(chǎn)品概述
FCP130N60 是飛兆(現(xiàn)屬于安森美半導(dǎo)體)推出的一款 N - 溝道 SuperFET? II MOSFET 產(chǎn)品。它具有 600V 的耐壓、28A 的電流承載能力以及 130mΩ 的導(dǎo)通電阻,適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
二、產(chǎn)品特性
1. 高耐壓與低導(dǎo)通電阻
該器件在 (T{J}=150^{circ} C) 時(shí)能承受 650V 的電壓,典型的 (R{DS(on)}=112 mΩ)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的功率損耗更小,能有效提高系統(tǒng)的效率。這對(duì)于追求高效節(jié)能的電源設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),是非常關(guān)鍵的特性。
2. 低柵極電荷和輸出電容
超低柵極電荷(典型值 (Q{g}=54 nC))和低有效輸出電容(典型值 (C{oss(eff.) }=240 pF))使得器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗降低,開(kāi)關(guān)速度更快??焖俚拈_(kāi)關(guān)速度可以減少開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的整體性能。
3. 雪崩測(cè)試與環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
100% 經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試,保證了器件在承受瞬間高能量沖擊時(shí)的可靠性。同時(shí),該器件符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求,這在當(dāng)今注重環(huán)保的市場(chǎng)環(huán)境下,具有重要意義。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
1. 通信/服務(wù)器電源
在通信和服務(wù)器電源中,需要高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。FCP130N60 的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效降低電源的損耗,提高電源的效率和穩(wěn)定性,滿足通信和服務(wù)器設(shè)備對(duì)電源的高要求。
2. 工業(yè)電源
工業(yè)電源通常需要承受較大的功率和復(fù)雜的工作環(huán)境。FCP130N60 的高耐壓、高電流承載能力以及良好的可靠性,使其非常適合工業(yè)電源的設(shè)計(jì)。它可以在工業(yè)設(shè)備中穩(wěn)定工作,為設(shè)備提供可靠的電力支持。
四、電氣特性
1. 最大絕對(duì)額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | FCP130N60 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏極 - 源極電壓 | 600 | V |
| (V_{GSS}) | 柵極 - 源極電壓(DC) | ±20 | V |
| (V_{GSS}) | 柵極 - 源極電壓(AC, f > 1 Hz) | ±30 | V |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續(xù), (T_{C} = 25 °C)) | 28 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續(xù), (T_{C} = 100 °C)) | 18 | A |
| (I_{DM}) | 漏極電流(脈沖) | 84 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 720 | mJ |
| (I_{AR}) | 雪崩電流 | 6 | A |
| (E_{AR}) | 重復(fù)雪崩能量 | 2.78 | mJ |
| (dv/dt) | MOSFET dv/dt | 100 | V/ns |
| (dv/dt) | 二極管恢復(fù) dv/dt 峰值 | 20 | V/ns |
| (P_{D}) | 功耗((T_{C} = 25 °C)) | 278 | W |
| (P_{D}) | 高于 25 °C 的功耗系數(shù) | 2.2 | W/°C |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲(chǔ)溫度范圍 | -55 至 +150 | °C |
| (T_{L}) | 用于焊接的最大引腳溫度(距離外殼 1/8”,持續(xù) 5 秒) | 300 | °C |
這些額定值為我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考,確保器件在安全的工作范圍內(nèi)運(yùn)行。
2. 電氣性能參數(shù)
在關(guān)斷特性方面,漏極 - 源極擊穿電壓在 (T{J}=25 °C) 時(shí)為 600V,在 (T{J}=150 °C) 時(shí)為 650V,擊穿電壓溫度系數(shù)為 0.67 V/°C。零柵極電壓漏極電流和柵極 - 體漏電流都非常小,保證了器件在關(guān)斷狀態(tài)下的低功耗。
導(dǎo)通特性上,柵極閾值電壓在 2.5 - 3.5V 之間,漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻在 (V{GS}=10V),(I{D}=14A) 時(shí),典型值為 112mΩ,最大值為 130mΩ。正向跨導(dǎo)為 26S,表明器件在導(dǎo)通狀態(tài)下具有良好的電流放大能力。
動(dòng)態(tài)特性中,輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等參數(shù)決定了器件的開(kāi)關(guān)速度和響應(yīng)特性。柵極電荷總量、柵極 - 源極柵極電荷和柵極 - 漏極 “ 米勒 ” 電荷等參數(shù),對(duì)于優(yōu)化開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路非常重要。
開(kāi)關(guān)特性方面,導(dǎo)通延遲時(shí)間、導(dǎo)通上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間和關(guān)斷下降時(shí)間等參數(shù),直接影響器件的開(kāi)關(guān)速度和效率。
漏極 - 源極二極管特性中,最大正向連續(xù)電流和最大正向脈沖電流分別為 28A 和 84A,正向電壓為 1.2V,反向恢復(fù)時(shí)間和反向恢復(fù)電荷等參數(shù),對(duì)于二極管的反向恢復(fù)特性有重要影響。
五、典型性能特征
文檔中給出了一系列典型性能特征曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、體二極管正向電壓變化與源極電流和溫度的關(guān)系、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓變化與溫度的關(guān)系、導(dǎo)通電阻變化與溫度的關(guān)系、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流與殼溫的關(guān)系、(E_{oss}) 與漏源極電壓的關(guān)系、瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線可以幫助我們更深入地了解器件的性能,在實(shí)際設(shè)計(jì)中根據(jù)具體需求進(jìn)行合理的參數(shù)選擇和電路優(yōu)化。
六、封裝與定購(gòu)信息
FCP130N60 采用 TO - 220 封裝,頂標(biāo)為 FCP130N60,包裝方法為塑料管,每包數(shù)量為 50 個(gè)。在定購(gòu)時(shí),需要注意由于安森美半導(dǎo)體系統(tǒng)要求,原飛兆部分可訂購(gòu)的部件編號(hào)中若有下劃線(_)將改為破折號(hào)( - ),可通過(guò)安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站(www.onsemi.com)核實(shí)更新后的器件編號(hào)。
七、總結(jié)與思考
FCP130N60 N - 溝道 SuperFET? II MOSFET 以其出色的性能和豐富的特性,在通信、服務(wù)器電源和工業(yè)電源等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。作為電子工程師,在使用該器件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),需要充分考慮其各項(xiàng)電氣特性和性能參數(shù),結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化。同時(shí),要關(guān)注器件的散熱設(shè)計(jì),確保器件在工作過(guò)程中能夠保持穩(wěn)定的性能。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類似器件的散熱問(wèn)題呢?又是如何解決的呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你們的經(jīng)驗(yàn)。
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