FCD620N60ZF：N溝道SuperFET? II FRFET? MOSFET的卓越性能與應(yīng)用

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個電路系統(tǒng)的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下飛兆半導(dǎo)體的FCD620N60ZF N溝道SuperFET? II FRFET? MOSFET。

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品牌整合與系統(tǒng)要求

飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）現(xiàn)已成為安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的一部分。由于安森美半導(dǎo)體的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（_）的部件命名，飛兆部分可訂購的部件編號中的下劃線將更改為破折號（-）。大家可通過安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的器件編號。

產(chǎn)品特性

高性能參數(shù)

FCD620N60ZF MOSFET具有一系列出色的特性。在溫度 (T{J}=150^{circ} C) 時，它能承受650 V的電壓；典型值 (R{DS( on )}=528 ~m Omega)，展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通電阻；超低柵極電荷（典型值 (Qg=20 nC)）和低有效輸出電容（典型值 (C_{oss(eff.) }=71 pF)），有助于降低開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。

可靠性保障

該器件100%經(jīng)過雪崩測試，具備提高靜電放電保護(hù)能力，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，在可靠性和環(huán)保性方面表現(xiàn)出色。

技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢

SuperFET? II MOSFET采用了電荷平衡技術(shù)，這是飛兆半導(dǎo)體新一代的高壓超級結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢在于最小化導(dǎo)通損耗，同時提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt額定值和更高的雪崩能量。因此，它非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX電源及工業(yè)電源應(yīng)用等。而SuperFET II FRFET? MOSFET還優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能，可去除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

具體應(yīng)用場景

顯示設(shè)備

在LCD / LED / PDP電視和顯示器照明中，F(xiàn)CD620N60ZF能夠?yàn)?a target="_blank">電源模塊提供高效穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換，確保顯示設(shè)備的正常運(yùn)行。

能源領(lǐng)域

在太陽能逆變器和AC - DC電源中，其低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能有助于提高能源轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。

電氣特性與性能參數(shù)

絕對最大額定值

熱性能

電氣特性詳情

關(guān)斷特性

• 漏極 - 源極擊穿電壓 (B{V DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(I{D} = 10 mA)，(T{J} = 25°C) 時為600 V；在 (T_{J} = 150°C) 時為650 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù) (Delta B{V DSS} / Delta T{J})：(I_{D}=10 mA)，參考溫度為25°C時為0.6 V/°C。

  導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 (V{GS(th)})：(V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 mu A) 時，范圍為3 - 5 V。
• 漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：(V{GS} = 10 V)，(I_{D} = 3.6 A) 時，典型值為0.528 Ω，最大值為0.62 Ω。

  動態(tài)特性

• 輸入電容 (C{iss})：(V{DS} = 25 V)，(V_{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 時，典型值為855 pF，最大值為1135 pF。
• 輸出電容 (C_{oss})：不同條件下有不同取值。
• 反向傳輸電容 (C_{rss})：典型值為30 pF，最大值為45 pF。
• 有效輸出電容 (C{oss(eff.)})：(V{DS} = 0 V) 到480 V，(V_{GS} = 0 V) 時，典型值為71 pF。

  開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間 (t{d(on)})：(V{DD} = 380 V)，(I{D} = 3.6 A)，(V{GS} = 10 V)，(R_{g} = 4.7 Omega) 時，典型值為15 ns，最大值為40 ns。
• 開通上升時間 (t_{r})：典型值為7 ns，最大值為24 ns。
• 關(guān)斷延遲時間 (t_{d(off)})：典型值為35 ns，最大值為80 ns。
• 關(guān)斷下降時間 (t_{f})：典型值為10 ns，最大值為30 ns。

  漏極 - 源極二極管特性

• 漏極 - 源極二極管最大正向連續(xù)電流 (I_{S})：為7.3 A。
• 漏極 - 源極二極管最大正向脈沖電流 (I_{SM})：為21.9 A。
• 漏極 - 源極二極管正向電壓 (V{SD})：(V{GS} = 0 V)，(I_{SD} = 3.6 A) 時，最大值為1.2 V。
• 反向恢復(fù)時間 (t{rr})：(V{GS} = 0 V)，(I{SD} = 3.6 A)，(dI{F}/dt = 100 A/mu s) 時，典型值為84 ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr})：典型值為0.325 μC。

典型性能特征

文檔中還給出了一系列典型性能特征圖，如通態(tài)區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、體二極管正向電壓變化與源極電流和溫度的關(guān)系、電容特性、柵極電荷特性等。這些圖表直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，對于工程師進(jìn)行電路設(shè)計和性能評估具有重要的參考價值。

封裝與訂購信息

FCD620N60ZF采用D - PAK封裝，包裝方法為卷帶，卷尺寸為330 mm，帶寬為16 mm，每卷數(shù)量為2500個。

注意事項(xiàng)

系統(tǒng)集成

由于品牌整合，部分飛兆部件編號會有變更，需通過安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站核實(shí)更新后的編號。

應(yīng)用限制

安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品不設(shè)計、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備，以及用于人體植入的設(shè)備。若購買或使用該產(chǎn)品用于非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，買方需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。

性能參數(shù)

“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，實(shí)際性能也可能隨時間改變，所有工作參數(shù)都需由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。

FCD620N60ZF N溝道SuperFET? II FRFET? MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用場景，為電子工程師在開關(guān)電源設(shè)計等領(lǐng)域提供了一個優(yōu)秀的選擇。但在實(shí)際應(yīng)用中，我們?nèi)孕璩浞挚紤]各種因素，確保器件的性能能夠得到充分發(fā)揮，同時保障系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用過程中有沒有遇到過類似MOSFET的一些特殊問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。