onsemi NVHL072N65S3 MOSFET：汽車應(yīng)用的理想之選

在電子工程師的設(shè)計工作中，選擇合適的MOSFET至關(guān)重要。今天，我們來深入了解一下 onsemi 的 NVHL072N65S3 MOSFET，看看它在汽車應(yīng)用中能帶來怎樣的優(yōu)勢。

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產(chǎn)品概述

NVHL072N65S3 是 onsemi 全新的 SuperFET III 系列 N 溝道功率 MOSFET，專為汽車應(yīng)用設(shè)計。它采用了先進的電荷平衡技術(shù)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并且能夠承受極高的 dv/dt 速率。這使得 SuperFET III MOSFET Easy - drive 系列有助于管理 EMI 問題，讓設(shè)計實現(xiàn)更加輕松。

關(guān)鍵特性

1. 汽車級認證

該 MOSFET 通過了 AEC - Q101 認證，最大結(jié)溫可達 150°C，能夠滿足汽車惡劣環(huán)境下的使用要求，確保了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

2. 低導(dǎo)通電阻

典型的 (R{DS}(on)) 為 61 mΩ，在 10V 柵源電壓下最大 (R{DS}(on)) 為 72 mΩ，能夠有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。

3. 超低柵極電荷

典型的 (Q_{G}=82 nC)，低柵極電荷意味著更快的開關(guān)速度和更低的驅(qū)動功耗，有助于提升系統(tǒng)的整體性能。

4. 低有效輸出電容

典型的 (C_{OSS}(eff.) = 724 pF)，并且經(jīng)過 100% 雪崩測試，保證了在高壓和高 dv/dt 情況下的穩(wěn)定性。

5. 環(huán)保特性

這些器件無鉛且符合 RoHS 標準，符合環(huán)保要求。

典型應(yīng)用

1. 汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉(zhuǎn)換器

在汽車的混合動力和純電動系統(tǒng)中，DC - DC 轉(zhuǎn)換器起著關(guān)鍵作用。NVHL072N65S3 的低導(dǎo)通電阻和卓越的開關(guān)性能能夠提高轉(zhuǎn)換器的效率，減少能量損耗，延長電池續(xù)航時間。

2. 汽車 PHEV - BEV 車載充電器

車載充電器需要高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。該 MOSFET 的特性使其能夠在高壓環(huán)境下可靠工作，確保充電器的性能和安全性。

電氣特性

1. 絕對最大額定值

• 漏源電壓（(V_{DSS})）：650V
• 柵源電壓（(V_{GSS})）：DC ±30V，AC（f > 1 Hz）±30V
• 連續(xù)漏極電流（(I_{D})）：在 (T{C}=25°C) 時為 44A，在 (T{C}=100°C) 時為 28A
• 脈沖漏極電流（(I_{DM})）：110A
• 單脈沖雪崩能量（(E_{AS})）：214 mJ
• 重復(fù)雪崩能量（(E_{AR})）：3.12 mJ
• MOSFET dv/dt：100 V/ns
• 峰值二極管恢復(fù) dv/dt：20 V/ns
• 功率耗散（(P_{D})）：在 (T_{C}=25°C) 時為 312W，25°C 以上以 2.5 W/°C 降額
• 工作和存儲溫度范圍（(T{J},T{STG})）： - 55 至 +150 °C
• 焊接時最大引線溫度（(T_{L})）：在距離外殼 1/8″ 處 5 秒內(nèi)為 300 °C

2. 電氣參數(shù)

封裝和標記信息

該 MOSFET 采用 TO - 247 - 3LD 封裝，標記信息包含 onsemi 標志、組裝廠代碼、數(shù)字日期代碼、批次代碼和特定器件代碼。訂購信息可參考數(shù)據(jù)手冊第 2 頁的詳細內(nèi)容。

總結(jié)

onsemi 的 NVHL072N65S3 MOSFET 憑借其出色的性能和特性，在汽車應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和高 dv/dt 承受能力，能夠有效提高系統(tǒng)效率，降低功耗，同時滿足汽車級的可靠性要求。電子工程師在設(shè)計汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器等應(yīng)用時，可以考慮選擇這款 MOSFET。你在實際設(shè)計中是否使用過類似的 MOSFET 呢？它在你的項目中表現(xiàn)如何？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。