FCP110N65F - N溝道SuperFET? II FRFET? MOSFET：性能卓越的功率器件

在電子工程師的設(shè)計工作中，選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下飛兆半導(dǎo)體（現(xiàn)屬于安森美半導(dǎo)體）的FCP110N65F - N溝道SuperFET? II FRFET? MOSFET。

文件下載：FCP110N65FCN-D.pdf

一、公司背景與產(chǎn)品編號變更

飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)已成為安森美半導(dǎo)體的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分飛兆可訂購的產(chǎn)品編號需要更改，原飛兆產(chǎn)品編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實更新后的器件編號。

二、FCP110N65F MOSFET特性

（一）基本參數(shù)

FCP110N65F是一款650V、35A、110mΩ的N溝道MOSFET。在 (T{J}=150^{circ} C) 時，其耐壓可達700V，典型值 (R{DS(on)}=96 ~m Omega) ，具有超低柵極電荷（典型值 (Q{g}=98 nC) ）和低有效輸出電容（典型值 (C{oss(eff.) }=464 pF) ），并且經(jīng)過100%雪崩測試，符合RoHS標準。

（二）技術(shù)優(yōu)勢

SuperFET? II MOSFET采用電荷平衡技術(shù)，實現(xiàn)了出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能。這項技術(shù)能最小化導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt額定值和更高雪崩能量。而SuperFET II FRFET? MOSFET優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能，可去除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

該MOSFET適用于多種開關(guān)電源應(yīng)用，如：

1. 顯示設(shè)備電源：LCD / LED / PDP TV電源。
2. 通信與服務(wù)器電源：為通信設(shè)備和服務(wù)器提供穩(wěn)定的電源支持。
3. 太陽能逆變器：在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。
4. AC - DC電源：廣泛應(yīng)用于各種AC - DC電源轉(zhuǎn)換場景。

四、電氣特性

（一）絕對最大額定值

在 (T{C}=25^{circ} C) 時，其漏極 - 源極電壓 (V{DSS}) 為650V，柵極 - 源極電壓 (V{GSS}) 直流為±20V、交流（f > 1 Hz）為±30V。連續(xù)漏極電流在 (T{C}=25^{circ} C) 時為35A， (T{C}=100^{circ} C) 時為24A，脈沖漏極電流為105A。單脈沖雪崩能量 (E{AS}) 為809mJ，雪崩電流 (I{AR}) 為8A，重復(fù)雪崩能量 (E{AR}) 為3.57mJ，MOSFET dv/dt為100V/ns，二極管恢復(fù)dv/dt峰值為50V/ns，功耗在 (T_{C}=25^{circ} C) 時為357W，高于25°C的功耗系數(shù)為2.86W/°C，工作和存儲溫度范圍為 - 55至 + 150°C，用于焊接的最高引腳溫度（距離外殼1/8” ，持續(xù)5秒）為300°C。

（二）熱性能

結(jié)至外殼熱阻最大值 (R{eJC}) 為0.35°C/W，結(jié)至環(huán)境熱阻最大值 (R{eJA}) 為62.5°C/W。

（三）電氣特性詳細參數(shù)

1. 關(guān)斷特性：漏極 - 源極擊穿電壓 (B{VDSS}) 在 (V{GS} = 0 V) ， (I{D} = 10 mA) ， (T{J} = 25°C) 時為650V， (T{J} = 150°C) 時為700V，擊穿電壓溫度系數(shù) (ΔB{VDSS} / ΔT{J}) 為0.67V/°C。零柵極電壓漏極電流 (I{DSS}) 在 (V{DS} = 520 V) ， (T{C} = 125°C) 時為110μA， (V{DS} = 650 V) ， (V{GS} = 0 V) 時為10μA，柵極 - 體漏電流 (I_{GSS}) 為±100nA。
2. 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{GS} = V{DS}) ， (I{D} = 3.5 mA) 時為3 - 5V，漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS} = 10 V) ， (I{D} = 17.5 A) 時為96 - 110mΩ，正向跨導(dǎo) (g{FS}) 在 (V{DS} = 20 V) ， (I{D} = 17.5 A) 時為30S。
3. 動態(tài)特性：輸入電容 (C{iss}) 在 (V{DS} = 100 V) ， (V{GS} = 0 V) ， (f = 1 MHz) 時為3680 - 4895pF，輸出電容 (C{oss}) 有不同取值，反向傳輸電容 (C{rss}) 為0.65pF，有效輸出電容 (C{oss(eff.)}) 在 (V{DS} = 0 V) 至400 V， (V{GS} = 0 V) 時為464pF，10V的柵極電荷總量 (Q{g(tot)}) 在 (V{DS} = 380 V) ， (I{D} = 17.5 A) ， (V{GS} = 10 V) 時為98 - 145nC，柵極 - 源極柵極電荷 (Q{gs}) 為20nC，柵極 - 漏極 “ 米勒 ” 電荷 (Q{gd}) 為43nC，等效串聯(lián)電阻 (ESR) 在 (f = 1 MHz) 時為0.7Ω。
4. 開關(guān)特性：導(dǎo)通延遲時間 (t{d(on)}) 為31 - 72ns，導(dǎo)通上升時間 (t{r}) 為21 - 52ns，關(guān)斷延遲時間 (t{d(off)}) 為89 - 188ns，關(guān)斷下降時間 (t{f}) 為5.7 - 21ns。
5. 漏極 - 源極二極管特性：漏極 - 源極二極管最大正向連續(xù)電流 (I{S}) 為35A，最大正向脈沖電流 (I{SM}) 為105A，正向電壓 (V{SD}) 在 (V{GS} = 0 V) ， (I{SD} = 17.5 A) 時為1.2V，反向恢復(fù)時間 (t{rr}) 在 (V{GS} = 0 V) ， (I{SD} = 17.5 A) ， (dI{F}/dt = 100 A/μs) 時為133ns，反向恢復(fù)電荷 (Q{rr}) 為0.67μC。

五、典型性能特征

文檔中給出了多個典型性能特征圖，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、體二極管正向電壓變化與源極電流和溫度的關(guān)系、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓變化與溫度的關(guān)系、導(dǎo)通電阻變化與溫度的關(guān)系、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流與殼溫的關(guān)系、 (E_{oss}) 與漏源極電壓的關(guān)系以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些特性圖能幫助工程師更直觀地了解該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)。

六、測試電路與波形

文檔還提供了柵極電荷測試電路與波形、阻性開關(guān)測試電路與波形、非箝位電感開關(guān)測試電路與波形以及二極管恢復(fù)dv/dt峰值測試電路與波形等。這些測試電路和波形圖對于工程師進行實際測試和驗證工作具有重要的參考價值。

七、封裝信息

FCP110N65F采用TO - 220封裝，頂標為FCP110N65F，包裝方法為塑料管，每管數(shù)量為50個。

在實際設(shè)計中，電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求，綜合考慮FCP110N65F的各項特性和參數(shù)。大家在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享交流。